Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2007Laser annealing of power devices
Friedrich, D.; Bernt, H.; Hanssen, H.; Oesterlin, P.; Schmidt, H.
Konferenzbeitrag
2007Verfahren zur Herstellung von dotierten Halbleiterbauelementen, insbesondere fuer die Solartechnik
Windbracke, W.; Bernt, H.; Neumann, G.; Futscher, H.
Patent
2005Innovative power control in high demand
Friedrich, D.; Bernt, H.; Hanssen, H.; Kohlmann, K.; Schliwinski, J.
Zeitschriftenaufsatz
2004Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
Kohlmann-von Platen, K.; Bernt, H.; Friedrich, D.
Patent
2003A novel micromachining technology for structuring borosilicate glass substrates
Merz, P.; Quenzer, H.J.; Bernt, H.; Wagner, B.; Zoberbier, M.
Konferenzbeitrag
2000Multiplexing of microelectrode arrays in voltammetric measurements
Hintsche, R.; Albers, J.; Bernt, H.; Eder, A.
Zeitschriftenaufsatz
1999Monolithic integration of III-V microcavity LEDs on silicon drivers using conformal epitaxy
Gerard, B.; Marcadet, X.; Etienne, P.; Pribat, D.; Friedrich, D.; Eichholz, J.; Bernt, H.; Carlin, J.-F.; Ilegems, M.
Konferenzbeitrag
1994Growth rate and characterization of silicon oxide films grown in N2O atmosphere in a rapid thermal processor
Lange, P.; Bernt, H.; Hartmannsgruber, E.; Naumann, F.
Zeitschriftenaufsatz
1992Complete X-ray lithography processing of an 8-level 0.4 micron CMOS test device
Staudt-Fischbach, P.; Windbracke, W.; Bernt, H.; Zwicker, G.; Friedrich, D.; Hemicker, P.; Lange, P.; Schliwinski, H.-J.; Huber, H.-L.; Scheunemann, U.; Simon, K.
Konferenzbeitrag
1992In situ temperature and distortion measurements of x-ray masks during SR-lithography
Trube, J.; Bernt, H.; Engler, K.; Huber, H.-L.
Konferenzbeitrag
1991A 0.4 mym CMOS test circuit completely processed with 8-level X-ray lithography
Friedrich, D.; Windbracke, W.; Bernt, H.; Zwicker, G.; Staudt-Fischbach, P.; Hermicker, P.; Lange, P.; Pelka, M.; Schliwinski, H.-J.
Konferenzbeitrag
1991Electrical and structural properties of ultrathin SiO2 gate dielectrics prepared under various conditions
Lange, P.; Schmidt, L.; Pelka, M.; Hemicker, P.; Bernt, H.; Windbracke, W.
Konferenzbeitrag
1990Comparison between surface channel PMOS transistors processed with optical and X-ray lithography with regard to X-ray damage
Naumann, F.; Bernt, H.; Friedrich, D.; Kaatz, A.; Windbracke, W.
Konferenzbeitrag
1989Fabrication of 0.5 mym MOS test devices by application of X-ray lithography at all levels
Friedrich, D.; Bernt, H.; Windbracke, W.; Zwicker, G.; Huber, H.-L.
Konferenzbeitrag
1989Fabrication of 0.5 myn- and p-type metal-oxide-semiconductor test devices using x-ray lithography
Zwicker, G.; Windbracke, W.; Bernt, H.; Friedrich, D.; Huber, H.-L.; Krullmann, E.; Pelka, M.; Lange, P.; Hermicker, P.; Staudt-Fischbach, P.
Zeitschriftenaufsatz
1982Ion beam exposure of resists.
Ryssel, H.; Prinke, G.; Bernt, H.; Haberger, K.; Hoffmann, K.
Zeitschriftenaufsatz
1978Vorrichtung zur Messung des Braeunungsgrades von Toastbrot
Eder, A.; Bernt, H.; Heuberger, A.
Patent