Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2013Diffusion of Mg dopant in metal-organic vapor-phase epitaxy grown GaN and Al(x)Ga(1-x)N
Köhler, K.; Gutt, R.; Wiegert, J.; Kirste, L.
Zeitschriftenaufsatz
2013High power efficiency AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes
Passow, T.; Gutt, R.; Kunzer, M.; Pletschen, W.; Kirste, L.; Forghani, K.; Scholz, F.; Köhler, K.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2012AlGaN-based 355 nm UV light-emitting diodes with high power efficiency
Gutt, R.; Passow, T.; Kunzer, M.; Pletschen, W.; Kirste, L.; Forghani, K.; Scholz, F.; Köhler, K.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2012Effect of In incorporation into the quantum well active region on the efficiency of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes
Passow, T.; Gutt, R.; Kunzer, M.; Kirste, L.; Pletschen, W.; Forghani, K.; Scholz, F.; Köhler, K.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2012Epitaxie von AlGaN-basierten Leuchtdioden für den UV-A-Wellenlängenbereich
Gutt, R.
Dissertation
2012Epitaxie von AlGaN-basierten Leuchtdioden für den UV-A-Wellenlängenbereich
Gutt, Richard
Dissertation
2011Comprehensive surface analysis of GaN-capped AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Gutt, R.; Himmerlich, M.; Fenske, M.; Müller, S.; Lim, T.; Kirste, L.; Waltereit, P.; Köhler, K.; Krischok, S.; Fladung, T.
Zeitschriftenaufsatz
2011Controlling the Mg doping profile in MOVPE-grown GaN/Al(0.2)Ga(0.8)N light-emitting diodes
Gutt, R.; Köhler, K.; Wiegert, J.; Kirste, L.; Passow, T.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2011Efficient 350 nm LEDs on low edge threading dislocation density AlGaN buffer layers
Gutt, R.; Passow, T.; Pletschen, W.; Kunzer, M.; Kirste, L.; Forghani, K.; Scholz, F.; Klein, O.; Kaiser, U.; Köhler, K.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag
2011High quality AlGaN epilayers grown on sapphire using SiNx interlayers
Forghani, K.; Klein, M.; Lipski, F.; Schwaiger, S.; Hertkorn, J.; Leute, R.A.R.; Scholz, F.; Feneberg, M.; Neuschl, B.; Thonke, K.; Klein, O.; Kaiser, U.; Gutt, R.; Passow, T.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2011Improved quantum efficiency of 350 nm LEDs grown on low dislocation density AlGaN buffer layers
Kunzer, M.; Gutt, R.; Kirste, L.; Passow, T.; Forghani, K.; Scholz, F.; Köhler, K.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2011Reactor dependent starting transients of doping profiles in MOVPE grown GaN
Köhler, K.; Gutt, R.; Müller, S.; Wiegert, J.; Menner, H.; Kirste, L.; Protzmann, H.; Heuken, M.
Zeitschriftenaufsatz
2010Analysis of polar GaN surfaces with photoelectron and high resolution electron energy loss spectroscopy
Lorenz, P.; Haensel, T.; Gutt, R.; Koch, R.J.; Schaefer, J.A.; Krischok, S.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2010Angle-resolved photoelectron spectroscopy study of the GaN(0001)-2×2 surface
Lorenz, P.; Gutt, R.; Himmerlich, M.; Schaefer, J.A.; Krischok, S.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2010Interaction of GaN(0001)-2×2 surfaces with H2O
Lorenz, P.; Gutt, R.; Haensel, T.; Himmerlich, M.; Schaefer, J.A.; Krischok, S.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2010Ni/Ag as low resistive ohmic contact to p-type AlGaN for UV LEDs
Passow, T.; Gutt, R.; Maier, M.; Pletschen, W.; Kunzer, M.; Schmidt, R.; Wiegert, J.; Luick, D.; Liu, S.; Köhler, K.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag
2010Reduction of the threading edge dislocation density in AlGaN epilayers by GaN nucleation for efficient 350 nm light emitting diodes
Gutt, R.; Kirste, L.; Passow, T.; Kunzer, M.; Köhler, K.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2009Reduction of the threading edge disclocation density in AlGaN epilayers by GaN nucleation
Gutt, R.; Kirste, L.; Wiegert, J.; Luick, D.; Köhler, K.
Konferenzbeitrag