Fraunhofer-Gesellschaft

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2015Index-antiguiding in narrow-ridge GaN-based laser diodes investigated by measurements of the current-dependent gain and index spectra and by self-consistent simulation
Redaelli, L.; Wenzel, H.; Piprek, J.; Weig, T.; Einfeldt, S.; Martens, M.; Lükens, G; Schwarz, U.T.; Kneissl, M.
Zeitschriftenaufsatz
2014Surface topology caused by dislocations in polar, semipolar, and nonpolar InGaN/GaN heterostructures
Schade, L.; Wernicke, T.; Raß, J.; Ploch, S.; Weyers, M.; Kneissl, M.; Schwarz, U.T.
Zeitschriftenaufsatz
2013Effect of index-antiguiding on the threshold of GaN-based narrow ridge-waveguide laser diodes
Redaelli, L.; Wenzel, H.; Weig, T.; Lükens, G.; Einfeldt, S.; Schwarz, U.T.; Kneissl, M.; Tränkle, G.
Konferenzbeitrag
2013Growth and optical properties of GaN-based non-and semipolar LEDs
Kneissl, M.; Rass, J.; Schade, L.; Schwarz, U.T.
Aufsatz in Buch
2012Auger effect in nonpolar quantum wells
Schade, L.; Schwarz, U.T.; Wernicke, T.; Rass, J.; Ploch, S.; Weyers, M.; Kneissl, M.
Konferenzbeitrag
2012Indium incorporation and emission wavelength of polar, nonpolar and semipolar InGaN quantum wells
Wernicke, T.; Schade, L.; Netzel, C.; Rass, J.; Hoffmann, V.; Ploch, S.; Knauer, A.; Weyers, M.; Schwarz, U.T.; Kneissl, M.
Zeitschriftenaufsatz
2012Polarization of eigenmodes and the effect on the anisotropic gain in laser structures on nonpolar and semipolar GaN
Rass, J.; Wernicke, T.; Ploch, S.; Brendel, M.; Kruse, A.; Hangleiter, A.; Scheibenzuber, W.; Schwarz, U.T.; Weyers, M.; Kneissl, M.
Konferenzbeitrag
2012Spectral properties of polarized light from semipolar grown InGaN quantum wells at low temperatures
Schade, L.; Schwarz, U.T.; Wernicke, T.; Ploch, S.; Weyers, M.; Kneissl, M.
Zeitschriftenaufsatz
2011Barrierensystem aus nanobeschichteten Mikrosieben und UV-Strahlungsquelle für die Wassertechnik
Keuter, V.; Gehrke, I.; Glaab, J.; Kneissl, M.; Strunskus, T.; Zaparojtchenko, V.; Hrkac, T.
Konferenzbeitrag
2011Development of advanced nano-engineered membranes for multibarrier systems in water purification applications
Keuter, V.; Gehrke, I.; Glaab, J.; Kneissl, M.; Strunskus, T.; Zaparojtchenko, V.; Hrkac, T.; Gerard, I.; Kryschi, R.; Cornelsen, M.; Bohner, C.
Abstract
2011Impact of band structure and transition matrix elements on polarization properties of the photoluminescence of semipolar and nonpolar InGaN quantum wells
Schade, L.; Schwarz, U.T.; Wernicke, H.; Weyers, M.; Kneissl, M.
Zeitschriftenaufsatz
2011International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2010. Proceedings. CD-ROM
: Chow, T.P.; Detchprohm, T.; Fareed, Q.; Iwaya, M.; Kneissl, M.; Schwarz, U.T.
Tagungsband
2011On the optical polarization properties of semipolar InGaN quantum wells
Schade, L.; Schwarz, U.T.; Wernicke, T.; Rass, J.; Ploch, S.; Weyers, M.; Kneissl, M.
Zeitschriftenaufsatz
2011Polarization dependent study of gain anisotropy in semipolar InGaN lasers
Rass, J.; Wernicke, T.; Ploch, S.; Brendel, M.; Kruse, A.; Hangleiter, A.; Scheibenzuber, W.; Schwarz, U.T.; Weyers, M.; Kneissl, M.
Zeitschriftenaufsatz
2010Polarization of eigenmodes in laser diode waveguides on semipolar and nonpolar GaN
Rass, J.; Wernicke, T.; Scheibenzuber, W.; Schwarz, U.T.; Kupec, J.; Witzigmann, B.; Vogt, P.; Einfeldt, S.; Weyers, M.; Kneissl, M.
Zeitschriftenaufsatz
2004Integration multivariater Daten Visualisierung von Geschwindigkeitsbeträgen in ein Visualisierungssystem
Kneissl, M.
: Schneider, S. (Prüfer)
Bachelor Thesis
1996Above band gap absorption spectra of the arsenic antisite defect in low temperature grown GaAs and AlGaAs
Dankowski, S.U.; Streb, D.; Ruff, M.; Kiesel, P.; Kneissl, M.; Knüpfer, B.; Döhler, G.H.; Keil, U.D.; Sorenson, C.B.; Verma, A.K.
Zeitschriftenaufsatz