Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2019Comparison of MOCVD and MBE regrowth for CAVET fabrication
Kotzea, Simon; Witte, Wiebke; Godejohann, Birte-Julia; Marx, Mathias; Heuken, Michael; Kalisch, Holger; Aidam, Rolf; Vescan, Andrei
Zeitschriftenaufsatz
2015Charge balancing in GaN-based 2-D electron gas devices employing an additional 2-D hole gas and its influence on dynamic behaviour of GaN-based heterostructure field effect transistors
Hahn, H.; Reuters, B.; Geipel, S.; Schauerte, M.; Benkhelifa, F.; Ambacher, O.; Kalisch, H.; Vescan, A.
Zeitschriftenaufsatz
2015Threshold voltage engineering in GaN-based HFETs: A systematic study with the threshold voltage reaching more than 2 V
Hahn, H.; Benkhelifa, Fouad; Ambacher, O.; Brunner, F.; Noculak, A.; Kalisch, H.; Vescan, A.
Zeitschriftenaufsatz
2013GaN-on-Si enhancement mode metal insulator semiconductor heterostructure field effect transistor with on-current of 1.35A/mm
Hahn, H.; Benkhelifa, F.; Ambacher, O.; Alam, A.; Heuken, M.; Yacoub, H.; Noculak, A.; Kalisch, H.; Vescan, A.
Zeitschriftenaufsatz
2012First polarization-engineered compressively strained AlInGaN barrier enhancement-mode MISHFET
Hahn, H.; Reuters, B.; Wille, A.; Ketteniss, N.; Benkhelifa, F.; Ambacher, O.; Kalisch, H.; Vescan, A.
Zeitschriftenaufsatz