Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
1999Composition dependence of the band gap energy of In(x)Ga(1-x)N layers on GaN(x < = 0.15) grown by metal-organic chemical vapor deposition
Wagner, J.; Ramakrishnan, A.; Behr, D.; Maier, M.; Herres, N.; Kunzer, M.; Obloh, H.; Bachem, K.H.
Konferenzbeitrag
1999Group III-nitride based blue emitters
Obloh, H.; Bachem, K.H.; Behr, D.; Kaufmann, U.; Kunzer, M.; Ramakrishnan, A.; Schlotter, P.; Seelmann-Eggebert, M.; Wagner, J.
Aufsatz in Buch
1999Resonant raman scattering as a selective probe for compositional inhomogeneity in low In content (InGa)N
Behr, D.; Wagner, J.; Ramakrishnan, A.; Obloh, H.; Kunzer, M.; Maier, M.; Bachem, K.H.
Konferenzbeitrag
1998Evidence for compositional inhomogeneity in low In content (InGa)N obtained by resonant Raman scattering
Behr, D.; Wagner, J.; Ramakrishnan, A.; Obloh, H.; Bachem, K.H.
Zeitschriftenaufsatz
1998Integrationsprozesse bei Unternehmensfusionen. Chancen erkennen und Potentiale nutzen
Behr, D.; Ruckaberle, R.
Konferenzbeitrag
1998Optische Spektroskopie an Halbleitern mit großem Bandabstand
Behr, D.
Dissertation
1998Spectroscopic ellipsometry characterization of (InGa)N on GaN
Wagner, J.; Ramakrishnan, A.; Behr, D.; Obloh, H.; Kunzer, M.; Bachem, K.H.
Zeitschriftenaufsatz
1997Electron field emission from thin fine-grained CVD diamond films
Lacher, F.; Wild, C.; Behr, D.; Koidl, P.
Zeitschriftenaufsatz
1997Epitaxial overgrowth of 13C diamond films on diamond substrates predamaged by ion implantation
Behr, D.; Locher, R.; Wagner, J.; Koidl, P.; Richter, V.; Kalish, R.
Zeitschriftenaufsatz
1997Resonant Raman scattering in GaN/(AlGa)N single quantum wells
Behr, D.; Niebuhr, R.; Wagner, J.; Bachem, K.H.; Kaufmann, U.
Zeitschriftenaufsatz
1997Resonant Raman scattering in GaN/Al(0.15)Ga(0.85)N and In(y)Ga(1-y)N/GaN/Al(x)Ga(1-x) heterostructures
Behr, D.; Niebuhr, R.; Obloh, H.; Wagner, J.; Bachem, K.H.; Kaufmann, U.
Konferenzbeitrag
1997Structural and optical properties of AlGaN/GaN quantum well structures grown by MOCVD on sapphire
Niebuhr, R.; Bachem, K.H.; Behr, D.; Hoffmann, C.; Kaufmann, U.; Lu, Y.; Santic, B.; Wagner, J.; Arlery, M.; Rouviere, J.L.; Jürgensen, H.
Konferenzbeitrag
1996Resonant multi-LO-phonon Raman scattering in hexagonal GaN
Behr, D.; Wagner, J.; Niebuhr, R.; Merz, C.; Bachem, K.H.; Amano, H.; Akasaki, I.
Konferenzbeitrag
1996Resonant raman scattering in hexagonal GaN
Behr, D.; Wagner, J.; Schneider, J.; Amano, H.; Akasaki, I.
Zeitschriftenaufsatz
1995InAs/GaSb superlattices with different interfaces studied by resonant raman scattering ans ellipsometry
Behr, D.; Wagner, J.; Ralston, J.D.; Koidl, P.; Ramsteiner, M.; Schrottke, L.; Jungk, G.
Konferenzbeitrag
1994Interface formation in InAs/AlSb and InAs/AlAs/AlSb quantum wells grown by molecular-beam epitaxy
Wagner, J.; Schmitz, J.; Behr, D.; Ralston, J.D.; Koidl, P.
Zeitschriftenaufsatz
1994Nitrogen stabilized 100 texture in chemical vapor deposited diamond films
Locher, R.; Wild, C.; Herres, N.; Behr, D.; Koidl, P.
Zeitschriftenaufsatz
1994Raman scattering investigation on the ordered incorporation of Si dopant atoms on GaAs-001- vicinal surfaces during MBE growth.
Ramsteiner, M.; Wagner, J.; Jungk, G.; Behr, D.; Däweritz, L.; Hey, R.
Zeitschriftenaufsatz
1994Raman spectroscopic study on the wirelike incorporation of Si dopant atoms on GaAs-001- vicinal surfaces.
Ramsteiner, M.; Wagner, J.; Behr, D.; Jungk, G.; Däweritz, L.; Hey, R.
Zeitschriftenaufsatz
1994Raman- und Mikro-Ramanspektroskopie an CVD-Diamant und Halbleiter-Heterostrukturen
Behr, D.
Diplomarbeit
1994Resonant Raman scattering and spectral ellipsometry on InAs/GaSb superlattices with different interfaces
Behr, D.; Wagner, J.; Schmitz, J.; Herres, N.; Ralston, J.D.; Koidl, P.; Ramsteiner, M.; Schrottke, L.; Jungk, G.
Zeitschriftenaufsatz
1993Homoepitaxial 13C diamond films studied by micro-Raman and photoluminescence spectroscopy
Behr, D.; Wagner, J.; Wild, C.; Koidl, P.
Zeitschriftenaufsatz
1993Optical emission from the one-dimensional electron gas in narrow modulation-doped GaAs/'InGa'As/'AlGa'As quantum wires fabricated by lateral top barrier modulation
Wagner, J.; Behr, D.; Richards, D.; Bickl, T.; Forchel, A.; Emmerling, M.; Köhler, K.
Zeitschriftenaufsatz
1993Raman spectroscopic study of interfaces in InAs/AlSb and InAs/AlAs/AlSb quantum wells grown by molecular beam epitaxy
Wagner, J.; Schmitz, J.; Behr, D.; Ralston, J.D.; Koidl, P.
Zeitschriftenaufsatz