Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2009Rigorous diffraction simulations of topographic wafer stacks in double patterning
Feng, S.; Evanschitzky, P.; Fühner, T.; Erdmann, A.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
1996GaAs-FET-Analogschalter
Feng, S.; Sauerer, J.; Seitzer, D.
Patent
1994Characterization and Improvement of GaAs HEMT Analog Switches for Sampled-Data Applications
Feng, S.; Seitz, D.
Zeitschriftenaufsatz
1994High gain operational amplifier implemented in 0.5 µm GaAs E/D HEMT technology
Feng, S.; Seitz, D.; Sauerer, J.
Zeitschriftenaufsatz
1994Implementation of GaAs E/D HEMT analog components for oversampling analog/digital conversion
Feng, S.; Sauerer, J.; Seitzer, D.
Konferenzbeitrag
1994Improved passive model for transient prediction of GaAs E/D MESFET analogue switches
Feng, S.; Seitzer, D.
Zeitschriftenaufsatz
1994Statistical characterization of GaAs E/D HEMT analog components for data conversion ICs
Feng, S.; Seitzer, D.
Konferenzbeitrag
1993Monte-Carlo-Simulationen genauer Analogschaltungen in GaAs-HEMT-Technologie
Feng, S.; Sauerer, J.; Hagelauer, R.; Seitzer, D.
Konferenzbeitrag
1993Untersuchungen an GaAs-HEMT-Analogkomponenten für überabtastende Analog/Digital-Umsetzer mit hoher Geschwindigkeit
Feng, S.
Dissertation
1992Charakterisierung und Modellierung des Übergangsverhaltens von Analogschaltern mit GaAs-E/D-MESFET
Feng, S.; Sauerer, J.; Hagelauer, R.; Seitzer, D.
Konferenzbeitrag
1992Design on high performance GaAs latched comparator for data conversion applications
Feng, S.; Seitzer, D.
Konferenzbeitrag
1992Entwurf von GaAs-MESFET-Analogschaltern für Abtastschaltungen
Feng, S.; Sauerer, J.; Hagelauer, R.; Seitzer, D.
Konferenzbeitrag
1992Input voltage sensitivity of GaAs/GaAlAs HEMT latched comparator
Feng, S.; Seitzer, D.
Zeitschriftenaufsatz
1992Mismatch of current sources and accuracy of D/A converters in 0.5 mu m GaAs/GaAlAs HEMT technology
Feng, S.; Sauerer, J.; Seitzer, D.
Konferenzbeitrag
1991A 4 Gs/s and 10 mV latched comparator in 0.5 mu m GaAs HEMT technology
Feng, S.; Oehler, F.; Sauerer, J.; Hagelauer, R.; Seitzer, D.
Konferenzbeitrag