Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2017Eigenschaftsänderungen von Prüfstäuben durch mechanische Beanspruchung
Teipel, Ulrich; Henning, Frank; Cäsar, Markus
Konferenzbeitrag
2015Reliability studies of GaN high electron mobility transistors
Cäsar, Markus
: Ambacher, Oliver
Dissertation
2014Reliability studies of GaN high electron mobility transistors
Cäsar, M.
: Ambacher, O. (Betreuer); Schwierz, F. (Betreuer)
Dissertation
2013GaN HEMTs and MMICs for space applications
Waltereit, P.; Bronner, W.; Quay, R.; Dammann, M.; Cäsar, M.; Müller, S.; Reiner, R.; Brueckner, P.; Kiefer, R.; Raay, F. van; Kühn, J.; Musser, M.; Haupt, C.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2012GaN-based high-frequency devices and circuits: A Fraunhofer perspective
Waltereit, P.; Bronner, W.; Quay, R.; Dammann, M.; Cäsar, M.; Müller, S.; Raay, F. van; Kiefer, R.; Brueckner, P.; Kühn, J.; Musser, M.; Kirste, L.; Haupt, C.; Pletschen, W.; Lim, T.; Aidam, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2012Generation of traps in AlGaN/GaN HEMTs during RF-and DC-stress test
Cäsar, M.; Dammann, M.; Polyakov, V.M.; Waltereit, P.; Bronner, W.; Baeumler, M.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2012High efficiency X-band AlGaN/GaN MMICs for space applications with lifetimes above 10(5) hours
Waltereit, P.; Kühn, J.; Quay, R.; Raay, F. van; Dammann, M.; Cäsar, M.; Müller, S.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Lätti, J.; Rostewitz, M.; Hirche, K.; Däubler, J.
Konferenzbeitrag
2012Influence of AlGaN barrier thickness on electrical and device properties in Al0.14Ga0.86N/GaN high electron mobility transistor structures
Waltereit, P.; Bronner, W.; Musser, M.; Raay, F. van; Dammann, M.; Cäsar, M.; Müller, S.; Kirste, L.; Köhler, K.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2012Is GaN the ideal material for space?
Waltereit, P.; Bronner, W.; Quay, R.; Dammann, M.; Cäsar, M.; Müller, S.; Reiner, R.; Brueckner, P.; Kiefer, R.; Raay, F. van; Kühn, J.; Musser, M.; Haupt, C.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2012Microscopic degradation analysis of RF-stressed AlGaN/GaN HEMTs
Gütle, F.; Baeumler, M.; Dammann, M.; Cäsar, M.; Walcher, H.; Waltereit, P.; Bronner, W.; Müller, S.; Kiefer, R.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Graff, A.; Altmann, F.; Simon, M.
Konferenzbeitrag
2012Radiative inter-valley transitions as a dominant emission mechanism in AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Gütle, F.; Polyakov, V.M.; Baeumler, M.; Benkhelifa, F.; Müller, S.; Dammann, M.; Cäsar, M.; Quay, R.; Mikulla, M.; Wagner, J.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2012Reverse bias stress test of GaN HEMTs for high-voltage switching applications
Dammann, M.; Czap, H.; Rüster, J.; Baeumler, M.; Gütle, F.; Waltereit, P.; Benkhelifa, F.; Reiner, R.; Cäsar, M.; Konstanzer, H.; Müller, S.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2012Trade-offs between performance and reliability in AlGaN/GaN transistors
Waltereit, P.; Bronner, W.; Kiefer, R.; Quay, R.; Dammann, M.; Cäsar, M.; Brueckner, P.; Müller, S.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2011Critical factors influencing the voltage robustness of AlGaN/GaN HEMTs
Cäsar, M.; Dammann, M.; Polyakov, V.M.; Waltereit, P.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2011Effect of chemical surface pre-treatment on reliability of AlGaN/GaN HEMTs
Cäsar, M.; Dammann, M.; Waltereit, P.; Bronner, W.; Baeumler, M.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2011Reliability and degradation mechanism of 0.25 µm AlGaN/GaN HEMTs under RF stress conditions
Dammann, M.; Baeumler, M.; Gütle, F.; Cäsar, M.; Walcher, H.; Waltereit, P.; Bronner, W.; Müller, S.; Kiefer, R.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Graff, A.; Altmann, F.; Simon, M.
Konferenzbeitrag
2010Critical factors influencing the voltage robustness of AlGaN/GaN HEMTs
Cäsar, M.; Dammann, M.; Polyakov, V.M.; Waltereit, P.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2010Investigation of leakage current of AlGaN/GaN HEMTs under pinch-off condition by electroluminescence microscopy
Baeumler, M.; Gütle, F.; Polyakov, V.M.; Cäsar, M.; Dammann, M.; Konstanzer, H.; Pletschen, W.; Bronner, W.; Quay, R.; Waltereit, P.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Bourgeois, F.; Behtash, R.; Riepe, K.J.; Wel, P.J. van der; Klappe, J.; Rödle, T.
Zeitschriftenaufsatz
2010Reliability status of GaN transistors and MMICs in Europe
Dammann, M.; Cäsar, M.; Konstanzer, H.; Waltereit, P.; Quay, R.; Bronner, W.; Kiefer, R.; Müller, S.; Mikulla, M.; Wel, P.J. van der; Rödle, T.; Bourgeois, F.; Riepe, K.
Konferenzbeitrag
2009Reliability of AlGaN/GaN HEMTs under DC- and RF-operation
Dammann, Michael; Cäsar, M.; Waltereit, Patrick; Bronner, Wolfgang; Konstanzer, Helmer; Quay, Rüdiger; Müller, Stefan; Mikulla, Michael; Ambacher, O.; Wel, P. van der; Rödle, T.; Behtash, R.; Bourgeois, F.; Riepe, K.
Konferenzbeitrag