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1996 | Verfahren zum Herstellen eines vertikalen Leistungsbauelementes mit reduzierter Minoritaetstraegerlebensdauer in dessen Driftstrecke Gassel, H.; Muetterlein, B.; Priefert, D.; Truong, D.N.; Vogt, H. | Patent |
1995 | Herstellung von SIMOX-Substraten mit reduzierter Implantationsdosis Gassel, H. | Aufsatz in Buch |
1995 | Untersuchung der SIMOX-Technologie zur Erzeugung anwendungsspezifischer SOI-Substrate Gassel, H. | Dissertation |
1995 | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur fuer eine integrierte Leistungsschaltung mit einem vertikalen Leistungsbauelement Gassel, H.; Muetterlein, B.; Vogt, H.; Zimmer, G. | Patent |
1994 | Electrical and structural characteristics of thin buried oxides Meda, L.; Bertoni, S.; Cerofolini, G.F.; Gassel, H. | Zeitschriftenaufsatz |
1994 | Improvement of SIMOX buried oxide breakdown voltage by multiple step and multiple energy implantation Gassel, H.; Vogt, H. | Konferenzbeitrag |
1994 | SOI-Herstellung und Anwendung am Fraunhofer-Institut IMS Duisburg. Gassel, H. | Konferenzbeitrag |
1994 | Structure and electrical characteristics of a thin buried oxide containing silicon inclusions Meda, L.; Bertoni, S.; Cerofolini, G.; Spaggiari, C.; Gassel, H. | Konferenzbeitrag |
1993 | Electrical and structural characteristics of thin buried oxide Meda, L.; Bertoni, S.; Cerofolini, G.F.; Gassel, H. | Konferenzbeitrag |
1993 | Novel approach to defect etching in thin film silicon-on-insulator Gassel, H.; Peter-Weidemann, J.; Vogt, H. | Zeitschriftenaufsatz |
1993 | SIMOX and wafer bonding, combination of competitors complements one another Gassel, H.; Vogt, H. | Konferenzbeitrag |
1993 | Verfahren zum Herstellen einer monokristallinen Siliziumschicht auf einem vergrabenen Dielektrikum Gassel, H.; Vogt, H. | Patent |
1992 | Minimum oxygen dose for reliable application of SIMOX Badenes, G.; Burbach, G.; Gassel, H.; Vogt, H.; Walter, A. | Konferenzbeitrag |
1992 | Novel approach to defect etching in thin film SOI. Part 1 Gassel, H.; Peter-Weidemann, J.; Vogt, H. | Konferenzbeitrag |
1992 | Novel approach to defect etching in thin film SOI. Part 2 Gassel, H.; Peter-Weidemann, J.; Vogt, H. | Konferenzbeitrag |
1992 | SIMOX, an efficient etch-stop to fabricate silicon membranes with well defined thickness. Part 1 Dura, H.-G.; Gassel, H.; Mokwa, W.; Vogt, H. | Konferenzbeitrag |
1992 | SIMOX, an efficient etch-stop to fabricate silicon membranes with well defined thickness. Part 2 Dura, H.-G.; Gassel, H.; Mokwa, W.; Vogt, H. | Konferenzbeitrag |
1991 | Measurement of SOI film thickness Badenes, G.; Abel, H.B.; Burbach, G.; Gassel, H.; Vogt, H. | Konferenzbeitrag |
1991 | SIMOX-devices for analog circuits Badenes, G.; Burbach, G.; Gassel, H.; Vogt, H. | Konferenzbeitrag |
1991 | Strukturelle und morphologische Erscheinungen bei der Rekristallisation von SIMOX-Wafern Vöhse, H.; Burbach, G.; Gassel, H.; Höch, A. | Konferenzbeitrag |
1990 | CMOS-Technologie auf SIMOX-Wafern Belz, J.; Burbach, G.; Gassel, H.; Peter-Weidemann, J.; Vogt, H. | Aufsatz in Buch |
1990 | Untersuchung und Entwicklung der CMOS-Technologie auf vergrabenem Isolator als einer neuen VLSI-Technologie. Berichtszeitraum 01.07.1987 - 31.09.1990. BMFT-Abschlußbericht 110620 Abel, H.B.; Gassel, H.; Belz, J.; Burbach, G.; Vogt, H.; Debusmann, K.; Peter-Weidemann, J.; Redlich, S.; Götzen, R. | Buch |