Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2018Carbon dioxide intensified hydrolysis of secondary phytochemicals
Maier, Markus
: Weidner, Eckhard (Gutachter); Gamse, Thomas (Gutachter)
Dissertation
2017CO2-intensified Hydrolysis of Rutin to Quercetin – A Comparison of Experimental Data and modelled Reaction Kinetics
Maier, Markus; Oelbermann, Anna-Luisa; Weidner, Brigitte; Möhle, Edda; Renner, Manfred; Weidner, Eckhard
Zeitschriftenaufsatz
2017Controlling concentration of bioactive components in cat's claw based products with a hybrid separation process
Alba, Calvo; Dévényi, Dániel; Kószó, Bence; Sanz, Sergio; Oelbermann, Anna-Luisa; Maier, Markus; Keve, Tibor; Komka, Kinga; Gamse, Thomas; Weidner, Eckhard; Székely, Edit
Zeitschriftenaufsatz
2017Schaftfräser-Vollwerkzeug
Maier, Michael; Westermann, Hans Henrik
Patent
2017Screening of European medicinal herbs on their tannin content - new potential tanning agents for the leather industry
Maier, Markus; Oelbermann, Anna-Luisa; Renner, Manfred; Weidner, Eckhard
Zeitschriftenaufsatz
2016Effektive Aufbereitung von Müllverbrennungsschlacken mittels Hochspannungsimpulsen
Dittrich, Sebastian; Thome, Volker; Seifert, Severin; Maier, Matthias
Zeitschriftenaufsatz
2016Fabrik- und Erweiterungsplanung II
Maier, Matthias; Reinerth, Hans; Schrodi, Thomas
Konferenzbeitrag
2016Fabrik- und Erweiterungsplanung II
Maier, Matthias Simon; Reinerth, Hans; Schrodi, Thomas
Konferenzbeitrag
2016Wertstromdesign
Erlach, Klaus; Maier, Matthias Simon
: Verl, Alexander (Hrsg.); Bauernhansl, Thomas (Hrsg.)
Tagungsband
2015Einrichtung zur irreversiblen Erfassung einer Überschreitung einer vorbestimmten Temperatur
Maier, Mathias; Marchuk, Oleksandr; Tonner, Friedemann
Patent
2015Elektrisch leitfähige Beschichtungen und Verbundmaterialien
Maier, Mathias
Konferenzbeitrag
2015Fabrik- und Erweiterungsplanung II
Maier, Matthias; Reinerth, Hans; Schrodi, Thomas
Konferenzbeitrag
2015Fabrik- und Erweiterungsplanung Teil II
Maier, Matthias Simon; Reinerth, Hans; Schrodi, Thomas
Konferenzbeitrag
2015Kontaktierungsverfahren
König, Christian; Maier, Mathias; Weiss, Patrick; Hübner, Christof
Patent
2014Heizelement mit flächiger, Wärme entwickelnder Schicht
König, Christian; Nemec, Dominik; Maier, Mathias; Wöller, Karl-Heinz
Patent
2014Wandlungsfähigkeit nach Maß
Wochinger, Thomas; Rehder, Eike; Maier, Matthias Simon
Aufsatz in Buch
2014Wertstromanalyse & Wertstromdesign
Erlach, Klaus; Maier, Matthias
Konferenzbeitrag
2014Wertstromdesign - das Ganze sehen, um das Ganze zu verbessern
Erlach, Klaus; Maier, Matthias Simon
: Verl, Alexander (Hrsg.); Bauernhansl, Thomas (Hrsg.)
Tagungsband
2013Charakterisierung von CNT-Verbundwerkstoffen
Maier, Mathias
Konferenzbeitrag
2013Funktionalitäten durch Ausrüstung mit Carbon Nanotubes
Maier, Mathias; Nemec, Dominik
Vortrag
2013Gedruckte Elektronik und schaltbare Polymersysteme - Anwendungen basierend auf Kohlenstoffnanoröhren
Maier, Mathias; Nemec, Dominik
Konferenzbeitrag
2013Graphit und MWNTs - Ein binäres Füllstoffsystem für leitfähige Lacke
Maier, Mathias; Marchuk, Oleksandr; Kolaric, Ivica
Poster
2013Rechnergestützte Austaktung einer Mixed-Model Line
Oesterle, Jonathan; Maier, Matthias Simon; Holtewert, Philipp; Lickefett, Michael
Zeitschriftenaufsatz
2013Wertstromdesign - das Ganze sehen, um das Ganze zu verbessern
Erlach, Klaus; Maier, Matthias Simon
: Verl, Alexander (Hrsg.); Bauernhansl, Thomas (Hrsg.)
Tagungsband
2012Wertstromanalyse & Wertstromdesign
: Erlach, Klaus (Leitung); Maier, Matthias Simon (Leitung)
Tagungsband
2011Einfluss von Temperatur und Feuchtigkeit auf den Widerstand von Carbon Nanotube modifizierten Polymerschichten
Maier, Mathias; Nemec, Dominik; Kolaric, Ivica
Konferenzbeitrag
2011Improved monitoring of temperature changes
Maier, Mathias; Nemec, Dominik; Kolaric, Ivica
Zeitschriftenaufsatz
2011InP-based heterojunction bipolar transistors with InGaAs/GaAs strained-layer-superlattice
Driad, R.; Aidam, R.; Yang, Q.K.; Maier, M.; Güllich, H.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2010CNT Dispersionen - Herstellung und Anwendung
Erismis, Harun; Geiß, Michael; Maier, Mathias; König, Christian; Nemec, Dominik
Konferenzbeitrag
2010CNT gefüllte Polymere
Erismis, Harun; Geiß, Michael; Maier, Mathias; König, Christian; Nemec, Dominik
Konferenzbeitrag
2010Effizienz von GaInN-Leuchtdioden: Struktur aktiver Schichten unter dem Einfluss substratinduzierter Defekte
Maier, M.
: Ambacher, O.
Dissertation
2010Ni/Ag as low resistive ohmic contact to p-type AlGaN for UV LEDs
Passow, T.; Gutt, R.; Maier, M.; Pletschen, W.; Kunzer, M.; Schmidt, R.; Wiegert, J.; Luick, D.; Liu, S.; Köhler, K.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag
2010Rheological impact of nano-size fillers in Polycarbonate
Martinez, Cayetano; König, Christian; Maier, Mathias; Nemec, Dominik; Kolaric, Ivica
Abstract
2010Sensing properties of carbon nanotube composite
Maier, Mathias
Konferenzbeitrag
2010Towards a deeper understanding of the reduced efficiency droop in low defect-density GaInN wide-well LEDs
Maier, M.; Passow, T.; Kunzer, M.; Pletschen, W.; Köhler, K.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2009Correlation of surface morphology and photoluminescence fluctuation in green light emitting InGaN/GaN quantum wells
Danhof, J.; Vierheilig, C.; Schwarz, U.T.; Meyer, T.; Peter, M.; Hahn, B.; Maier, M.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2009Determination of surface potential of GaN:Si
Köhler, K.; Maier, M.; Kirste, L.; Wiegert, J.; Menner, H.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2009Efficiency and non-thermal roll-over of violet emitting GaInN light-emitting diodes grown on substrates with different dislocation densities
Maier, M.; Passow, T.; Kunzer, M.; Pletschen, W.; Liu, S.; Wiegert, J.; Schmidt, R.; Köhler, K.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2009Influence of substrate dislocation density and quantum well width on the quantum efficiency of violet-emitting GalnN/GaN light-emitting diodes
Passow, T.; Maier, M.; Kunzer, M.; Crenguta-Columbina, L.; Liu, S.; Wiegert, J.; Schmidt, R.; Köhler, K.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2009Manufacturing and processing of carbon nanomaterials
Maier, M.; Park, H.J.; Nemec, D.; Skakalova, V.; Roth, S.; Kolaric, I.
Poster
2009Reduced non-thermal roll-over in violet-emitting GaInN wide-well LEDs grown on low-dislocation-density substrates
Maier, M.; Passow, T.; Kunzer, M.; Schirmacher, W.; Pletschen, W.; Kirste, L.; Köhler, K.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag
2009Reduced nonthermal rollover of wide-well GaInN light-emitting diodes
Maier, M.; Köhler, K.; Kunzer, M.; Pletschen, W.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2009Verbundmaterial mit PTC-Widerstandsverhalten
Maier, Mathias; Nemec, Dominik
Patent
2008(AlGaIn)N UV LEDs for integrated metal-oxide based ozone sensors
Wagner, J.; Wang, C.Y.; Röhlig, C.-C.; Maier, M.; Kunzer, M.; Passow, T.; Schirmacher, W.; Pletschen, W.; Cimalla, V.; Köhler, K.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2008AlN/GaN-superlattice structures for the fabrication of intersubband detectors in the telecom wavelength range
Hofstetter, D.; Baumann, E.; Giorgetta, F.R.; Maier, M.; Guillot, F.; Bellet-Amalric, E.; Monroy, E.
Konferenzbeitrag
2008Enhancement of (AlGaIn)N near-UV LED efficiency using freestanding GaN substrate
Maier, M.; Köhler, K.; Kunzer, M.; Wiegert, J.; Liu, S.; Kaufmann, U.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2008SIMS depth profiling of Mg back-diffusion in (AlGaIn)N light-emitting diodes
Kirste, L.; Köhler, K.; Maier, M.; Kunzer, M.; Maier, M.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2008The surface potential of GaN:Si
Köhler, K.; Wiegert, J.; Menner, H.P.; Maier, M.; Kirste, L.
Zeitschriftenaufsatz
2008Well width dependent luminescence characteristics of UV-violet emitting GaInN QW LED structures
Kunzer, M.; Leancu, C.-C.; Maier, M.; Köhler, K.; Kaufmann, U.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2006Anomalous charge carrier transport phenomena in highly aluminum doped SiC
Müller, R.; Künecke, U.; Weingärtner, R.; Maier, M.; Wellmann, P.
Zeitschriftenaufsatz
2006High-quality AlN/GaN-superlattice structures for the fabrication of narrow-band 1.4 µm photovoltaic intersubband detectors
Hofstetter, D.; Baumann, E.; Giorgetta, F.R.; Graf, M.; Maier, M.; Guillot, F.; Bellet-Amalric, E.; Monroy, E.
Zeitschriftenaufsatz
2006Mg doping profile in III-N light emitting diodes in close proximity to the active region
Köhler, K.; Perona, A.; Maier, M.; Wiegert, J.; Kunzer, M.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2006Molecular beam epitaxy and doping of AlN at high growth temperatures
Boger, R.; Fiederle, M.; Kirste, L.; Maier, M.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2005Bonding of nitrogen in dilute InAsN and high In-content GaInAsN
Wagner, J.; Köhler, K.; Ganser, P.; Maier, M.
Zeitschriftenaufsatz
2005Control of the Mg doping profile in III-N light-emitting diodes and its effect on the elecroluminescence efficiency
Köhler, K.; Stephan, T.; Perona, A.; Wiegert, J.; Maier, M.; Kunzer, M.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2005High-quality GaInAs/AlAsSb quantum cascade lasers grown by molecular beam epitaxy in continuous growth mode
Manz, C.; Yang, Q.K.; Köhler, K.; Maier, M.; Kirste, L.; Wagner, J.; Send, W.; Gerthsen, D.
Zeitschriftenaufsatz
2005Photoluminescence study of In-situ rare earth doped PVT-grown SiC single crystals
Schmitt, H.; Müller, R.; Maier, M.; Winnacker, A.; Wellmann, P.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2004Epitaxy and characterisation of dilute III-As(1-y)N(y) on GaAs and InP
Köhler, K.; Wagner, J.; Ganser, P.; Serries, D.; Geppert, T.; Maier, M.; Kirste, L.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2004High In-content InP-substrate based GaInAsN and GaInAsN QW diode lasers emitting in the 2.2 to 2.3 µm wavelength range
Wagner, J.; Serries, D.; Köhler, K.; Ganser, P.; Maier, M.; Kirste, L.; Kiefer, R.
Konferenzbeitrag
2004In-situ Er-doping of SiC bulk single crystals
Müller, R.; Desperrier, P.; Seitz, C.; Weisser, M.; Magerl, A.; Maier, M.; Winnacker, A.; Wellmann, P.
Konferenzbeitrag
2004Influence of Mg doping profile on the electroluminescence properties of GaInN multiple quantum well light emitting diodes
Stephan, T.; Köhler, K.; Maier, M.; Kunzer, M.; Schlotter, P.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag
2004Process simulation of LPM (Liquid Polymer Moulding) in special consideration of fluid velocity and viscosity characteristics
Repsch, Matthias; Huber, Ulrich; Maier, Martin; Rief, Stefan; Kehrwald, Dirk; Steiner, Konrad
Konferenzbeitrag
2003Bonding of nitrogen in dilute GaInAsN and AlGaAsN studied by Raman spectroscopy
Wagner, J.; Geppert, T.; Köhler, K.; Ganser, P.; Maier, M.
Zeitschriftenaufsatz
2003Growth of phosphorus-doped 6H-SiC single crystals by the modified Lely method
Semmelroth, K.; Schmid, F.; Karg, D.; Pensl, G.; Maier, M.; Greulich-Weber, S.; Spaeth, J.M.
Konferenzbeitrag
2003Investigation of mass transport during PVT growth of SiC by (13)C labeling of source material
Herro, Z.; Wellmann, P.; Püsche, R.; Hundhausen, M.; Ley, L.; Maier, M.; Masri, P.; Winnacker, A.
Zeitschriftenaufsatz
2003Quantitative assessment of Al-to-N bonding in dilute Al(0.33)Ga(0.67)As(1-y)N(y)
Wagner, J.; Geppert, T.; Köhler, K.; Ganser, P.; Maier, M.
Zeitschriftenaufsatz
2003SIMS depth profiling of InGaAsN/InAlAs quantum wells on InP
Maier, M.; Serries, D.; Geppert, T.; Köhler, K.; Güllich, H.; Herres, N.
Zeitschriftenaufsatz
20022K PL topography of silicon doped VGf-GaAs wafers
Baeumler, M.; Maier, M.; Herres, N.; Bünger, T.; Stenzenberger, J.; Jantz, W.
Zeitschriftenaufsatz
2002Electrical activation of high concentrations of N+ and P+ ions implanted into 4H-SiC
Laube, M.; Schmid, F.; Pensl, G.; Wagner, G.; Linnarsson, M.; Maier, M.
Zeitschriftenaufsatz
2002Electrical activation of implanted phosphorus ions in (0001)/(1120)-oriented 4H-SiC
Schmid, F.; Laube, M.; Pensl, G.; Wagner, G.; Maier, M.
Konferenzbeitrag
2002Electrical activation of implanted phosphorus ions in [0001]- and [11-20]-oriented 4H-SiC
Schmid, F.; Laube, M.; Pensl, G.; Wagner, G.; Maier, M.
Zeitschriftenaufsatz
2002Preferential formation of Al-N bonds in low N-content AlGaAsN
Geppert, T.; Wagner, J.; Köhler, K.; Ganser, P.; Maier, M.
Zeitschriftenaufsatz
2002Quaternary GaInAsN with high In content: Dependence of band gap energy on N content
Serries, D.; Geppert, T.; Ganser, P.; Maier, M.; Köhler, K.; Herres, N.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2001Dielectric function spectra of GaN, AlGaN, and GaN/AlGaN heterostructures
Wagner, J.; Obloh, H.; Kunzer, M.; Maier, M.; Köhler, K.
Zeitschriftenaufsatz
2000Fluorine contamination of PHEMTs during processing
Hülsmann, A.; Bronner, W.; Leuther, A.; Maier, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2000High-performance switchless WDM network using multiple free spectral ranges of an arrayed-waveguide grating
Maier, M.; Reisslein, M.; Wolisz, A.
Konferenzbeitrag
2000Hole conductivity and compensation in epitaxial GaN:Mg layers
Kaufmann, U.; Schlotter, P.; Obloh, H.; Köhler, K.; Maier, M.
Zeitschriftenaufsatz
2000Quantitative topographic assessment of Cu incorporation in GaAs
Baeumler, M.; Stibal, R.; Stolz, W.; Steinegger, T.; Jurisch, M.; Maier, M.; Jantz, W.
Zeitschriftenaufsatz
2000Resonant Raman scattering from buried Al(x)Ga(1-x)N (x < = 0.17) layers in (Al,Ga,In)N heterostructures
Yoshikawa, M.; Wagner, J.; Obloh, H.; Kunzer, M.; Maier, M.
Zeitschriftenaufsatz
2000Superior depth resolution of indium in (Al, In, Ga) N structures
Maier, M.; Müller, S.; Ramakrishnan, A.
Konferenzbeitrag
1999Arsenic incorporation in molecular beam epitaxy (MBE) grown (AlGaIn)(AsSb) layers for 2.0-2.5 mu m laser structures on GaSb substrates
Simanowski, S.; Walther, M.; Schmitz, J.; Kiefer, R.; Herres, N.; Fuchs, F.; Maier, M.; Mermelstein, C.; Wagner, J.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
1999Composition dependence of the band gap energy of In(x)Ga(1-x)N layers on GaN(x < = 0.15) grown by metal-organic chemical vapor deposition
Wagner, J.; Ramakrishnan, A.; Behr, D.; Maier, M.; Herres, N.; Kunzer, M.; Obloh, H.; Bachem, K.H.
Konferenzbeitrag
1999Effect of strain and associated piezoelectric fields in InGaN/GaN quantum wells probed by resonant Raman scattering
Wagner, J.; Ramakrishnan, A.; Obloh, H.; Maier, M.
Zeitschriftenaufsatz
1999Origin of defect-related photoluminescence bands in doped and nominally undoped GaN
Kaufmann, U.; Kunzer, M.; Obloh, H.; Maier, M.; Manz, C.; Ramakrishnan, A.; Santic, B.
Zeitschriftenaufsatz
1999Resonant raman scattering as a selective probe for compositional inhomogeneity in low In content (InGa)N
Behr, D.; Wagner, J.; Ramakrishnan, A.; Obloh, H.; Kunzer, M.; Maier, M.; Bachem, K.H.
Konferenzbeitrag
1999Solid-solubility limits of Be in molecular beam epitaxy grown Al(x)Ga(1-x)As layers and short-period superlattices
Gaymann, A.; Maier, M.; Köhler, K.
Zeitschriftenaufsatz
199820 Gbit/s modulation of 1.55 mu m compressively strained InGaAs/InAlGaAs/InP multiple quantum well ridge laser diodes grown by solid source molecular beam epitaxy
Kiefer, R.; Lösch, R.; Walcher, H.; Walther, M.; Weisser, S.; Czotscher, K.; Benz, W.; Rosenzweig, J.; Herres, N.; Maier, M.; Manz, C.; Pletschen, W.; Braunstein, J.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
1998Be and Si migration in AlGaAs/GaAs heterostructures during molecular beam epitaxy
Maier, M.; Gaymann, A.
Konferenzbeitrag
1998Excitonic structure and spatially indirect recombination in MOCVD-grown GaN/Al(x)Ga(1-x)N heterostructures
Kunzer, M.; Kaufmann, U.; Maier, M.; Obloh, H.
Konferenzbeitrag
1998MBE growth of metamorphic In(Ga)AlAs buffers
Sexl, M.; Böhm, G.; Maier, M.; Tränkle, G.; Weimann, G.; Abstreiter, G.
Konferenzbeitrag
1998Nature of the 2.8 eV photoluminescence band in Mg doped GaN
Kaufmann, U.; Kunzer, M.; Maier, M.; Obloh, H.; Ramakrishnan, A.; Santic, B.; Schlotter, P.
Zeitschriftenaufsatz
1998Secondary ion mass spectrometry round-robin study for relative sensitivity factors in gallium arsenide
Homma, Y.; Tohjou, F.; Masamoto, A.; Shibata, M.; Shichi, H.; Yoshioka, Y.; Adachi, T.; Akai, T.; Gao, Y.; Hirano, M.; Hirano, T.; Ihara, A.; Kamejima, T.; Koyama, H.; Maier, M.; Matsumoto, S.; Matsunaga, H.; Nakamura, T.; Obata, T.; Okuno, K.; Sadayama, S.; Sasa, K.; Sasakawa, K.; Shimanuki, Y.; Suzuki, S.; Sykes, D.E.; Tachikawa, I.; Takase, H.; Tanigaki, T.; Tomita, M.; Tosho, H.; Kurosawa, S.
Zeitschriftenaufsatz
1998Suppression of dopant redistribution in AlGaAs/GaAs laser-HEMT structures for optoelectronic transmitters grown by molecular beam epitaxy
Gaymann, A.; Maier, M.; Köhler, K.; Bronner, W.; Grotjahn, F.; Hornung, J.; Ludwig, M.
Konferenzbeitrag
1997Beryllium diffusion in short-period Al(x)Ga(1-x)As/AlAs-superlattices and vertically compact laser structures grown by molecular beam epitaxy
Gaymann, A.; Maier, M.; Bronner, W.; Grün, N.; Köhler, K.
Zeitschriftenaufsatz
1997Doping of SiC by implantation of Boron and Aluminum
Troffer, T.; Schadt, M.; Frank, T.; Itoh, H.; Pensl, G.; Heindl, J.; Strunk, H.P.; Maier, M.
Zeitschriftenaufsatz
1997Electrical and optical properties of oxygen doped GaN grown by MOCVD using N2O
Niebuhr, R.; Bachem, K.H.; Kaufmann, U.; Maier, M.; Merz, C.; Santic, B.; Schlotter, P.; Jürgensen, H.
Zeitschriftenaufsatz
1997Matrix effect in Cs+ attachment SIMS of III-V compound semiconductors
Maier, M.
Konferenzbeitrag
1997Uncooled high-temperature (130 deg C) operation of InGaAs-GaAs multiple quantum-well lasers at 20 Gb/s
Czotscher, K.; Larkins, E.C.; Weisser, S.; Benz, W.; Daleiden, J.; Fleissner, J.; Maier, M.; Ralston, J.D.; Rosenzweig, J.
Zeitschriftenaufsatz
1996Carrier profile for In(0.35)Ga(0.65)As/GaAs multiquantum well lasers from capacitance-voltage measurements
Arias, J.; Esquivias, I.; Ralston, J.D.; Larkins, E.C.; Weisser, S.; Rosenzweig, J.; Schönfelder, A.; Maier, M.
Zeitschriftenaufsatz
1996Electrical properties of silicon carbide polytypes
Pensl, G.; Afanasev, V.V.; Bassler, M.; Schadt, M.; Troffer, T.; Heindl, J.; Strunk, H.P.; Maier, M.; Choyke, W.J.
Konferenzbeitrag
1996High power tapered InGaAs/GaAs laser diodes with carbon doped cladding layers grown by solid source molecular beam epitaxy
Mikulla, M.; Benz, W.; Chazan, P.; Daleiden, J.; Fleissner, J.; Kaufel, G.; Larkins, E.C.; Maier, M.; Ralston, J.D.; Rosenzweig, J.; Wetzel, A.
Konferenzbeitrag
1996Real-time study of dopant incorporation and segregation during MBE growth of GaAs(001):Si
Däweritz, L.; Schützendübe, P.; Stahrenberg, K.; Maier, M.; Ploog, K.
Konferenzbeitrag
1996Tailoring of Si doping layers in GaAs during molecular beam epitaxy
Däweritz, L.; Kostial, H.; Ramsteiner, M.; Klann, R.; Schützendübe, P.; Stahrenberg, K.; Behrend, J.; Hey, R.; Maier, M.; Ploog, K.
Zeitschriftenaufsatz
1996Ultra-high-speed InGaAs/GaAs MQW lasers with C-doped active regions
Czotscher, K.; Larkins, E.C.; Weisser, S.; Benz, W.; Daleiden, J.; Esquivias, I.; Fleissner, J.; Maier, M.; Ralston, J.D.; Romero, B.; Schönfelder, A.; Rosenzweig, J.
Konferenzbeitrag
199537 GHz direct modulation bandwidth in short-cavity InGaAs/GaAs MQW lasers with c-doped active regions
Weisser, S.; Larkins, E.C.; Czotscher, K.; Benz, W.; Daleiden, J.; Fleissner, J.; Maier, M.; Ralston, J.D.; Romero, B.; Schönfelder, A.; Rosenzweig, J.
Konferenzbeitrag
1995Anwendungsmöglichkeiten eines Multimedia-Toolkits zur Kommunikation und Verarbeitung vernetzter, multimedialer Daten in der Pharmarzie
Maier, M.
: Dingeldein, D. (Prüfer)
Diplomarbeit
1995Atomic-scale controlled incorporation of ultrahigh-density Si doping sheets in GaAs
Däweritz, L.; Hey, R.; Ramsteiner, M.; Wagner, J.; Maier, M.; Kostial, H.; Behrend, J.; Höricke, M.
Zeitschriftenaufsatz
1995Basic studies of gallium Nitride growth on Sapphire by metalorganuc Chemical Vapor Deposition and optical properties of deposited layers
Niebuhr, R.; Bachem, K.; Dombrowski, K.; Maier, M.; Pletschen, W.; Kaufmann, U.
Zeitschriftenaufsatz
1995CW direct modulation bandwidths up to 40 GHz in short-cavity In0.35Ga0.65As/GaAs MQW lasers with undoped active regions
Weisser, S.; Larkins, E.C.; Esquivias, I.; Fleissner, J.; Maier, M.; Ralston, J.D.; Romero, B.; Sah, R.E.; Schönfelder, A.; Rosenzweig, J.
Aufsatz in Buch
1995Determination of the bonding of carbon acceptors in InxGa1-xAs for x smallr than 0.1
Pritchard, R.E.; Newman, R.C.; Wagner, J.; Maier, M.; Mazuelas, A.; Lane, P.A.; Martin, T.; Whitehouse, C.R.; Ploog, K.
Zeitschriftenaufsatz
1995High carbon doping of Ga1-xInxAs /x about 0.01/ grown by molecular beam epitaxy
Mazuelas, A.; Maier, M.; Wagner, J.; Fischer, A.; Trampert, A.; Ploog, K.
Zeitschriftenaufsatz
1995Optical and electrical characterization of boron-doped diamond films
Locher, R.; Wagner, J.; Fuchs, F.; Maier, M.; Gonon, P.; Koidl, P.
Zeitschriftenaufsatz
1995Process parameter dependence of Imurity-free interdiffusion in GaAs/AlxGa1-xAs and InyGa1-yAs/GaAs multible quantum wells
Bürkner, S.; Maier, M.; Larkins, E.C.; Rothemund, W.; O'Reilly, E.P.; Ralston, J.D.
Zeitschriftenaufsatz
1995A Raman spectroscopic study of the Si, Be, and C incorporation in InxGa1-xAs relaxed layers
Alvarez, A.-L.; Calle, F.; Sacedon, A.; Calleja, E.; Munoz, E.; Wagner, J.; Maier, M.; Mazuelas, A.; Ploog, K.H.
Zeitschriftenaufsatz
1995Record small-signal adirect modulation band widths upto 40 GHz and low chirp characteristics (alpha = 1.4) in short-cavity strained In0.35Ga0.65As/GaAs MQW laser diodes
Schönfelder, A.; Weisser, S.; Larkins, E.C.; Benz, W.; Daleiden, J.; Fleissner, J.; Maier, M.; Ralston, J.D.; Czotscher, K.; Rosenzweig, J.
Konferenzbeitrag
1995Tapered InGaAs/GaAs MWQ lasers with carbon modulation-doping and reduced filamentation
Ralston, J.D.; Laughton, F.R.; Chazan, P.; Larkins, E.C.; Maier, M.; Abd Rahman, M.K.; White, I.H.
Zeitschriftenaufsatz
1994Improved structural and transport properties of MBE-grown InAs/AlSb QW's with residual As incorporation eliminated via valved cracker
Schmitz, J.; Wagner, J.; Maier, M.; Obloh, H.; Hiesinger, P.; Koidl, P.; Ralston, J.D.
Konferenzbeitrag
1994Incorporation of Be into InxGa1-xAs /0.004 equal or smaller than x equal or smaller than 0.17/ studied by photoluminescence and resonant Raman spectroscopy of local vibrational modes.
Alvarez, A.L.; Wagner, J.; Calle, F.; Maier, M.; Gutierrez, G.; Sacedon, A.; Calleja, E.; Munoz, E.
Zeitschriftenaufsatz
1994Influence of In on Si local vibrational modes in InxGa1-xAs -0 equal or smaller than x equal or smaller than 0.12-
Alvarez, A.L.; Calle, F.; Wagner, A.; Sacedon, A.; Maier, M.; Fernandez de Avila, S.; Calleja, E.; Munoz, E.; Lourenco, M.A.
Zeitschriftenaufsatz
1994MBE growth of In0.35Ga0.65As/GaAs MQWs for high-speed lasers - relaxation limits and factors influencing dislocation glide
Larkins, E.C.; Baeumler, M.; Wagner, J.; Bender, G.; Herres, N.; Maier, M.; Rothemund, W.; Fleissner, J.; Jantz, W.; Ralston, J.D.; Flemig, G.; Brenn, R.
Konferenzbeitrag
1994Studies of GaSb-capped InAs/AlSb quantum wells by resonant Raman scattering.
Wagner, J.; Schmitz, J.; Maier, M.; Ralston, J.D.; Koidl, P.
Zeitschriftenaufsatz
1994Unintentional As incorporation in molecular beam epitaxially grown InAs/AlSb/GaSb heterostructures
Schmitz, J.; Wagner, J.; Maier, M.; Obloh, H.; Koidl, P.; Ralston, J.D.
Zeitschriftenaufsatz
1993Comparison of Si delta-doping with homogenous doping in GaAs.
Köhler, K.; Ganser, P.; Maier, M.
Zeitschriftenaufsatz
1993Compositional analysis of molecular beam epitaxy grown InyGa1-yAs/GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells by determination of film thickness.
Maier, M.; Köhler, K.; Höpner, A.; As, D.J.
Zeitschriftenaufsatz
1993MBE growth optimization of InyGa1-yAs/GaAs multiple quantum well structures.
Larkins, E.C.; Rothemund, W.; Maier, M.; Wang, Z.M.; Ralston, J.D.; Jantz, W.
Zeitschriftenaufsatz
1993Nucleation, relaxation and redistribution of Si layers in GaAs.
Brandt, O.; Crook, G.; Ploog, K.; Bierwolf, R.; Hohenstein, M.; Maier, M.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
1993Optical investigation of delta-doped In0.1Ga0.9As-Si/GaAs strained quantum wells.
Richards, D.; Maier, M.; Köhler, K.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
1993P-dopant incorporation and influence on gain and damping behaviour in high-speed GaAs-based strained MQW lasers.
Ralston, J.D.; Weisser, S.; Esquivias, I.; Schönfelder, A.; Larkins, E.C.; Rosenzweig, J.; Tasker, P.J.; Maier, M.; Fleissner, J.
Zeitschriftenaufsatz
1993Phase analysis of interfacial carbon in GaAs grown by molecular beam epitaxy
Maier, M.; Köhler, K.
Konferenzbeitrag
1993Two-dimensional hole gas and Fermi-edge singularity in Be delta-doped GaAs
Richards, D.; Schneider, H.; Hendorfer, G.; Maier, M.; Fischer, A.; Ploog, K.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
1992Compositional analysis of MBE pseudomorphic InGaAs/AlGaAs/GaAs structures by determination of film thickness with SIMS
Höpner, A.; As, D.J.; Köhler, K.; Maier, M.
Konferenzbeitrag
1992MOVPE growth, technology and characterization of Ga0.5In0.5P/GaAs heterojunction bipolar transistors
Bachem, K.H.; Pletschen, W.; Winkler, K.; Lauterbach, T.; Maier, M.
Konferenzbeitrag
1992Raman spectroscopic assessment of carbon-hydrogen pairs in carbon-doped GaAs layers.
Bachem, K.H.; Ashwin, M.; Newman, R.C.; Woodhouse, K.; Nicklin, R.; Bradley, R.R.; Lauterbach, T.; Maier, M.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
1992Raman spectroscopy of localized vibrational modes from carbon and carbon-hydrogen pairs in heavily carbon-doped GaAs epitaxial layers
Bachem, K.H.; Mörsch, G.; Kamp, M.; Fischer, A.; Lauterbach, T.; Maier, M.; Ploog, K.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
1991Advanced high electron concentration GaAs/AlxGa1-xAs pulse-doped double heterostructure for device application
Bachem, K.H.; Hornung, J.; Hülsmann, A.; Ganser, P.; Köhler, K.; Maier, M.
Konferenzbeitrag
1991Assessment of the boron impurity in semi-insulating gallium arsenide by localized vibrational mode spectroscopy.
Alt, H.; Maier, M.
Zeitschriftenaufsatz
1991Heavy carbon doping in metal-organic vapor phase epitaxy -MOVPE- for GaAs using trimethylarsine
Neumann, G.; Bachem, K.H.; Lauterbach, T.; Maier, M.
Konferenzbeitrag
1991Influence of Si segregation on the two-dimensional electron gas mobility of inverted HEMT structures.
Hiesinger, P.; Jantz, W.; Köhler, K.; Maier, M.
Zeitschriftenaufsatz
1991Interdiffusion in Pb1-xEuxSe/PbSe multi-quantum-well structures
Springholz, G.; Holzinger, A.; Krenn, H.; Clemens, H.; Bauer, G.; Norton, P.; Böttner, H.; Maier, M.
Zeitschriftenaufsatz
1991Intersubband transitions in partially interdiffused GaAs/AlGaAs multiple quantum-well structures
As, D.J.; Brandt, G.; Dischler, B.; Koidl, P.; Maier, M.; Ralston, J.D.; Ramsteiner, M.
Zeitschriftenaufsatz
1991Low temperature infrared measurements and photo-induced persistent changes of intersubband transitions in GaAs/AlGaAs multiple quantum wells
Dischler, B.; Hiesinger, P.; Koidl, P.; Maier, M.; Ralston, J.D.; Ramsteiner, M.
Konferenzbeitrag
1991Modulation doped inverted and normal GaAs/AlxGa1-xAs heterostructures - influence of Si-segregation on the two-dimensional electron gas.
Bachem, K.H.; Ganser, P.; Köhler, K.; Maier, M.
Zeitschriftenaufsatz
1991Quantitative assessment of Be acceptors in GaAs by local vibrational mode spectroscopy.
Murray, R.; Newman, R.C.; Beall, R.B.; Harris, J.J.; Maier, M.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
1991Redistribution of epitaxial Si on -001- GaAs during overgrowth by GaAs.
Brandt, O.; Crook, G.E.; Ploog, K.; Maier, M.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
1990Characterization of conducting GaAs multilayers by infrared spectroscopy at oblique incidence
Grosse, P.; Harbecke, B.; Heinz, B.; Maier, M.; Jantz, W.
Zeitschriftenaufsatz
1990Comparative investigation of the interface quality of GaAs/AlGaAs quantum wells grown by MBE.
Schweizer, T.; Bachem, K.H.; Voigt, A.; Strunk, H.P.; Ganser, P.; Köhler, K.; Maier, M.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
1990Depth profiling of Si in AlGaAs/GaAs heterostructures with SIMS
Maier, M.
Konferenzbeitrag
1990Effects of Si incorporation and electrical activation of intersubband optical absorption in MBE-grown GaAs/AlGaAs multiple quantum well structures
Ralston, J.D.; Dischler, B.; Hiesinger, P.; Koidl, P.; Maier, M.; Ramsteiner, M.; Ennen, H.
Konferenzbeitrag
1989Evidence of deposition of atmospheric pollutants in a remote high alpine lake in Austria.
Kalbfus, W.; Maier, M.; Steinberg, C.; Traer, K.
Zeitschriftenaufsatz
1989Properties of sequentially sputtered tungsten silicide thin films
Pletschen, W.; Maier, M.; Herres, N.; Seelmann-Eggebert, M.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
1989Properties of WSix-Schottky diodes on n-type GaAs sputtered under UHV background conditions
Pletschen, W.; Kaufel, G.; Maier, M.; Olander, E.; Wiegert, J.; Bachem, K.H.; Rupprecht, H.S.
Konferenzbeitrag
1988Channeling of Si during implantation into GaAs for MESFETs
Maier, M.; Bachem, K.H.; Hornung, J.
Konferenzbeitrag
1988Paramagnetism of the manganese acceptor in gallium arsenide.
Frey, T.; Maier, M.; Schneider, J.; Gehrke, M.
Zeitschriftenaufsatz
1988Resonance Raman scattering of Si local vibrational modes in GaAs
Maier, M.; Ramsteiner, M.; Ennen, H.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
1987Erbium doping of molecular beam epitaxial GaAs
Smith, R.S.; Müller, H.D.; Wennekers, P.; Maier, M.; Ennen, H.
Zeitschriftenaufsatz
1982Einfluß dynamischer Effekte bei der Ermittlung von Rissarrestzähigkeiten. Tl.1
Beinert, J.; Maier, M.; Winkler, S.; Kalthoff, J.F.
Buch
1982Einfluß dynamischer Effekte bei der Ermittlung von Rissarrestzähigkeiten. Tl.2. - Anhang
Maier, M.; Beinert, J.; Kalthoff, J.F.
Buch