Fraunhofer-Gesellschaft

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2009High-power frequency stabilized tapered diode amplifiers at 1064 nm
Ostendorf, R.; Schilling, C.; Kaufel, G.; Moritz, R.; Wagner, J.; Kochem, G.; Friedmann, P.; Gilly, J.; Kelemen, M.T.
Konferenzbeitrag
2009Short-pulse high-power operation of GaSb-based diode lasers
Müller, M.; Rattunde, M.; Kaufel, G.; Schmitz, J.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2009Tunable GaAs-based high power tapered amplifiers in an external cavity setup
Schilling, C.; Ostendorf, R.; Kaufel, G.; Moritz, R.; Wagner, J.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
200810 W high-efficiency high-brightness tapered diode lasers at 976 nm
Ostendorf, R.; Kaufel, G.; Moritz, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Kelemen, M.; Gilly, J.
Konferenzbeitrag
2008High-brightness 2.X µm semiconductor lasers
Rattunde, M.; Kelemen, M.T.; Schulz, N.; Pfahler, C.; Manz, C.; Schmitz, J.; Kaufel, G.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag
2008Widely tunable micro-mechanical external-cavity diode laser emitting around 2.1 µm
Geerlings, E.; Rattunde, M.; Schmitz, J.; Kaufel, G.; Wagner, J.; Bläsi, B.; Kallweit, D.; Zappe, H.
Zeitschriftenaufsatz
2007High-power high-brightness lasers
Kelemen, M.T.; Weber, J.; Kaufel, G.; Moritz, R.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2007Micro-mechanical external-cavity laser with wide tuning range
Geerlings, E.; Rattunde, M.; Schmitz, J.; Kaufel, G.; Wagner, J.; Kallweit, D.; Zappe, H.
Konferenzbeitrag
200614xx-nm high brightness tapered diode lasers grown by solid-source MBE
Kallenbach, S.; Aidam, R.; Lösch, R.; Kaufel, G.; Kelemen, M.T.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
20068 W high-efficiency high-brightness tapered diode lasers at 976 nm
Kelemen, M.T.; Weber, J.; Kaufel, G.; Moritz, R.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2006Gain saturation and high-power pulsed operation of GaSb-based tapered diode lasers with separately contacted ridge and tapered section
Pfahler, C.; Eichhorn, M.; Kelemen, M.T.; Kaufel, G.; Mikulla, M.; Schmitz, J.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2006GaSb-based 2.X µm quantum-well diode lasers with low beam divergence and high output power
Rattunde, M.; Schmitz, J.; Kaufel, G.; Kelemen, M.T.; Weber, J.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2006GaSb-based micro-mechanical external-cavity laser emitting around 2.3µm
Geerlings, E.; Rattunde, M.; Schmitz, J.; Kaufel, G.; Wagner, J.; Kallweit, D.; Zappe, H.
Konferenzbeitrag
2006GaSb-based tapered diode lasers at 1.93 µm with 1.5-W nearly diffraction-limited power
Pfahler, C.; Kaufel, G.; Kelemen, M.T.; Mikulla, M.; Rattunde, M.; Schmitz, J.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2006High-peak-power pulsed operation of 2.0 µm (AlGaIn) (AsSb) quantum-well ridge waveguide diode lasers
Eichhorn, M.; Rattunde, M.; Schmitz, J.; Kaufel, G.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2006High-power 1.9-µm diode laser arrays with reduced far field angle
Kelemen, M.T.; Weber, J.; Rattunde, M.; Kaufel, G.; Schmitz, J.; Moritz, R.; Mikulla, M.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2006High-power diode laser arrays emitting at 2 µm with reduced far-field angle
Kelemen, M.T.; Weber, J.; Rattunde, M.; Kaufel, G.; Schmitz, J.; Moritz, R.; Mikulla, M.; Wagner, J.; Pfahler, C.
Konferenzbeitrag
2006Widely tunable GaSb-based external cavity diode laser emitting around 2.3 µm
Geerlings, E.; Rattunde, M.; Schmitz, J.; Kaufel, G.; Zappe, H.P.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2005(AlGaIn)(AsSb) quantum well diode lasers with improved beam quality
Wagner, J.; Geerlings, E.; Kaufel, G.; Kelemen, M.T.; Manz, C.; Pfahler, C.; Rattunde, M.; Schmitz, J.
Konferenzbeitrag
2005Continuous-wave operation of GaInAs/AlGaAsSb quantum cascade lasers
Yang, Q.K.; Bronner, W.; Manz, C.; Moritz, R.; Mann, C.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2005GaSb-based 1.9-2.4 µm quantum-well diode lasers with low-beam divergence
Rattunde, M.; Geerlings, E.; Schmitz, J.; Kaufel, G.; Weber, J.; Mikulla, M.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag
2005High duty-cycle (>= 50%) operation of GalnAs/Al(Ga)AsSb quantum cascade lasers
Bronner, W.; Yang, Q.; Manz, C.; Kaufel, G.; Mann, C.; Kohler, K.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag
2005High duty-cycle (>= 50%) operation of GaInAs/Al(Ga)AsSb quantum cascade lasers
Bronner, W.; Yang, Q.K.; Manz, C.; Kaufel, G.; Mann, C.; Köhler, K.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag
2005High-brightness GaSb-based tapered diode-lasers emitting at 1.9 µm
Pfahler, C.; Manz, C.; Kaufel, G.; Kelemen, M.T.; Mikulla, M.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag
2005High-power diode laser arrays at 2 µm for materials processing
Kelemen, M.T.; Weber, J.; Rattunde, M.; Pfahler, C.; Kaufel, G.; Moritz, R.; Manz, C.; Mikulla, M.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag
2005High-power high-brightness ridge-waveguide tapered diode lasers at 14xx nm
Kallenbach, S.; Kelemen, M.T.; Aidam, R.; Lösch, R.; Kaufel, G.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2005Low-threshold, low beam divergence GaSb-based quantum-well diode-lasers emitting in the 1.9 to 2.4 µm wavelength range
Rattunde, M.; Geerlings, E.; Hülsmann, A.; Schmitz, J.; Kaufel, G.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag
2005Tapered diode lasers at 976nm with 8 W nearly diffraction limited output power
Kelemen, M.T.; Weber, J.; Kaufel, G.; Bihlmann, G.; Moritz, R.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2004GaSb-based 2.3 µm quantum-well diode-lasers with low beam divergence
Rattunde, M.; Schmitz, J.; Kaufel, G.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag
2004High-power high-brightness tapered diode lasers and amplifiers for eye-safe operation
Kallenbach, S.; Kelemen, M.T.; Aidam, R.; Lösch, R.; Kaufel, G.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2004High-power, high-brightness GaInSb/AlGaAsSb quantum-well diode-lasers emitting at 1.9µm
Pfahler, C.; Manz, C.; Kaufel, G.; Kelemen, M.T.; Mikulla, M.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag
2001Complete monolithic integrated 2.5 Gbit/s optoelectronic receiver with large area MSM photodiode for 850 nm wavelength
Lang, M.; Bronner, W.; Benz, W.; Ludwig, M.; Hurm, V.; Kaufel, G.; Leuther, A.; Rosenzweig, J.; Schlechtweg, M.
Zeitschriftenaufsatz
199855 GHz dynamic frequency divider IC
Lao, Z.; Thiede, A.; Hornung, J.; Schlechtweg, M.; Lienhart, H.; Bronner, W.; Hülsmann, A.; Jakobus, T.; Seibel, J.; Sedler, M.; Kaufel, G.
Zeitschriftenaufsatz
1998LSI capability demonstration of an 0.15 mu m - 0.3 mu m GaAs HEMT and PM-HEMT 3 level metallization E/D-Technology for mixed signal circuits
Thiede, A.; Lao, Z.; Lienhart, H.; Sedler, M.; Seibel, J.; Hornung, J.; Schneider, J.; Kaufel, G.; Bronner, W.; Köhler, K.; Jakobus, T.; Schlechtweg, M.
Konferenzbeitrag
1998Mixed signal integrated circuits based on GaAs HEMTs
Thiede, A.; Wang, Z.-G.; Schlechtweg, M.; Lang, M.; Leber, P.; Lao, Z.; Nowotny, U.; Hurm, V.; Rieger-Motzer, M.; Ludwig, M.; Sedler, M.; Köhler, K.; Bronner, W.; Hornung, J.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Schneider, J.; Jakobus, T.; Schroth, J.; Berroth, M.
Zeitschriftenaufsatz
1998Modulator driver and photoreceiver for 20 Gb/s optic-fiber links
Lao, Z.; Hurm, V.; Thiede, A.; Berroth, M.; Ludwig, M.; Lienhart, H.; Schlechtweg, M.; Hornung, J.; Bronner, W.; Köhler, K.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Jakobus, T.
Zeitschriftenaufsatz
199710 Gbit/s long wavelength pin-HEMT photoreceiver grown on GaAs
Hurm, V.; Benz, W.; Bronner, W.; Dammann, M.; Jakobus, T.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Lao, Z.; Ludwig, M.; Raynor, B.; Rosenzweig, J.; Schlechtweg, M.
Zeitschriftenaufsatz
199720 Gbit/s long wavelength monolithic integrated photoreceiver grown on GaAs
Hurm, V.; Benz, W.; Bronner, W.; Fink, T.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Lao, Z.; Ludwig, M.; Raynor, B.; Rosenzweig, J.; Schlechtweg, M.; Windscheif, J.
Zeitschriftenaufsatz
199720-40 Gb/s 0.2-mu m GaAs HEMT chip set for optical data receiver
Lang, M.; Wang, Z.-G.; Lao, Z.; Schlechtweg, M.; Thiede, A.; Rieger-Motzer, M.; Sedler, M.; Bronner, W.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Hülsmann, A.; Raynor, B.
Zeitschriftenaufsatz
199735-GHz static and 48-GHz dynamic frequency divider IC's using 0.2-mu m AlGaAs/GaAs-HEMT's
Lao, Z.; Bronner, W.; Thiede, A.; Schlechtweg, M.; Hülsmann, A.; Rieger-Motzer, M.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Sedler, M.
Zeitschriftenaufsatz
199745 Gbit/s AlGaAs/GaAs HEMT multiplexer IC
Lao, Z.; Nowotny, U.; Thiede, A.; Hurm, V.; Kaufel, G.; Rieger-Motzer, M.; Bronner, W.; Seibel, J.; Hülsmann, A.
Zeitschriftenaufsatz
1997A completely integrated single-chip PLL with a 34 GHz VCO using 0.2 mu m E-/D-HEMT-technology
Lang, M.; Leber, P.; Wang, Z.-G.; Lao, Z.; Rieger-Motzer, M.; Bronner, W.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Raynor, B.
Konferenzbeitrag
1997Compositionally graded buffers on GaAs as substrates for Al(0.48)In(0.52)As/Ga(0.47)In(0.53)As MODFETs
Fink, T.; Haupt, M.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Braunstein, J.; Massler, H.
Konferenzbeitrag
1997GaAs HEMT ICs for 40 Gbit/s data transmission systems
Lang, M.; Nowotny, U.; Wang, Z.-G.; Lao, Z.; Thiede, A.; Rieger-Motzer, M.; Bronner, W.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J.
Konferenzbeitrag
1997HEMT circuits for signal/data processing
Berroth, M.; Hurm, V.; Lang, M.; Lao, Z.; Thiede, A.; Wang, Z.-G.; Bangert, A.; Bronner, W.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Raynor, B.; Jakobus, T.
Zeitschriftenaufsatz
1997High power modulator driver ICs up to 30 Gb/s with AlGaAs/GaAs HEMTs
Lao, Z.; Thiede, A.; Nowotny, U.; Schlechtweg, M.; Hurm, V.; Bronner, W.; Hornung, J.; Rieger-Motzer, M.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Hülsmann, A.
Konferenzbeitrag
1997Long wavelength MSM-HEMT and PIN-HEMT photoreceivers grown on GaAs
Hurm, V.; Benz, W.; Bronner, W.; Fink, T.; Jakobus, T.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Lao, Z.; Leven, A.; Ludwig, M.; Moglestue, C.; Raynor, B.; Rosenzweig, J.; Schlechtweg, M.; Thiede, A.; Weisser, S.
Konferenzbeitrag
1997Low-power 20 Gbit/s data decision and 17 GHz static frequency divider ICs with 1.5 V supply voltage
Lao, Z.; Berroth, M.; Thiede, A.; Rieger-Motzer, M.; Kaufel, G.; Seibel, J.; Bronner, W.; Hülsmann, A.; Schneider, J.; Raynor, B.
Zeitschriftenaufsatz
1997Mixed signal circuits based on a 0.2 mu m gate length AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well HEMT technology
Thiede, A.; Schlechtweg, M.; Hurm, V.; Wang, Z.-G.; Lang, M.; Leber, P.; Lao, Z.; Nowotny, U.; Rieger-Motzer, M.; Sedler, M.; Köhler, K.; Bronner, W.; Fink, T.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Schneider, J.; Jakobus, T.; Schroth, J.; Berroth, M.
Konferenzbeitrag
1997Sub-nanosecond access time 2k sine-cosine ROM in AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well HEMT technology
Thiede, A.; Bushehri, E.; Nowotny, U.; Rieger-Motzer, M.; Sedler, M.; Bronner, W.; Hornung, J.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Schneider, J.
Zeitschriftenaufsatz
199610 and 20 Gbit/s clock recovery GaAs IC with 288 deg phase-shifting function
Wang, Z.-G.; Berroth, M.; Thiede, A.; Rieger-Motzer, M.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J.
Zeitschriftenaufsatz
199620 Gbit/s fully integrated MSM-photodiode AlGaAs/GaAs-HEMT optoelectronic receiver
Hurm, V.; Benz, W.; Berroth, M.; Bronner, W.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Ludwig, M.; Olander, E.; Raynor, B.; Rosenzweig, J.
Zeitschriftenaufsatz
199620-40 Gbit/s 0.2 mu m GaAs HEMT chip set for optical data receiver
Berroth, M.; Lang, M.; Wang, Z.-G.; Lao, Z.; Thiede, A.; Rieger-Motzer, M.; Bronner, W.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Hülsmann, A.; Schneider, J.
Konferenzbeitrag
1996High power tapered InGaAs/GaAs laser diodes with carbon doped cladding layers grown by solid source molecular beam epitaxy
Mikulla, M.; Benz, W.; Chazan, P.; Daleiden, J.; Fleissner, J.; Kaufel, G.; Larkins, E.C.; Maier, M.; Ralston, J.D.; Rosenzweig, J.; Wetzel, A.
Konferenzbeitrag
1996Low power data decision IC for 20-40 Gbit/s data links using 0.2 mu m AlGaAs/GaAs HEMTs
Wang, Z.-G.; Berroth, M.; Thiede, A.; Rieger-Motzer, M.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J.
Zeitschriftenaufsatz
1995110 GHz Amplifiers Based on Compact Coplanar W-Band Receiver Technology
Schlechtweg, M.; Haydl, W.H.; Braunstein, J.; Tasker, P.J.; Bangert, A.; Reinert, W.; Verweyen, L.; Massler, H.; Seibel, J.; Züfle, K.H.; Bronner, W.; Fink, T.; Hülsmann, A.; Hofmann, P.; Kaufel, G.; Köhler, K.
Konferenzbeitrag
199517 GHz broadband amplifier with 25 dB gain using a 0.3 mym AlGaAs/GaAs/AlGaAs HEMT technology
Lang, M.; Berroth, M.; Rieger-Motzer, M.; Hülsmann, A.; Hoffmann, P.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Raynor, B.; Wang, Z.-G.
Zeitschriftenaufsatz
199530 GHz static frequency divider using a 0.2 mym AlGaAs/GaAs/AlGaAs HEMT technology
Lang, M.; Berroth, M.; Rieger-Motzer, M.; Hülsmann, A.; Hoffmann, P.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Raynor, B.
Zeitschriftenaufsatz
1993Fabrication and performance of 1-dim MODFETs.
Hülsmann, A.; Roman, P.; Braunstein, J.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Jakobus, T.
Zeitschriftenaufsatz
1993MODFET technology optimization for MMICs using statistical microwave characterization
Braunstein, J.; Tasker, P.J.; Hülsmann, A.; Köhler, K.; Kaufel, G.; Schlechtweg, M.
Konferenzbeitrag
1993Optical control of pseudomorphic HEMT-based MMIC oscillators.
Bangert, A.; Rosenzweig, J.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Schneider, J.
Zeitschriftenaufsatz
1993Relating mym-wave mapped data to physical parameters for MODFETs.
Braunstein, J.; Tasker, P.J.; Schlechtweg, M.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Köhler, K.
Zeitschriftenaufsatz
1993Stability of an AlGaAs/GaAs/AlGaAsE/D-HEMT process with double pulse doping
Jakobus, T.; Bronner, W.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Landsberg, B.; Raynor, B.; Schneider, J.; Grün, N.; Windscheif, J.; Berroth, M.; Hornung, J.
Konferenzbeitrag
199210-20 Gbit/s GaAs/AlGaAs HEMT ICs for high speed data links
Hurm, V.; Lang, M.; Ludwig, G.; Hülsmann, A.; Schneider, J.; Berroth, M.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Nowotny, U.; Raynor, B.; Wang, Z.-G.; Wennekers, P.
Konferenzbeitrag
199210-Gb/s bit-synchronizer circuit with automatic timing alignment by clock phase shifting using quantum-well AlGaAs/GaAs/AlGaAs technology.
Hülsmann, A.; Schneider, J.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Nowotny, U.; Raynor, B.; Wennekers, P.
Zeitschriftenaufsatz
199215 Gbit/s integrated laser diode driver using 0,3 mym gate length quantum well transistors.
Nowotny, U.; Gotzeina, W.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Raynor, B.; Schneider, J.; Berroth, M.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Wang, Z.-G.
Zeitschriftenaufsatz
199216 x 16 bit parallel multiplier based on 6K gate array with 0.3 mym AlGaAs/GaAs quantum well transistors
Thiede, A.; Berroth, M.; Hurm, V.; Nowotny, U.; Seibel, J.; Gotzeina, W.; Sedler, M.; Raynor, B.; Köhler, K.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Schneider, J.
Zeitschriftenaufsatz
1992Broadband low-power amplifier with high gain and mixer modes using quantum-well GaAs FET technology.
Reinert, W.; Hülsmann, A.; Schneider, J.; Bosch, R.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Raynor, B.; Wennekers, P.
Zeitschriftenaufsatz
1992Indirect optically controlled pseudomorphic HEMT based MMIC oscillator
Bangert, A.; Benz, W.; Hülsmann, A.; Hurm, V.; Schneider, J.; Berroth, M.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Rosenzweig, J.
Konferenzbeitrag
1992Investigation of transport phenomena in pseudomorphic MODFETs
Braunstein, J.; Tasker, P.; Schweizer, T.; Hülsmann, A.; Schlechtweg, M.; Kaufel, G.; Köhler, K.
Konferenzbeitrag
1992Mushroom shaped gates in a dry etched recessed gate process
Kaufel, G.; Hülsmann, A.; Raynor, B.; Hofmann, P.; Schneider, J.; Hornung, J.; Jakobus, T.; Berroth, M.; Köhler, K.
Konferenzbeitrag
1992Probing the In mole fraction limits for pseudomorphic MODFETs.
Braunstein, J.; Tasker, P.J.; Reinert, W.; Schlechtweg, M.; Bosch, R.; Köhler, K.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.
Konferenzbeitrag
1992Raman spectroscopy assessment of laterally structured delta-doped GaAs-Si.
Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
199110 Gbit/s bit-synchronizer with automatic retiming clock alignement using Quantum Well AlGaAs/GaAs/AlGaAs technology
Nowotny, U.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Schneider, J.; Köhler, K.; Wennekers, P.
Konferenzbeitrag
199110 Gbit/s low-power bit synchroniser with automatic retiming phase alignment.
Wennekers, P.; Nowotny, U.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Schneider, J.; Köhler, K.
Zeitschriftenaufsatz
199110 Gbit/s monolithic integrated MSM-photodiode AlGaAs/GaAs-HEMT optoelectronic receiver.
Hurm, V.; Ludwig, M.; Benz, W.; Osorio, R.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Schneider, J.; Berroth, M.; Köhler, K.; Rosenzweig, J.
Konferenzbeitrag
199110 Gbit/s monolithic integrated optoelectronic receiver using an MSM photodiode and AlGaAs/GaAs HEMTs.
Hurm, V.; Rosenzweig, J.; Ludwig, M.; Axmann, A.; Berroth, M.; Benz, W.; Osorio, R.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J.
Konferenzbeitrag
199114 GHz low-power highly sensitive static frequency divider using quantum well AlGaAs/GaAs/AlGaAs FET technology.
Wennekers, P.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Schneider, J.; Köhler, K.
Zeitschriftenaufsatz
1991A 2.5 ns 8x8-b parallel multiplier using 0.5 mym GaAs/GaAlAs heterostructure field effect transistors
Hurm, V.; Nowotny, U.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Schneider, J.; Berroth, M.; Köhler, K.
Zeitschriftenaufsatz
199120 Gbit/s 2 to 1 multiplexer using 0.3 mym gate length double pulse doped Quantum Well GaAs/AlGaAs transistors.
Nowotny, U.; Lang, M.; Hurm, V.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Schneider, J.; Berroth, M.; Köhler, K.
Zeitschriftenaufsatz
19918.2 GHz bandwidth monolithic integrated optoelectronic receiver using MSM photodiode and 0.5 mym recessed-gate AlGaAs/GaAs HEMTs.
Hurm, V.; Rosenzweig, J.; Ludwig, M.; Benz, W.; Huelsmann, A.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Schneider, J.; Berroth, M.; Köhler, K.
Zeitschriftenaufsatz
1991Electrical damage due to low energy plasma processing of GaAs structures
Kaufel, G.; Zappe, H.P.
Konferenzbeitrag
1991GaAs/AlGaAs HEMT's with sub 0.5 mym gatelength written by E-beam and recessed by dry-etching for direct-coupled FET logic -DCFL-
Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Glorer, K.H.; Olander, E.; Weismann, B.; Schneider, J.; Jakobus, T.; Koehler, K.
Konferenzbeitrag
1991Mushroom shaped gates defined by e-beam lithography down to 80 nm gate lengths and fabrication of pseudomorphic HEMTs with a dry-etched gate recess.
Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Schweizer, T.; Braunstein, J.; Schlechtweg, M.; Tasker, P.; Jakobus, T.; Köhler, K.
Konferenzbeitrag
1991Plasma etching damage in GaAs studied by resonant Raman scattering.
Pletschen, W.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
1991Reactive-ion-etch damage in GaAs processing evaluated by a microwave absorption technique.
Zappe, H.P.; Kaufel, G.
Zeitschriftenaufsatz
1990E-beam direct-write in a dry-etched recess gate HEMT process for GaAs/AlGaAs circuits
Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Schneider, J.; Jakobus, T.; Köhler, K.
Zeitschriftenaufsatz
1990Influence of dry etch conditions on the properties of Schottky contacts to n-GaAs
Pletschen, W.; Bachem, K.H.; Hornung, J.; Kaufel, G.; Köhler, K.
Konferenzbeitrag
1990Influence of RIE- induced damage on luminescence and electron transport properties of AlGaAs-GaAs heterostructures.
As, D.J.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Rothemund, W.; Zappe, H.P.; Jantz, W.; Schweizer, T.; Frey, T.
Zeitschriftenaufsatz
1989Properties of WSix-Schottky diodes on n-type GaAs sputtered under UHV background conditions
Pletschen, W.; Kaufel, G.; Maier, M.; Olander, E.; Wiegert, J.; Bachem, K.H.; Rupprecht, H.S.
Konferenzbeitrag