Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
201920-nm In₀.₈Ga₀.₂As MOSHEMT MMIC technology on silicon
Tessmann, Axel; Leuther, Arnulf; Heinz, Felix; Bernhardt, Frank; John, Laurenz; Massler, Hermann; Czornomaz, Lukas; Merkle, Thomas
Zeitschriftenaufsatz
2019RF-noise model extraction procedure for distributed multiport models
Heinz, Felix; Schwantuschke, Dirk; Ohlrogge, Matthias; Leuther, Arnulf; Ambacher, Oliver
Konferenzbeitrag
2019W-Band LNA MMICs based on a noise-optimized 50-nm gate-length metamorphic HEMT Technology
Thome, Fabian; Leuther, Arnulf; Heinz, Felix; Ambacher, Oliver
Konferenzbeitrag
2018High gain 220 - 275 GHz amplifier MMICs based on metamorphic 20 nm InGaAs MOSFET technology
Tessmann, Axel; Leuther, Arnulf; Heinz, Felix; Bernhardt, Frank; Massler, Hermann
Konferenzbeitrag
2018RF-noise modeling of InGaAs metamorphic HEMTs and MOSFETs
Heinz, Felix; Schwantuschke, Dirk; Leuther, Arnulf; Tessmann, Axel; Ohlrogge, Matthias; Quay, Rüdiger; Ambacher, Oliver
Konferenzbeitrag
2017Untersuchung des Hochfrequenzrauschens von InGaAs-Transistoren
Heinz, Felix
: Ambacher, Oliver (Referent); Schwantuschke, Dirk (Betreuer)
Master Thesis