Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
1997Transforming growth factor-beta1 induces activation of Ras, Raf-1, MEK and MAPK in rat hepatic stellate cells
Reimann, T.; Hempel, U.; Krautwald, S.; Axmann, A.; Scheibe, R.; Seidel, D.; Wenzel, K.-W.
Zeitschriftenaufsatz
1992Electro-optic and photoconductive sampling of ultrafast photodiodes with femtosecond laser pulses.
Kuhl, J.; Klingenstein, M.; Lambsdorff, M.; Axmann, A.; Moglestue, C.; Rosenzweig, J.
Aufsatz in Buch
1992Laser beam testing - fast switches for generation of picosecond electrical pulses.
Kuhl, J.; Klingenstein, M.; Lambsdorff, M.; Axmann, A.; Moglestue, C.; Rosenzweig, J.
Zeitschriftenaufsatz
1992Picosecond electron and hole transport in metal-semiconductor-metal photodetectors.
Kuhl, J.; Klingenstein, M.; Axmann, A.; Moglestue, C.; Rosenzweig, J.
Zeitschriftenaufsatz
199110 Gbit/s monolithic integrated optoelectronic receiver using an MSM photodiode and AlGaAs/GaAs HEMTs.
Hurm, V.; Rosenzweig, J.; Ludwig, M.; Axmann, A.; Berroth, M.; Benz, W.; Osorio, R.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J.
Konferenzbeitrag
1991Characterization of picosecond GaAs metal-semiconductor-metal photodetectors.
Axmann, A.; Schneider, J.; Hülsmann, A.; Lambsdorff, M.; Kuhl, J.; Klingenstein, M.; Leier, H.; Forchel, A.; Moglestue, C.; Rosenzweig, J.
Konferenzbeitrag
1991Limitations of the impulse response of GaAs metal-semiconductor metal photodetectors.
Kuhl, J.; Klingenstein, M.; Lambsdorff, M.; Moglestue, C.; Axmann, A.; Schneider, J.; Hülsmann, A.; Rosenzweig, J.
Konferenzbeitrag
1991Picosecond pulse response characteristics of GaAs metal-semiconductor-metal photodetectors.
Moglestue, C.; Kuhl, J.; Klingenstein, M.; Lambsdorff, M.; Axmann, A.; Schneider, J.; Hülsmann, A.; Rosenzweig, J.
Zeitschriftenaufsatz
1991Subpicosecond carrier lifetimes in radiation-damaged GaAs.
Lambsdorff, M.; Kuhl, J.; Axmann, A.; Schneider, J.; Rosenzweig, J.
Zeitschriftenaufsatz
1991Subpicosecond characterization of carrier transport in GaAs-metal-semiconductor-metal photodiodes
Lambsdorff, M.; Klingenstein, M.; Kuhl, J.; Moglestue, C.; Rosenzweig, J.; Axmann, A.; Schneider, J.; Hülsmann, A.; Leier, H.; Forchel, A.
Zeitschriftenaufsatz
1991Transit time limited response of GaAs metal-semiconductor-metal photodiodes.
Klingenstein, M.; Kuhl, J.; Axmann, A.; Moglestue, C.; Rosenzweig, J.
Zeitschriftenaufsatz
1990Direct observation of the electron and hole contributions in the impulse response of a metal-semiconductor-metal Schottky diode.
Lambsdorff, M.; Kuhl, J.; Klingenstein, M.; Moglestue, C.; Axmann, A.; Schneider, J.; Leier, H.; Forchel, A.; Rosenzweig, J.
Konferenzbeitrag
1990Monte Carlo particle calculation and direct observation of the electron and hole contribution to the response of a GaAs-metal semiconductor-metal-Schottky diode to a short light pulse
Moglestue, C.; Axmann, A.; Schneider, J.; Lambsdorff, M.; Kuhl, J.; Klingenstein, M.; Leier, H.; Forchel, A.; Rosenzweig, J.
Konferenzbeitrag
1986Photoluminescence of neodymium-implanted gallium phosphide and gallium arsenide
Mueller, H.D.; Schneider, J.; Axmann, A.; Ennen, H.
Zeitschriftenaufsatz
1986Picosecond optoelectronic switches
Axmann, A.; Serenyi, M.; Kuhl, J.; Habermeier, H.-U.; Palmetshofer, L.; Göbel, E.O.; Pfeiffer, T.
Zeitschriftenaufsatz
19851.54-micro m electroluminescence of erbium-doped silicon grown by molecular beam epitaxy.
Pomrenke, G.; Axmann, A.; Schneider, J.; Eisele, K.M.; Haydl, W.H.; Ennen, H.
Zeitschriftenaufsatz
1985Luminescence of the rare-earth ion ytterbium in InP, GaP, and GaAs
Pomrenke, G.; Axmann, A.; Ennen, H.
Zeitschriftenaufsatz
1985Raman scattering studies in phosphorus implanted and laser annealed boron doped Si
Contreras, G.; Cardona, M.; Axmann, A.
Zeitschriftenaufsatz
1984Germanium extremely heavily doped by Ion-implantation and laser annealing - A photoluminescence study
Axmann, A.; Contreras, G.; Compaan, A.; Cardona, M.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag
1984High speed electron-hole plasma transport in silicon
Axmann, A.; Forchel, A.; Laurich, B.; Traenkle, G.; Hillmer, H.; Mahler, G.; Hoai, T.X.
Aufsatz in Buch
1984Raman scattering in ultra heavily doped Si and Ge - The dependence on free carrier and substitutional dopant densities
Axmann, A.; Compaan, A.; Contreras, G.; Cardona, M.
Konferenzbeitrag
1984Study of the ambipolar carrier expansion in silicon by an optical time-of-flight method
Axmann, A.; Laurich, B.; Forchel, A.; Hillmer, H.; Hoai, T.X.
Aufsatz in Buch
19831.54-micro m luminescence of erbium-implanted III-V semiconductors and silicon.
Schneider, J.; Pomrenke, G.; Axmann, A.; Ennen, H.
Zeitschriftenaufsatz
1983Absorption edge of ultraheavily doped Si
Axmann, A.; Vina, L.; Umbach, C.; Cardona, M.; Compaan, A.
Zeitschriftenaufsatz
1983The E1 - E1 + Delta 1 transitions in bulk grown and in implanted laser annealed heavily doped germanium - lumninescence
Axmann, A.; Contreras, G.; Compaan, A.; Cardona, M.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
1983The electronic structure of heavily doped ion implanted laser annealed silicon - ellipsometric measurements
Axmann, A.; Vina, L.; Umbach, C.; Compaan, A.; Cardona, M.
Zeitschriftenaufsatz
1983Phonon softening in ultra heavily doped Si and Ge.
Cardona, M.; Axmann, A.; Compaan, A.; Contreras, G.
Zeitschriftenaufsatz
1983Photoluminescence in heavily doped Si and Ge
Axmann, A.; Compaan, A.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
1983Raman studies of the P local mode vibration in P implanted, laser annealed Ge.
Axmann, A.; Contreras, G.; Compaan, A.
Zeitschriftenaufsatz
1983Rare earth activated luminescence in InP, GaP and GaAs.
Pomrenke, G.; Schneider, J.; Axmann, A.; Kaufmann, U.; Ennen, H.; Windscheif, J.
Zeitschriftenaufsatz
1965Dielektrische Untersuchungen an kristallin-flüssigen Phasen im Mikrowellengebiet
Axmann, A.
Dissertation