Fraunhofer-Gesellschaft

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2015Admittance-voltage profiling of Al(x)Ga(1-x)N/GaN heterostructures: Frequency dependence of capacitance and conductance
Köhler, K.; Pletschen, W.; Godejohann, B.-J.; Müller, S.; Menner, H.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2011Electrical properties of AlxGa1-xN/GaN heterostructures with low Al content
Köhler, K.; Müller, S.; Waltereit, P.; Pletschen, W.; Polyakov, V.M.; Lim, T.; Kirste, L.; Menner, H.; Brueckner, P.; Ambacher, O.; Buchheim, C.; Goldhahn, R.
Zeitschriftenaufsatz
2011Reactor dependent starting transients of doping profiles in MOVPE grown GaN
Köhler, K.; Gutt, R.; Müller, S.; Wiegert, J.; Menner, H.; Kirste, L.; Protzmann, H.; Heuken, M.
Zeitschriftenaufsatz
2010AlGaN/GaN epitaxy and technology
Waltereit, P.; Bronner, W.; Quay, R.; Dammann, M.; Kiefer, R.; Pletschen, W.; Müller, S.; Aidam, R.; Menner, H.; Kirste, L.; Köhler, K.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2010Influence of the surface potential on electrical properties of Al(x)Ga(1-x)N/GaN heterostructures with different Al-content: Effect of growth method
Köhler, K.; Müller, S.; Aidam, R.; Waltereit, P.; Pletschen, W.; Kirste, L.; Menner, H.; Bronner, W.; Leuther, A.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Granzner, R.; Schwierz, F.; Buchheim, C.; Goldhahn, R.
Zeitschriftenaufsatz
2009Determination of surface potential of GaN:Si
Köhler, K.; Maier, M.; Kirste, L.; Wiegert, J.; Menner, H.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2009Growth and electrical properties of AlxGa1-xN/GaN heterostructures with different Al-content
Köhler, K.; Müller, S.; Waltereit, P.; Kirste, L.; Menner, H.; Bronner, W.; Quay, R.
Zeitschriftenaufsatz
2008The surface potential of GaN:Si
Köhler, K.; Wiegert, J.; Menner, H.P.; Maier, M.; Kirste, L.
Zeitschriftenaufsatz
2006Distributed-feedback GaInAs/AIAsSb quantum-cascade lasers operating at 300 K
Yang, Q.K.; Bronner, W.; Manz, C.; Raynor, B.; Menner, H.; Mann, C.; Köhler, K.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz