Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2019Aluminum acceptor activation and charge compensation in implanted p-type 4H-SiC
Weiße, J.; Hauck, M.; Krieger, M.; Bauer, A.J.; Erlbacher, T.
Zeitschriftenaufsatz
2019On the Origin of Charge Compensation in Aluminum-Implanted n-Type 4H-SiC by Analysis of Hall Effect Measurements
Weisse, Julietta; Hauck, Martin; Sledziewski, Tomasz; Krieger, Michael; Bauer, Anton J.; Mitlehner, Heinz; Frey, Lothar; Erlbacher, Tobias
Konferenzbeitrag
2019Publisher’s Note: "Aluminum acceptor activation and charge compensation in implanted p-type 4H-SiC" [AIP Advances 9, 055308 (2019)]
Weiße, J.; Hauck, M.; Krieger, M.; Bauer, A.J.; Erlbacher, T.
Zeitschriftenaufsatz
2018Analysis of compensation effects in aluminum-implanted 4H-SiC devices
Weisse, J.; Hauck, M.; Sledziewski, T.; Tschiesche, M.; Krieger, M.; Bauer, A.; Mitlehner, H.; Frey, L.; Erlbacher, T.
Konferenzbeitrag
2018Impact of Al-ion implantation on the formation of deep defects in n-type 4H-SiC
Weiße, Julietta; Hauck, Martin; Krieger, Michael; Erlekampf, Jürgen; Mitlehner, Heinz; Bauer, Anton J.; Rommel, Mathias; Häublein, Volker; Erlbacher, Tobias; Csato, Constantin; Rüb, Michael; Akhmadaliev, Shavkat; Frey, Lothar
Konferenzbeitrag
2015Defect Luminescence Scanner (DLS): Scientific and industrial-scale defect analysis
Oppel, Steffen; Schneider, Adrian; Schütz, Michael; Kaminzky, Daniel; Kallinger, Birgit; Weber, Jonas; Krieger, Michael
Vortrag
2014New Defect Luminescence Scanner for Inline Control of Material Quality
Kallinger, Birgit; Kaminzky, Daniel; Berwian, Patrick; Oppel, Steffen; Schütz, Michael; Schneider, Adrian; Krieger, Michael; Weber, Jonas; Friedrich, Jochen
Poster
2013Correlation of interface characteristics to electron mobility in channel-implanted 4H-SiC MOSFETs
Strenger, C.; Uhnevionak, V.; Burenkov, A.; Bauer, A.J.; Mortet, V.; Bedel-Pereira, E.; Cristiano, F.; Krieger, M.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2010Detection and electrical characterization of defects at the SiO2/4H-SiC interface
Krieger, M.; Beljakow, S.; Zippelius, B.; Afanas´ev, V.V.; Bauer, A.J.; Nanen, Y.; Kimoto, T.; Pensl, G.
Konferenzbeitrag
2010Silicon carbide and related materials 2009
: Bauer, A.J.; Friedrichs, P.; Krieger, M.; Pensl, G.; Rupp, R.; Seyller, T.
Tagungsband
2009Influence of growth rate and C/Si-ratio on the formation of point and extended defects in 4H-SiC homoepitaxial layers investigated by DLTS
Zippelius, B.; Krieger, M.; Weber, H.B.; Pensl, G.; Kallinger, B.; Friedrich, J.; Thomas, B.
Konferenzbeitrag
1999The ESPRIT project CreditMine and its relevance for the internet market
Köhler, S.; Krieger, M.
Konferenzbeitrag
1998Technische Dokumentation. Ermittlung der Potentiale im Produktlebenszyklus. Ein Verfahren zur Ermittlung von Kennzahlen für den Einsatz und Nutzwert der technischen Dokumentation
Hitzges, A.; Krieger, M.; Rohrbach, M.
: Bullinger, H.-J.
Buch
1996Metodoc - ein Esprit-Programm
Hitzges, A.; Krieger, M.
Zeitschriftenaufsatz
1995Elastic contants and Poisson ratio in the system AlAs-GaAs
Herres, N.; Köhler, K.; Krieger, M.; Sigg, H.; Bachem, K.H.
Zeitschriftenaufsatz
1995The way to the electronic catalogue
Hitzges, A.; Krieger, M.
Konferenzbeitrag
1995Der Weg zum elektronischen Katalog
Hitzges, A.; Krieger, M.
Konferenzbeitrag