Fraunhofer-Gesellschaft

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2018Electronic properties of wurtzite GaAs: A correlated structural, optical, and theoretical analysis of the same polytypic GaAs nanowire
Senichev, A.; Corfdir, P.; Brandt, O.; Ramsteiner, M.; Breuer, S.; Schilling, J.; Geelhaar, L.; Werner, P.
Zeitschriftenaufsatz
2002Anharmonicity of the E2(high) and A(1)(LO) phonons in GaN studied by temperature-dependent Raman spectroscopy
Giehler, M.; Ramsteiner, M.; Waltereit, P.; Brandt, O.; Ploog, K.H.; Obloh, H.
Zeitschriftenaufsatz
2001Influence of heteroepitaxy on the width and frequency of the e-2 (high)-phonon line in GaN studied by Raman-spectroscopy
Giehler, M.; Ramsteiner, M.; Waltereit, P.; Brandt, O.; Ploog, K.H.; Obloh, H.
Zeitschriftenaufsatz
1994Concepts and Application of SIMPLE++
Becker, B.-D.; Brandt, O.
Konferenzbeitrag
1994Simulation als Feinplanungsinstrument in komplexen Fertigungsabläufen
Becker, B.-D.; Brandt, O.
Konferenzbeitrag
1993Nucleation, relaxation and redistribution of Si layers in GaAs.
Brandt, O.; Crook, G.; Ploog, K.; Bierwolf, R.; Hohenstein, M.; Maier, M.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
1991Redistribution of epitaxial Si on -001- GaAs during overgrowth by GaAs.
Brandt, O.; Crook, G.E.; Ploog, K.; Maier, M.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz