Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2001High performance metamorphic HEMT with 0.25 µm refractory metal gate on 4´´ GaAs substrate
Benkhelifa, F.; Chertouk, M.; Dammann, M.; Massler, H.; Walther, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
20000.15 mu-m passivated InP-based HEMT MMIC technology with high thermal-stability in hydrogen ambient
Chertouk, M.; Dammann, M.; Kohler, K.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2000Effect of drain voltage on channel temperature and reliability of pseudomorphic InP-based HEMTs
Dammann, M.; Chertouk, M.; Jantz, W.; Köhler, K.; Marsetz, W.; Schmidt, K.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2000Metamorphic Devices
Hülsmann, A.; Benkhelifa, F.; Bronner, W.; Chertouk, M.; Hurm, V.; Köhler, K.; Leuther, A.; Walther, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2000Metamorphic HEMT 0.5 mum low cost high performance process on 4'' GaAs substrates
Benkhelifa, F.; Chertouk, M.; Walther, M.; Lösch, R.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2000Reliability of InAlAs/InGaAs HEMTs grown on GaAs substrate with metamorphic buffer
Dammann, M.; Chertouk, M.; Jantz, W.; Köhler, K.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2000Simulation of InAlAs/InGaAs high electron mobility transistors with a single set of physical parameters
Quay, R.; Palankovski, V.; Chertouk, M.; Leuther, A.; Selberherr, S.
Konferenzbeitrag
2000W-band MMICs with 0.15 mu-m metamorphic InAlAs/InGaAs HEMTs on GaAs substrate - performance, thermal- stability and reliability
Chertouk, M.; Kudszus, S.; Dammann, M.; Reuter, R.; Kohler, K.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
1999Passivated 0,15 mu m InAlAs/InGaAs HEMTs with 500 GHz f(max). HF performance, thermal stability and reliability
Chertouk, M.; Dammann, M.; Massler, M.; Köhler, K.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
1999Reliability of passivated 0.15 mu m InAlAs/InGaAs HEMT's with pseudomorphic channel
Dammann, M.; Chertouk, M.; Jantz, W.; Köhler, K.; Schmidt, K.H.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
1998Advantages of Al-free GaInP/InGaAs PHEMTs for power applications
Chertouk, M.; Bürkner, S.; Bachem, K.H.; Pletschen, W.; Kraus, S.; Braunstein, J.; Tränkle, G.
Zeitschriftenaufsatz
1998Effect of atmosphere on reliability of passivated 0.15 mu m InAlAs/InGaAs HEMTs
Dammann, M.; Chertouk, M.; Jantz, W.; Köhler, K.; Schmidt, K.H.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
1998GaInP/GaInAs/GaAs-MODFETs with pseudomorphic GaInP barriers, device concept and device properties
Pletschen, W.; Bachem, K.H.; Chertouk, M.; Bürkner, S.; Braunstein, J.
Konferenzbeitrag
1998Millimeter wave InP HEMT MMIC technology. Thermal stability and performace
Chertouk, M.; Steinhagen, F.; Massler, H.; Dammann, M.; Haydl, W.H.; Köhler, K.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
1998Optimised gate-drain feedback capacitance of W-band high gain passivated 0.15 mu m InAlAs/InGaAs HEMTs
Chertouk, M.; Steinhagen, F.; Massler, H.; Haydl, W.H.; Köhler, K.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
1998W-band high gain passivated 0.15 mu m InP-based HEMTs MMIC technology with high thermal stability on InP substrates
Chertouk, M.; Steinhagen, F.; Massler, H.; Dammann, M.; Haydl, W.H.; Köhler, K.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag