Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2019Adaptive low-temperature covalent bonding of III-nitride thin films by extremely thin water interlayers
Gerrer, Thomas; Graff, Andreas; Simon-Najasek, Michél; Czap, Heiko; Maier, Thomas; Benkhelifa, Fouad; Müller, Stefan; Nebel, Christoph E.; Waltereit, Patrick; Quay, Rüdiger; Cimalla, Volker
Zeitschriftenaufsatz
2018Flexible and Scalable Heterogeneous Integration of GaN HEMTs on Si‐CMOS by Micro‐Transfer‐Printing
Lerner, R.; Eisenbrandt, S.; Fischer, F.; Fecioru, A.; Trindade, A.J.; Bonafede, S.; Bower, C.; Waltereit, P.; Reiner, R.; Czap, H.
Zeitschriftenaufsatz
2018A homogeneous and reproducible large-area, low dispersion GaN-on-Si normally-off 600 V transistor technology using selective GaN etching
Waltereit, P.; Preschle, M.; Müller, S.; Kirste, L.; Czap, H.; Ruster, J.; Dammann, M.; Reiner, R.
Konferenzbeitrag
2018Monolithic GaN power circuits for highly-efficient, fast-switching converter applications with higher functionality
Waltereit, Patrick; Reiner, Richard; Weiss, Beatrix; Mönch, Stefan; Müller, Stefan; Czap, Heiko; Wespel, Matthias; Dammann, Michael; Kirste, Lutz; Quay, Rüdiger
Konferenzbeitrag
2018Transfer of AlGaN/GaN RF-devices onto diamond substrates via van der Waals bonding
Gerrer, Thomas; Cimalla, Volker; Waltereit, Patrick; Müller, Stefan; Benkhelifa, Fouad; Maier, Thomas; Czap, Heiko; Ambacher, Oliver; Quay, Rüdiger
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2017Transfer of AlGaN/GaN RF-devices onto diamond substrates via van der Waals bonding
Gerrer, Thomas; Cimalla, Volker; Waltereit, Patrick; Müller, Stefan; Benkhelifa, Fouad; Maier, Thomas; Czap, Heiko; Nebel, Christoph E.; Quay, Rüdiger
Konferenzbeitrag
2015Vertical buffer leakage and temperature effects on the breakdown performance of GaN/AlGaN HEMTs on Si substrate
Benkhelifa, F.; Müller, S.; Polyakov, V.M.; Breuer, S.; Czap, H.; Manz, C.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014Large-area GaN-on-Si HFET power devices for highly-efficient, fast-switching converter applications
Waltereit, P.; Reiner, R.; Wespel, M.; Weiss, B.; Czap, H.; Dammann, M.; Müller, S.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014A new approach for GaN normally-off power transistors: Lateral recess for positive threshold voltage
Waltereit, P.; Leuther, A.; Rüster, J.; Czap, H.; Preschle, M.; Iannucci, R.; Müller, S.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2013Effiziente Energiewandlung mit GaN-basierter Leistungselektronik
Waltereit, P.; Reiner, R.; Müller, S.; Czap, H.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2013GaN-based high voltage transistors for efficient power switching
Waltereit, P.; Reiner, R.; Czap, H.; Peschel, D.; Müller, S.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2013Mechanical and electrical properties of plasma and thermal atomic layer deposited Al2O3 films on GaAs and Si
Sah, R.E.; Driad, R.; Bernhardt, F.; Kirste, L.; Leancu, C.-C.; Czap, H.; Benkhelifa, F.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2012Reverse bias stress test of GaN HEMTs for high-voltage switching applications
Dammann, M.; Czap, H.; Rüster, J.; Baeumler, M.; Gütle, F.; Waltereit, P.; Benkhelifa, F.; Reiner, R.; Cäsar, M.; Konstanzer, H.; Müller, S.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag