Fraunhofer-Gesellschaft

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1988CW argon-laser induced zone-melting recrystallization of thin silicon on oxide.
Ryssel, H.; Götzlich, J.; Steinberger, H.; Qiuxia, X
Zeitschriftenaufsatz
1988CW argon-laser-induced zone-melting recrystallization of thin silicon on oxide
Ryssel, H.; Götzlich, J.; Qiuxia, X; Steinberger, H.
Zeitschriftenaufsatz
1983Anwendung des Laserausheilens fuer Halbleiterbauelemente
Ryssel, H.; Goetzlich, J.
Zeitschriftenaufsatz
1983CO2-laser annealing of ion implanted silicon - relaxation characteristics of metastable concentrations
Goetzlich, J.; Tsien, P.H.; Henghuber, G.; Ryssel, H.
Aufsatz in Buch
1983Laser annealing
Ryssel, H.; Goetzlich, J.
Aufsatz in Buch
1981CO2 laser annealing characteristics of high-dose boron and arsenic-implanted silicon.
Tsien, P.H.; Goetzlich, J.; Ryssel, H.; Ruge, I.
Zeitschriftenaufsatz