Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2019Epitaxial growth optimization of AlGaN/GaN high electron mobility transistor structures on 3C-SiC/Si
Leone, Stefano; Benkhelifa, Fouad; Kirste, Lutz; Manz, Christian; Quay, Rüdiger; Ambacher, Oliver
Zeitschriftenaufsatz
2018Suppression of iron memory effect in GaN epitaxial layers
Leone, Stefano; Benkhelifa, Fouad; Kirste, Lutz; Manz, Christian; Müller, Stefan; Quay, Rüdiger; Stadelmann, Tim
Zeitschriftenaufsatz
2018Transfer of AlGaN/GaN RF-devices onto diamond substrates via van der Waals bonding
Gerrer, Thomas; Cimalla, Volker; Waltereit, Patrick; Müller, Stefan; Benkhelifa, Fouad; Maier, Thomas; Czap, Heiko; Ambacher, Oliver; Quay, Rüdiger
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2017Transfer of AlGaN/GaN RF-devices onto diamond substrates via van der Waals bonding
Gerrer, Thomas; Cimalla, Volker; Waltereit, Patrick; Müller, Stefan; Benkhelifa, Fouad; Maier, Thomas; Czap, Heiko; Nebel, Christoph E.; Quay, Rüdiger
Konferenzbeitrag
2015Charge balancing in GaN-based 2-D electron gas devices employing an additional 2-D hole gas and its influence on dynamic behaviour of GaN-based heterostructure field effect transistors
Hahn, H.; Reuters, B.; Geipel, S.; Schauerte, M.; Benkhelifa, F.; Ambacher, O.; Kalisch, H.; Vescan, A.
Zeitschriftenaufsatz
2015Normally-off AlGaN/GaN/AlGaN double heterostructure FETs with a thick undoped GaN gate layer
Benkhelifa, F.; Müller, S.; Polyakov, V.M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2015Threshold voltage engineering in GaN-based HFETs: A systematic study with the threshold voltage reaching more than 2 V
Hahn, H.; Benkhelifa, Fouad; Ambacher, O.; Brunner, F.; Noculak, A.; Kalisch, H.; Vescan, A.
Zeitschriftenaufsatz
2015Vertical buffer leakage and temperature effects on the breakdown performance of GaN/AlGaN HEMTs on Si substrate
Benkhelifa, F.; Müller, S.; Polyakov, V.M.; Breuer, S.; Czap, H.; Manz, C.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2015With electroluminescence microcopy towards more reliable AlGaN/GaN transistors
Baeumler, M.; Dammann, M.; Wespel, M.; George, R.; Konstanzer, H.; Maroldt, S.; Polyakov, V.M.; Müller, S.; Bronner, W.; Brueckner, P.; Benkhelifa, F.; Waltereit, P.; Quay, R.; Mikulla, M.; Wagner, J.; Ambacher, O.; Graff, A.; Altmann, F.; Simon-Najasek, M.; Lorenzini, M.; Fagerlind, M.; Wel, P. van der; Roedle, T.
Konferenzbeitrag
2014Characterization of AlGaN/GaN-on-Si HFETs in high-power converter applications
Weiss, B.; Reiner, R.; Quay, R.; Waltereit, P.; Müller, S.; Benkhelifa, F.; Mikulla, M.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014Densification of thin aluminum oxide films by thermal treatments
Cimalla, V.; Baeumler, M.; Kirste, L.; Prescher, M.; Christian, B.; Passow, T.; Benkhelifa, F.; Bernhardt, F.; Eichapfel, G.; Himmerlich, M.; Krischok, S.; Pezoldt, J.
Zeitschriftenaufsatz
2014Electroluminescence investigation of the lateral field distribution in AlGaN/GaN HEMTs for power applications
Baeumler, M.; Polyakov, V.M.; Gütle, F.; Dammann, M.; Benkhelifa, F.; Waltereit, P.; Reiner, R.; Müller, S.; Wespel, M.; Quay, R.; Mikulla, M.; Wagner, J.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2014Novel layout and packaging for lateral, low-resistance GaN-on-Si power transistors
Reiner, R.; Waltereit, P.; Benkhelifa, F.; Walcher, H.; Quay, R.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2013Application of GaN FET in 1MHz large signal bandwidth power supply for radio frequency power amplifier
Cucak, D.; Vasic, M.; Garcia, O.; Oliver, J.; Alou, P.; Cobos, J.A.; Tadjer, M.; Calle, F.; Benkhelifa, F.; Reiner, R.; Waltereit, P.; Müller, S.
Konferenzbeitrag
2013Benchmarking of large-area GaN-on-Si HFET power devices for highly-efficient, fast-switching converter applications
Reiner, R.; Waltereit, P.; Benkhelifa, F.; Müller, S.; Wespel, M.; Quay, R.; Schlechtweg, M.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2013GaN-on-Si enhancement mode metal insulator semiconductor heterostructure field effect transistor with on-current of 1.35A/mm
Hahn, H.; Benkhelifa, F.; Ambacher, O.; Alam, A.; Heuken, M.; Yacoub, H.; Noculak, A.; Kalisch, H.; Vescan, A.
Zeitschriftenaufsatz
2013Mechanical and electrical properties of plasma and thermal atomic layer deposited Al2O3 films on GaAs and Si
Sah, R.E.; Driad, R.; Bernhardt, F.; Kirste, L.; Leancu, C.-C.; Czap, H.; Benkhelifa, F.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2012AlGaN/GaN power amplifiers for ISM applications
Krausse, D.; Benkhelifa, F.; Reiner, R.; Quay, R.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2012First polarization-engineered compressively strained AlInGaN barrier enhancement-mode MISHFET
Hahn, H.; Reuters, B.; Wille, A.; Ketteniss, N.; Benkhelifa, F.; Ambacher, O.; Kalisch, H.; Vescan, A.
Zeitschriftenaufsatz
2012Fractal structures for low-resistance large area AlGaN/GaN power transistors
Reiner, R.; Waltereit, P.; Benkhelifa, F.; Müller, S.; Walcher, H.; Wagner, S.; Quay, R.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2012Novel III-N devices: Progess on GaN-based DC-DC converters for space
Quay, R.; Waltereit, P.; Benkhelifa, F.; Reiner, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2012Radiative inter-valley transitions as a dominant emission mechanism in AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Gütle, F.; Polyakov, V.M.; Baeumler, M.; Benkhelifa, F.; Müller, S.; Dammann, M.; Cäsar, M.; Quay, R.; Mikulla, M.; Wagner, J.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2012Reverse bias stress test of GaN HEMTs for high-voltage switching applications
Dammann, M.; Czap, H.; Rüster, J.; Baeumler, M.; Gütle, F.; Waltereit, P.; Benkhelifa, F.; Reiner, R.; Cäsar, M.; Konstanzer, H.; Müller, S.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2012Strain control of AlGaN/GaN high electron mobility transistor structures on silicon (111) by plasma assisted molecular beam epitaxy
Aidam, R.; Diwo, E.; Rollbühler, N.; Kirste, L.; Benkhelifa, F.
Zeitschriftenaufsatz
2012Valence band offsets at oxide/InN interfaces determined by X-ray photoelectron spectroscopy
Eisenhardt, A.; Eichapfel, G.; Himmerlich, M.; Knübel, A.; Passow, T.; Wang, C.Y.; Benkhelifa, F.; Aidam, R.; Krischok, S.
Zeitschriftenaufsatz
2011AlGaN/GaN power amplifiers for ISM frequency applications
Krausse, D.; Benkhelifa, F.; Reiner, R.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2011Atomic layer deposition of aluminum oxide for surface passivation of InGaAs/InP heterojunction bipolar transistors
Driad, R.; Benkhelifa, F.; Kirste, L.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2011Investigation of NiCr thin film resistors for InP-based monolithic microwave integrated circuits (MMICs)
Driad, R.; Krieg, M.; Geldmacher, N.; Rüster, J.; Benkhelifa, F.
Zeitschriftenaufsatz
2011Simulation and analysis of low-resistance AlGaN/GaN HFET power switches
Reiner, R.; Benkhelifa, F.; Krausse, D.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2011Surface passivation of InGaAs/InP HBTs using atomic layer deposited Al(2)O(3)
Driad, R.; Benkhelifa, F.; Kirste, L.; Lösch, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2010AlGaN/GaN HEMTs for high voltage applications
Benkhelifa, F.; Krausse, D.; Müller, S.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2010Crystallographic orientation effects on the performance of InP-based heterojunction bipolar transistors
Driad, R.; Lösch, R.; Benkhelifa, F.; Kuri, M.; Rosenzweig, J.
Zeitschriftenaufsatz
2009High performance compound semiconductor devices and integrated circuits for advanced communication, sensor, and imaging applications
Schlechtweg, M.; Makon, R.E.; Hurm, V.; Driad, R.; Tessmann, A.; Kallfass, I.; Leuther, A.; Seelmann-Eggebert, M.; Massler, H.; Kuri, M.; Benkhelifa, F.; Lösch, R.; Rosenzweig, J.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2009High-performance MMICs and high-speed mixed-signal ICs based on III/V HEMT and HBT technology for sensors and communication
Schlechtweg, M.; Tessmann, A.; Kallfass, I.; Leuther, A.; Weber, R.; Chartier, S.; Driad, R.; Makon, R.E.; Hurm, V.; Massler, H.; Benkhelifa, F.; Lösch, R.; Rosenzweig, J.; Ambacher, O.; Kuri, M.
Konferenzbeitrag
2009InP DHBT-based modulator driver module for 100 Gbit/s Ethernet applications
Hurm, V.; Makon, R.E.; Driad, R.; Benkhelifa, F.; Lösch, R.; Massler, H.; Riessle, M.; Rosenzweig, J.; Schlechtweg, M.; Tessmann, A.; Walcher, H.
Zeitschriftenaufsatz
2009InP-based DHBT technology for high-speed mixed signal and digital applications
Driad, R.; Makon, R.E.; Hurm, V.; Benkhelifa, F.; Lösch, R.; Rosenzweig, J.; Schlechtweg, M.
Konferenzbeitrag
2009MMICs and mixed-signal ICs based on III/V technology for highest frequencies and data rates
Schlechtweg, M.; Tessmann, A.; Kallfass, I.; Leuther, A.; Weber, R.; Chartier, S.; Driad, R.; Makon, R.E.; Hurm, V.; Seelmann-Eggebert, M.; Massler, H.; Kuri, M.; Riessle, M.; Zink, M.; Benkhelifa, F.; Lösch, R.; Rosenzweig, J.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2008InP DHBT technology for 100 Gbit/s applications
Driad, R.; Makon, R.E.; Benkhelifa, F.; Lösch, R.
Konferenzbeitrag
2008InP DHBT-based distributed amplifier for 100 Gbit/s modulator driver operation
Hurm, V.; Benkhelifa, F.; Driad, R.; Lösch, R.; Makon, R.E.; Massler, H.; Rosenzweig, J.; Schlechtweg, M.; Walcher, H.
Zeitschriftenaufsatz
2008InP DHBT-based ICs for 100 Gbit/s data transmission
Driad, R.; Makon, R.E.; Hurm, V.; Schneider, K.; Benkhelifa, F.; Lösch, R.; Rosenzweig, J.
Konferenzbeitrag
2007Recessed gate processing for GaN/AlGaN-HEMTs
Pletschen, W.; Kiefer, R.; Raynor, B.; Müller, S.; Benkhelifa, F.; Quay, R.; Mikulla, M.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2005A coplanar X-band AlGaN/GaN power amplifier MMIC on s.i. SiC substrate
Raay, F. van; Quay, R.; Kiefer, R.; Benkhelifa, F.; Raynor, B.; Pletschen, W.; Kuri, M.; Massler, H.; Müller, S.; Dammann, M.; Mikulla, M.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2005High-density ECR-plasma deposited silicon nitride films for applications in III/V-based compound semiconductor devices
Sah, R.E.; Mikulla, M.; Baumann, H.; Benkhelifa, F.; Quay, R.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2005A microstrip X-band AlGaN/GaN power amplifier MMIC on s.i. SiC substrate
Raay, F. van; Quay, R.; Kiefer, R.; Fehrenbach, W.; Bronner, W.; Kuri, M.; Benkhelifa, F.; Massler, H.; Müller, S.; Mikulla, M.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2005Passivation of III-V-based compound semiconductor devices using high-density plasma deposited silicon nitride films
Sah, R.E.; Mikulla, M.; Schneider, H.; Benkhelifa, F.; Dammann, M.; Quay, R.; Fleißner, J.; Walther, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2005Performance and fabrication of GaN/AlGaN power MMIC at 10 GHz
Benkhelifa, F.; Kiefer, R.; Müller, S.; Raay, F. van; Quay, R.; Sah, R.E.; Dammann, M.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2003Reliability and degradation mechanism of AlGaAs/InGaAs and InAlAs/InGaAs HEMTs
Dammann, M.; Leuther, A.; Benkhelifa, F.; Feltgen, T.; Jantz, W.
Zeitschriftenaufsatz
2002Potential of metamorphic HEMT with 0.25µm refractory metal gate for power application in Ka-Band
Benkhelifa, F.; Quay, R.; Lösch, R.; Schäuble, K.; Dammann, M.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2002Reliability of metamorphic HEMTs for power applications
Dammann, M.; Benkhelifa, F.; Meng, M.; Jantz, W.
Zeitschriftenaufsatz
2001High performance metamorphic HEMT with 0.25 µm refractory metal gate on 4´´ GaAs substrate
Benkhelifa, F.; Chertouk, M.; Dammann, M.; Massler, H.; Walther, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2000Metamorphic Devices
Hülsmann, A.; Benkhelifa, F.; Bronner, W.; Chertouk, M.; Hurm, V.; Köhler, K.; Leuther, A.; Walther, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2000Metamorphic HEMT 0.5 mum low cost high performance process on 4'' GaAs substrates
Benkhelifa, F.; Chertouk, M.; Walther, M.; Lösch, R.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag