Fraunhofer-Gesellschaft

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1999Intensity modulation and chirp of 1.55-mu m multiple-quantum well laser diodes. Modeling and experimental verification
Czotscher, K.; Weisser, S.; Leven, A.; Rosenzweig, J.
Zeitschriftenaufsatz
199820 Gbit/s modulation of 1.55 mu m compressively strained InGaAs/InAlGaAs/InP multiple quantum well ridge laser diodes grown by solid source molecular beam epitaxy
Kiefer, R.; Lösch, R.; Walcher, H.; Walther, M.; Weisser, S.; Czotscher, K.; Benz, W.; Rosenzweig, J.; Herres, N.; Maier, M.; Manz, C.; Pletschen, W.; Braunstein, J.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
1998Messung und Modellierung der Intensitätsmodulation und des Chirps von 1,55 Mikrometern InGaAS/InAlGaAs/InP Mehrfach-Quantenfilm-Laserdioden
Czotscher, K.
Dissertation
1997Chirp characteristics of 1.55 mu m InGaAs/InGaAlAs multiple quantum well laser diodes
Czotscher, K.; Weisser, S.; Länge, R.; Benz, W.; Burkhard, H.; Hillmer, H.; Steinhagen, F.; Kiefer, R.; Lösch, R.; Pletschen, W.; Walcher, H.; Walther, M.; Rosenzweig, J.
Konferenzbeitrag
1997Lateral carrier profile for mesa-structured InGaAs/GaAs lasers
Torre, M.S.; Esquivias, I.; Romero, B.; Czotscher, K.; Weisser, S.; Ralston, J.D.; Larkins, E.; Benz, W.; Rosenzweig, J.
Zeitschriftenaufsatz
1997Uncooled high-temperature (130 deg C) operation of InGaAs-GaAs multiple quantum-well lasers at 20 Gb/s
Czotscher, K.; Larkins, E.C.; Weisser, S.; Benz, W.; Daleiden, J.; Fleissner, J.; Maier, M.; Ralston, J.D.; Rosenzweig, J.
Zeitschriftenaufsatz
1996Carrier escape time in GaAs/AlGaAs and InGaAs/GaAs quantum-well lasers
Esquivias, I.; Romero, B.; Weisser, S.; Czotscher, K.; Ralston, J.D.; Larkins, E.C.; Arias, J.; Schönfelder, A.; Mikulla, M.; Fleissner, J.; Rosenzweig, J.
Konferenzbeitrag
1996Damping-limited modulation bandwidths up to 40 GHz in undoped short-cavity In(0.35)Ga(0.65)As-GaAs multiple-quantum-well lasers
Weisser, S.; Larkins, E.C.; Czotscher, K.; Benz, W.; Daleiden, J.; Esquivias, I.; Fleissner, J.; Ralston, J.D.; Romero, B.; Sah, R.E.; Schönfelder, A.; Rosenzweig, J.
Zeitschriftenaufsatz
1996Hybrid integration of laser diode chips on a glass substrate
Cabon, B.; Hilt, A.; Vilcot, A.; Czotscher, K.; Weisser, S.; Berceli, T.
Konferenzbeitrag
1996Optical gain and spontaneous emission in InGaAs/GaAs multiple quantum well laser diodes
Schönfelder, A.; Ralston, J.D.; Czotscher, K.; Weisser, S.; Rosenzweig, J.; Larkins, E.C.
Zeitschriftenaufsatz
1996Structural and carrier density dependence of carrier lifetime in InGaAs/GaAs multiple-quantum-well lasers
Czotscher, K.; Weisser, S.; Larkins, E.C.; Fleissner, J.; Ralston, J.D.; Schönfelder, A.; Rosenzweig, J.; Esquivias, I.
Zeitschriftenaufsatz
1996Ultra-high-speed InGaAs/GaAs MQW lasers with C-doped active regions
Czotscher, K.; Larkins, E.C.; Weisser, S.; Benz, W.; Daleiden, J.; Esquivias, I.; Fleissner, J.; Maier, M.; Ralston, J.D.; Romero, B.; Schönfelder, A.; Rosenzweig, J.
Konferenzbeitrag
199537 GHz direct modulation bandwidth in short-cavity InGaAs/GaAs MQW lasers with c-doped active regions
Weisser, S.; Larkins, E.C.; Czotscher, K.; Benz, W.; Daleiden, J.; Fleissner, J.; Maier, M.; Ralston, J.D.; Romero, B.; Schönfelder, A.; Rosenzweig, J.
Konferenzbeitrag
1995Record small-signal adirect modulation band widths upto 40 GHz and low chirp characteristics (alpha = 1.4) in short-cavity strained In0.35Ga0.65As/GaAs MQW laser diodes
Schönfelder, A.; Weisser, S.; Larkins, E.C.; Benz, W.; Daleiden, J.; Fleissner, J.; Maier, M.; Ralston, J.D.; Czotscher, K.; Rosenzweig, J.
Konferenzbeitrag