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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2017Fully integrated high quality factor GmC bandpass filter stage with highly linear operational transconductance amplifier
Briem, J.; Mader, M.; Reiter, D.; Amirpour, R.; Grözing, M.; Berroth, M.
Zeitschriftenaufsatz
2017A SiGe-HBT 2:1 analog multiplexer with more than 67 GHz bandwidth
Tannert, T.; Du, X.-Q.; Widmann, D.; Grözing, M.; Berroth, M.; Schmidt, C.; Caspar, C.; Choi, J.H.; Jungnickel, V.; Freund, R.
Konferenzbeitrag
2013A highly linear transimpedance amplifier in InP technology for application in 100 Gbit/s fiber optical data communication
Ferenci, D.; Grözing, M.; Berroth, M.; Makon, R.E.; Driad, R.; Rosenzweig, J.; Schlechtweg, M.
Konferenzbeitrag
2012A 25 GHz analog demultiplexer with a novel track and hold circuit for a 50 GS/s A/D-conversion system in InP DHBT technology
Ferenci, D.; Grözing, M.; Berroth, M.; Makon, R.E.; Driad, R.; Rosenzweig, J.
Konferenzbeitrag
2012A high gain SiGe-GaN switching power amplifier in the GHz-range
Heck, S.; Bräckle, A.; Berroth, M.; Maroldt, S.; Quay, R.
Konferenzbeitrag
2011Comparison of a single and a dual-gate GaN switching-amplifier for future communication systems
Heck, S.; Maroldt, S.; Bräckle, A.; Berroth, M.; Quay, R.
Konferenzbeitrag
2011A high-power dual-gate GaN switching-amplifier in the GHz-range
Heck, S.; Brackle, A.; Berroth, M.; Maroldt, S.; Quay, R.
Konferenzbeitrag
2009Comparing measurement setups to determine the frequency response of Ge on Si p-i-n photodiodes up to 40 GHz
Klinger, S.; Berroth, M.; Kaschel, M.; Oehme, M.; Kasper, E.; Hurm, V.
Konferenzbeitrag
1999Spannungsgesteuerter Oszillator
Wang, Z.; Berroth, M.
Patent
1998Analytical charge conservative large signal model for MODFETs validated up to mm-wave range
Osorio, R.; Berroth, M.; Marsetz, W.; Verweyen, L.; Demmler, M.; Massler, H.; Neumann, M.; Schlechtweg, M.
Konferenzbeitrag
1998Mixed signal integrated circuits based on GaAs HEMTs
Thiede, A.; Wang, Z.-G.; Schlechtweg, M.; Lang, M.; Leber, P.; Lao, Z.; Nowotny, U.; Hurm, V.; Rieger-Motzer, M.; Ludwig, M.; Sedler, M.; Köhler, K.; Bronner, W.; Hornung, J.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Schneider, J.; Jakobus, T.; Schroth, J.; Berroth, M.
Zeitschriftenaufsatz
1998Modulator driver and photoreceiver for 20 Gb/s optic-fiber links
Lao, Z.; Hurm, V.; Thiede, A.; Berroth, M.; Ludwig, M.; Lienhart, H.; Schlechtweg, M.; Hornung, J.; Bronner, W.; Köhler, K.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Jakobus, T.
Zeitschriftenaufsatz
1998Vorrichtung zur Taktrueckgewinnung
Wang, Z.; Berroth, M.
Patent
199725 Gb/s AGC amplifier, 22 GHz transimpedance amplifier and 27.7 GHz limiting amplifier ICs using AlGaAs/GaAs-HEMTs
Lao, Z.; Berroth, M.; Hurm, V.; Thiede, A.; Bosch, R.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Moglestue, C.; Köhler, K.
Konferenzbeitrag
199740 GHz monolithically-integrated fully-balanced VCO using 0.3 mu m HEMTs
Wang, Z.-G.; Berroth, M.; Thiede, A.; Rieger-Motzer, M.; Jakobus, T.; Hülsmann, A.; Köhler, K.; Raynor, B.
Zeitschriftenaufsatz
1997Experimental results of on-chip center-tapped microwave transformers
Wang, Z.-G.; Berroth, M.; Bosch, R.; Raynor, B.; Rieger-Motzer, M.
Konferenzbeitrag
1997HEMT circuits for signal/data processing
Berroth, M.; Hurm, V.; Lang, M.; Lao, Z.; Thiede, A.; Wang, Z.-G.; Bangert, A.; Bronner, W.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Raynor, B.; Jakobus, T.
Zeitschriftenaufsatz
1997Low-power 20 Gbit/s data decision and 17 GHz static frequency divider ICs with 1.5 V supply voltage
Lao, Z.; Berroth, M.; Thiede, A.; Rieger-Motzer, M.; Kaufel, G.; Seibel, J.; Bronner, W.; Hülsmann, A.; Schneider, J.; Raynor, B.
Zeitschriftenaufsatz
1997Mixed signal circuits based on a 0.2 mu m gate length AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well HEMT technology
Thiede, A.; Schlechtweg, M.; Hurm, V.; Wang, Z.-G.; Lang, M.; Leber, P.; Lao, Z.; Nowotny, U.; Rieger-Motzer, M.; Sedler, M.; Köhler, K.; Bronner, W.; Fink, T.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Schneider, J.; Jakobus, T.; Schroth, J.; Berroth, M.
Konferenzbeitrag
199610 and 20 Gbit/s clock recovery GaAs IC with 288 deg phase-shifting function
Wang, Z.-G.; Berroth, M.; Thiede, A.; Rieger-Motzer, M.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J.
Zeitschriftenaufsatz
199610 Gbit/s long-wavelength monolithic integrated optoelectronic receeiver grown on GaAs
Hurm, V.; Benz, W.; Berroth, M.; Bronner, W.; Fink, T.; Haupt, M.; Köhler, K.; Ludwig, M.; Raynor, B.; Rosenzweig, J.
Zeitschriftenaufsatz
199620 Gbit/s fully integrated MSM-photodiode AlGaAs/GaAs-HEMT optoelectronic receiver
Hurm, V.; Benz, W.; Berroth, M.; Bronner, W.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Ludwig, M.; Olander, E.; Raynor, B.; Rosenzweig, J.
Zeitschriftenaufsatz
199620-40 Gbit/s 0.2 mu m GaAs HEMT chip set for optical data receiver
Berroth, M.; Lang, M.; Wang, Z.-G.; Lao, Z.; Thiede, A.; Rieger-Motzer, M.; Bronner, W.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Hülsmann, A.; Schneider, J.
Konferenzbeitrag
199631 GHz static and 39 GHz dynamic frequency divider ICs using 0,2 mu m-AlGaAs/GaAs-HEMTs
Lao, Z.; Berroth, M.; Rieger-Motzer, M.; Thiede, A.; Hurm, V.; Sedler, M.; Bronner, W.; Hülsmann, A.; Raynor, B.
Konferenzbeitrag
199640 and 20 Gbit/s monolithic integrated clock recovery using a fully-balanced narrowband regenerative frequency divider with 0.2 mu m AlGaAs/GaAs HEMTs
Wang, Z.-G.; Berroth, M.; Thiede, A.; Rieger-Motzer, M.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J.
Zeitschriftenaufsatz
1996Circuit techniques for 10 and 20 Gb/s clock recovery using a fully balanced narrowband regenerative frequency divider with 0.3 mu m HEMTs
Wang, Z.-G.; Berroth, M.; Thiede, A.; Rieger-Motzer, M.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J.; Briggmann, D.
Konferenzbeitrag
1996Low power data decision IC for 20-40 Gbit/s data links using 0.2 mu m AlGaAs/GaAs HEMTs
Wang, Z.-G.; Berroth, M.; Thiede, A.; Rieger-Motzer, M.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J.
Zeitschriftenaufsatz
1996Monolithic 10 channel 10 Gbit/s amplifier array using 0.3 mu m AlGaAs/GaAs-HEMTs
Lao, Z.; Berroth, M.; Hurm, V.; Ludwig, M.; Bronner, W.; Schneider, J.
Zeitschriftenaufsatz
1996A monolithic 24.9 GHz limiting amplifier using 0.2 mu m-AlGaAs/GaAs-HEMTs
Lao, Z.; Berroth, M.; Hurm, V.; Rieger-Motzer, M.; Thiede, A.; Bronner, W.; Hülsmann, A.; Raynor, B.
Konferenzbeitrag
1996Phasenschieber
Wang, Z.; Berroth, M.
Patent
19951.3 mym monolithic integrated optoelectronic receiver using an InGaAs MSM photodiode and AlGaAs/GaAs HEMTs grown on GaAs
Hurm, V.; Benz, W.; Berroth, M.; Fink, T.; Fritzsche, D.; Haupt, M.; Hofmann, P.; Köhler, K.; Ludwig, M.; Mause, K.; Raynor, B.; Rosenzweig, J.
Zeitschriftenaufsatz
199510 Gbit/s monolithic optoelectronic integrated receiver with clock recovery, data decision and 1:4 demultipexer
Wang, Z.-G.; Hurm, V.; Lang, M.; Berroth, M.; Ludwig, M.; Fink, T.; Köhler, K.; Raynor, B.
Konferenzbeitrag
199517 GHz broadband amplifier with 25 dB gain using a 0.3 mym AlGaAs/GaAs/AlGaAs HEMT technology
Lang, M.; Berroth, M.; Rieger-Motzer, M.; Hülsmann, A.; Hoffmann, P.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Raynor, B.; Wang, Z.-G.
Zeitschriftenaufsatz
199517 GHz-bandwidth 17dB-gain 0.3 micrometer-HEMT low power limiting amplifier
Wang, Z.-G.; Berroth, M.; Hurm, V.; Lang, M.; Nowotny, U.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J.
Konferenzbeitrag
199530 GHz static frequency divider using a 0.2 mym AlGaAs/GaAs/AlGaAs HEMT technology
Lang, M.; Berroth, M.; Rieger-Motzer, M.; Hülsmann, A.; Hoffmann, P.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Raynor, B.
Zeitschriftenaufsatz
1995Monolithic integrated optoelectronic circuits
Berroth, M.; Bronner, W.; Fink, T.; Hornung, J.; Hurm, V.; Jakobus, T.; Köhler, K.; Lang, M.; Nowotny, U.; Wang, Z.-G.
Konferenzbeitrag
1995Monolithic integrated optoelectronic circuits for optical links
Berroth, M.; Bronner, W.; Fink, T.; Hornung, J.; Hurm, V.; Jakobus, T.; Köhler, K.; Lang, M.; Nowotny, U.; Wang, Z.-G.
Konferenzbeitrag
1995Single-chip 4 bit 35 GHz phase-shifting receiver with a Gb/s digital interface circuitry
Wang, Z.-G.; Berroth, M.; Thiede, A.; Schlechtweg, M.; Sedler, M.; Seibel, J.; Rieger-Motzer, M.; Raynor, B.; Bronner, W.; Fink, T.; Huder, B.; Rittmayer, R.; Schroth, J.
Konferenzbeitrag
19941.3 mym monolithic integrated optoelectronic receiver using InGaAs MSM photodiode and AlGaAs/GaAs HEMTs grown on GaAs
Hurm, V.; Benz, W.; Berroth, M.; Fink, T.; Fritzsche, D.; Haupt, M.; Hofmann, P.; Köhler, K.; Ludwig, M.; Mause, K.; Raynor, B.; Rosenzweig, J.
Konferenzbeitrag
199419 GHz monolithic integrated clock recovery using PLL and 0.3 mym gate-length quantum-well HEMTs.
Wang, Z.-G.; Berroth, M.; Seibel, J.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J.
Konferenzbeitrag
199420 Gb/s monolithic integrated clock recovery and data decision
Wang, Z.-G.; Berroth, M.; Hurm, V.; Lang, M.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J.
Konferenzbeitrag
19947.5 Gb/s monolithically integrated clock recovery circuit using PLL and 0.3 micro-meter gate length well HEMTs
Wang, Z.-G.; Berroth, M.; Nowotny, U.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J.
Zeitschriftenaufsatz
1994Analog, digital and mixed-signal integrated circuits for high speed applications
Berroth, M.
Konferenzbeitrag
199314 GHz bandwidth MSM photodiode AlGaAs/GaAs HEMT monolithic integrated optoelectronic receiver.
Hurm, V.; Ludwig, M.; Rosenzweig, J.; Benz, W.; Berroth, M.; Bosch, R.; Bronner, W.; Hülsmann, A.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J.
Zeitschriftenaufsatz
1993An 18-34 GHz dynamic frequency divider based on 0.2 mym AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum-well transistors
Thiede, A.; Berroth, M.; Nowotny, U.; Seibel, J.; Bosch, R.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J.
Konferenzbeitrag
1993An 18-34 GHz dynamic frequency divider based on 0.2 mym AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum-well transistors
Thiede, A.; Berroth, M.; Nowotny, U.; Seibel, J.; Bosch, R.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J.
Konferenzbeitrag
199328-51 GHz dynamic frequency divider based on 0.15 mym T-gate Al0.2Ga0.8As/In0.25Ga0.75As MODFETs.
Thiede, A.; Tasker, P.J.; Hülsmann, A.; Köhler, K.; Bronner, W.; Schlechtweg, M.; Berroth, M.; Braunstein, J.; Nowotny, U.
Zeitschriftenaufsatz
19937.5 Gb/s monolithically integrated clock recovery using PLL and 0.3 mym gate length quantum well HEMTs
Wang, Z.-G.; Berroth, M.; Nowotny, U.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J.
Konferenzbeitrag
1993Digital dynamic frequency dividers for broad band application up to 60 GHz.
Thiede, A.; Berroth, M.; Tasker, P.J.; Schlechtweg, M.; Seibel, J.; Raynor, B.; Hülsmann, A.; Köhler, K.; Bronner, W.
Konferenzbeitrag
1993Integrated laser-diode voltage driver for 20-Gb/s optical systems using 0.3-mym gate length quantum-well HEMT's.
Wang, Z.-G.; Berroth, M.; Nowotny, U.; Ludwig, M.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J.
Zeitschriftenaufsatz
1993Stability of an AlGaAs/GaAs/AlGaAsE/D-HEMT process with double pulse doping
Jakobus, T.; Bronner, W.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Landsberg, B.; Raynor, B.; Schneider, J.; Grün, N.; Windscheif, J.; Berroth, M.; Hornung, J.
Konferenzbeitrag
199210-20 Gbit/s GaAs/AlGaAs HEMT ICs for high speed data links
Hurm, V.; Lang, M.; Ludwig, G.; Hülsmann, A.; Schneider, J.; Berroth, M.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Nowotny, U.; Raynor, B.; Wang, Z.-G.; Wennekers, P.
Konferenzbeitrag
199215 Gbit/s integrated laser diode driver using 0,3 mym gate length quantum well transistors.
Nowotny, U.; Gotzeina, W.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Raynor, B.; Schneider, J.; Berroth, M.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Wang, Z.-G.
Zeitschriftenaufsatz
199216 x 16 bit parallel multiplier based on 6K gate array with 0.3 mym AlGaAs/GaAs quantum well transistors
Thiede, A.; Berroth, M.; Hurm, V.; Nowotny, U.; Seibel, J.; Gotzeina, W.; Sedler, M.; Raynor, B.; Köhler, K.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Schneider, J.
Zeitschriftenaufsatz
199218 Gbit/s monolithically integrated 2 to 1 multiplexer and laser driving using 0.3 mym gate length quantum well hemt's.
Nowotny, U.; Bronner, W.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Raynor, B.; Schneider, J.; Berroth, M.; Köhler, K.; Wang, Z.-G.
Zeitschriftenaufsatz
1992Indirect optically controlled pseudomorphic HEMT based MMIC oscillator
Bangert, A.; Benz, W.; Hülsmann, A.; Hurm, V.; Schneider, J.; Berroth, M.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Rosenzweig, J.
Konferenzbeitrag
1992A monolithic HEMT-amplifier with feedback in coplanar waveguide technology
Bischof, W.; Ehrlinger, W.; Reinert, W.; Berroth, M.
Konferenzbeitrag
1992Mushroom shaped gates in a dry etched recessed gate process
Kaufel, G.; Hülsmann, A.; Raynor, B.; Hofmann, P.; Schneider, J.; Hornung, J.; Jakobus, T.; Berroth, M.; Köhler, K.
Konferenzbeitrag
199110 Gbit/s monolithic integrated MSM-photodiode AlGaAs/GaAs-HEMT optoelectronic receiver.
Hurm, V.; Ludwig, M.; Benz, W.; Osorio, R.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Schneider, J.; Berroth, M.; Köhler, K.; Rosenzweig, J.
Konferenzbeitrag
199110 Gbit/s monolithic integrated optoelectronic receiver using an MSM photodiode and AlGaAs/GaAs HEMTs.
Hurm, V.; Rosenzweig, J.; Ludwig, M.; Axmann, A.; Berroth, M.; Benz, W.; Osorio, R.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J.
Konferenzbeitrag
199111,6 Gbps 1 to 4 demultiplexer using double pulse doped Quantum Well GaAs/AlGaAs transistors.
Lang, M.; Nowotny, U.; Berroth, M.
Zeitschriftenaufsatz
1991A 2.5 ns 8x8-b parallel multiplier using 0.5 mym GaAs/GaAlAs heterostructure field effect transistors
Hurm, V.; Nowotny, U.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Schneider, J.; Berroth, M.; Köhler, K.
Zeitschriftenaufsatz
199120 Gbit/s 2 to 1 multiplexer using 0.3 mym gate length double pulse doped Quantum Well GaAs/AlGaAs transistors.
Nowotny, U.; Lang, M.; Hurm, V.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Schneider, J.; Berroth, M.; Köhler, K.
Zeitschriftenaufsatz
19918.2 GHz bandwidth monolithic integrated optoelectronic receiver using MSM photodiode and 0.5 mym recessed-gate AlGaAs/GaAs HEMTs.
Hurm, V.; Rosenzweig, J.; Ludwig, M.; Benz, W.; Huelsmann, A.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Schneider, J.; Berroth, M.; Köhler, K.
Zeitschriftenaufsatz
1991High-frequency equivalent circuit of GaAs FET's for large-signal applications.
Berroth, M.; Bosch, R.
Zeitschriftenaufsatz
1991Schaltkreissimulator für Heterostrukturfeldeffekttransistoren
Berroth, M.
Dissertation
1990Broad-band determination of the FET small-signal equivalent circuit.
Berroth, M.; Bosch, R.
Zeitschriftenaufsatz
1990Extreme low power 1 to 4 demultiplexer using double delta doped Quantum Well GaAs/AlGaAs transistors.
Nowotny, U.; Hurm, V.; Lang, M.; Kaufel, U.; Hülsmann, A.; Scheider, J.; Jakobus, T.; Bachem, K.H.; Berroth, M.; Hoffmann, C.; Köhler, K.
Konferenzbeitrag
1990High frequency equivalent circuit of GaAs depletion and enhancement FETs for large signal modelling.
Berroth, M.; Bosch, R.
Aufsatz in Buch
1990Modelling and realization of a monolithic 27 GHz HEMT amplifier in coplanar waveguide technology
Bischof, W.; Ehrlinger, W.; Reinert, W.; Berroth, M.
Konferenzbeitrag
1989Frequency dependent CV measurements of GaAs/AlGaAs heterostructures
Hurm, V.; Berroth, M.; Bosch, R.
Konferenzbeitrag
1988Experimental studies of hot electron effects in GaAs MESFET's.
Berroth, M.; Haydl, W.H.; Shur, M.
Konferenzbeitrag
1988Hot electron model for GaAs metal semiconductor field effects transistors.
Shur, M.; Berroth, M.; Haydl, W.H.
Konferenzbeitrag