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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2019AlGaN/GaN high electron-mobility varactors on silicon substrate
Amirpour, Raul; Schwantuschke, Dirk; Brueckner, Peter; Quay, Rüdiger; Ambacher, Oliver
Konferenzbeitrag
2019Determination of the graphene-graphite ratio of graphene powder by Raman 2D band symmetry analysis
Roscher, Sarah; Hoffmann, René; Ambacher, Oliver
Zeitschriftenaufsatz
2019Formation of icosahedron twins during initial stages of heteroepitaxial diamond nucleation and growth
Lebedev, Vadim; Yoshikawa, Taro; Giese, Christian; Kirste, Lutz; Zukauskaite, Agne; Graff, Andreas; Meyer, Frank; Burmeister, Frank; Ambacher, Oliver
Zeitschriftenaufsatz
2019GCPW GaAs broadside couplers at H-band and application to balanced power amplifiers
Amado-Rey, Ana Belén; Campos-Roca, Yolanda; Friesicke, Christian; Wagner, Sandrine; Ambacher, Oliver
Zeitschriftenaufsatz
2019Influence of substrate holder configurations on bias enhanced nucleation area for diamond heteroepitaxy: Toward wafer-scale single-crystalline diamond synthesis
Yoshikawa, Taro; Herrling, David; Meyer, Frank; Burmeister, Frank; Nebel, Christoph E.; Ambacher, Oliver; Lebedev, Vadim
Zeitschriftenaufsatz
2019Large-signal modeling of a scalable high-Q AlGaN/GaN high electron-mobility varactor
Amirpour, Raul; Schwantuschke, Dirk; Raay, Friedbert van; Brueckner, Peter; Quay, Rüdiger; Ambacher, Oliver
Zeitschriftenaufsatz
2019Luminescence Properties of SiV-centers in diamond diodes
Tegetmeyer, Björn
: Ambacher, Oliver
Dissertation
2019RF-noise model extraction procedure for distributed multiport models
Heinz, Felix; Schwantuschke, Dirk; Ohlrogge, Matthias; Leuther, Arnulf; Ambacher, Oliver
Konferenzbeitrag
2019Transfer von AlGaN/GaN-Hochleistungstransistoren auf Diamant
Gerrer, Thomas
: Ambacher, Oliver (Referent); Woias, Peter
Dissertation
2019A transmitter system-in-package at 300 GHz with an off-chip antenna and GaAs-based MMICs
Dyck, Alexander; Rösch, Markus; Tessmann, Axel; Leuther, Arnulf; Kuri, Michael; Wagner, Sandrine; Gashi, Bersant; Schäfer, Jochen; Ambacher, Oliver
Zeitschriftenaufsatz
2018A 300 GHz microstrip multilayered antenna on quartz substrate
Dyck, Alexander; Rösch, Markus; Tessmann, Axel; Leuther, Arnulf; Kuri, Michael; Massler, Hermann; Wagner, Sandrine; Meder, Dirk; Weismann-Thaden, Birgit; Schlechtweg, Michael; Ambacher, Oliver
Konferenzbeitrag
201870-116-GHz LNAs in 35-nm and 50-nm gate-length metamorphic HEMT technologies for cryogenic and room-temperature operation
Thome, Fabian; Leuther, Arnulf; Gallego, Juan Daniel; Schäfer, Frank; Schlechtweg, Michael; Ambacher, Oliver
Konferenzbeitrag
2018Analysis and development of submillimeter-wave stacked-FET power amplifier MMICs in 35-nm mHEMT technology
Amado-Rey, Ana Belén; Campos-Roca, Yolanda; Raay, Friedbert van; Friesicke, Christian; Wagner, Sandrine; Massler, Hermann; Leuther, Arnulf; Ambacher, Oliver
Zeitschriftenaufsatz
2018Analysis of 4-way divider MMICs in GaAs technology for H-band applications
Amado-Rey, Belén; Campos-Roca, Yolanda; Friesicke, Christian; Raay, Friedbert van; Massler, Hermann; Leuther, Arnulf; Ambacher, Oliver
Konferenzbeitrag
2018Analysis, design and experimental evaluation of sub-THz power amplifiers based on GaAs metamorphic HEMT technology
Amado Rey, Ana Belén
: Paul, Oliver; Ambacher, Oliver; Campos-Roca, Y.
Dissertation
2018Analysis, design, and experimental evaluation of sub-THz power amplifiers based on GaAs metamorphic HEMT technology
Amado-Rey, Ana Belén
: Ambacher, Oliver (Referent); Campos-Roca, Yolanda (Referent)
Dissertation
2018Avalanche multiplication in AlGaN-based heterostructures for the ultraviolet spectral range
Hahn, Lars; Fuchs, Frank; Kirste, Lutz; Driad, Rachid; Rutz, Frank; Passow, Thorsten; Köhler, Klaus; Rehm, Robert; Ambacher, Oliver
Zeitschriftenaufsatz
2018Broadband high-power W-band amplifier MMICs based on stacked-HEMT unit cells
Thome, Fabian; Leuther, Arnulf; Schlechtweg, Michael; Ambacher, Oliver
Zeitschriftenaufsatz
2018Determination of elastic and piezoelectric properties of Al0.84Sc0.16N thin films
Kurz, Nicolas; Parsapour, Fazel; Pashchenko, Vladimir; Kirste, Lutz; Lebedev, Vadim; Pascal, Nicolay; Muralt, Paul; Ambacher, Oliver
Konferenzbeitrag
2018Dynamic load modulated low-voltage GaN PA using novel low-loss GaN varactors
Amirpour, Raul; Krause, Sebastian; Quay, Rüdiger; Ambacher, Oliver
Konferenzbeitrag
2018Elastic modulus and coefficient of thermal expansion of piezoelectric Al1-xScxN (up to x = 0.41) thin films
Lu, Yuan; Reusch, Markus; Kurz, Nicolas; Ding, Anli; Christoph, Tim; Prescher, Mario; Kirste, Lutz; Ambacher, Oliver; Zukauskaite, Agne
Zeitschriftenaufsatz
2018Entwicklung piezoelektrisch adaptiver Aluminiumnitrid/Diamant-Linsen für mikrooptische Systeme
Knöbber, Fabian Andreas
: Ambacher, Oliver (Referent); Wallrabe, Ulrike (Refernet)
Dissertation
2018Fast-switching monolithically integrated high-voltage GaN-on-Si power converters
Weiß, Beatrix
: Paul, O.; Ambacher, O.; Maksimovic, D.
Dissertation
2018Full W-band GaN power amplifier MMICs using a novel type of broadband radial stub
Ćwikliński, Maciej; Friesicke, Christian; Brueckner, Peter; Schwantuschke, Dirk; Wagner, Sandrine; Lozar, Roger; Massler, Hermann; Quay, Rüdiger; Ambacher, Oliver
Zeitschriftenaufsatz
2018A G-band broadband balanced power amplifier module based on cascode mHEMTs
Amado-Rey, Belén; Campos-Roca, Yolanda; Friesicke, Christian; Raay, Friedbert van; Massler, Hermann; Leuther, Arnulf; Ambacher, Oliver
Zeitschriftenaufsatz
2018GaN-based high electron mobility transistors with high Al-content barriers
Godejohann, Birte-Julia
: Paul, Oliver; Ambacher, Oliver; Fiederle, M.
Dissertation
2018Graphene as an active virtually massless top electrode for RF solidly mounted bulk acoustic wave (SMR-BAW) resonators
Knapp, Marius; Hoffmann, René; Lebedev, Vadim; Cimalla, Volker; Ambacher, Oliver
Zeitschriftenaufsatz
2018High-power asymmetrical three-way GaN doherty power amplifier at C-band frequencies
Derguti, Edon; Ture, Erdin; Krause, Sebastian; Schwantuschke, Dirk; Quay, Rüdiger; Ambacher, Oliver
Konferenzbeitrag
2018Highly isolating and broadband single-pole double-throw switches for millimeter-wave applications up to 330 GHz
Thome, Fabian; Ambacher, Oliver
Zeitschriftenaufsatz
2018Infrarotspektroskopie mittels nichtlinear-optischer Hochkonversion
Wolf, Sebastian
: Buse, Karsten (Erstgutachter); Ambacher, Oliver (Zweitgutachter)
Dissertation
2018Instabilities by parasitic substrate-loop of GaN-on-Si HEMTs in half-bridges
Mönch, Stefan; Weiss, Beatrix; Reiner, Richard; Waltereit, Patrick; Quay, Rüdiger; Ambacher, Oliver; Kallfass, Ingmar
Konferenzbeitrag
2018Investigation of temperature characteristics and substrate influence on AlScN-based SAW resonators
Ding, Anli; Reusch, Markus; Lu, Yuan; Kurz, Nicolas; Lozar, Roger; Christoph, Tim; Driad, Rachid; Ambacher, Oliver; Zukauskaite, Agne
Konferenzbeitrag
2018Investigations of active antenna doherty power amplifier modules under beam-steering mismatch
Gashi, Bersant; Krause, Sebastian; Quay, Rüdiger; Fager, Christian; Ambacher, Oliver
Zeitschriftenaufsatz
2018Luminescence properties of SiV-centers in diamond diodes
Tegetmeyer, Björn
: Ambacher, Oliver
Dissertation
2018Metallization design investigations for graphene as a virtually massless electrode material for 2.1 GHz solidly mounted (BAW-SMR) resonators
Knapp, Marius; Lebedev, Vadim; Cimalla, Volker; Ambacher, Oliver
Konferenzbeitrag
2018Modenverhalten von Quantenkaskadenlasern in miniaturisierten externen Resonatoren
Butschek, Lorenz
: Ambacher, Oliver (Referent); Buse, Karsten (Referent)
Dissertation
2018Monolithically integrated power circuits in high-voltage GaN-on-Si heterojunction technology
Reiner, Richard; Waltereit, Patrick; Weiss, Beatrix; Mönch, Stefan; Wespel, Matthias; Müller, Stefan; Quay, Rüdiger; Ambacher, Oliver
Zeitschriftenaufsatz
2018Multi-stage cascode in high-voltage AlGaN/GaN-on-Si technology
Reiner, Richard; Waltereit, Patrick; Mönch, Stefan; Dammann, Michael; Weiss, Beatrix; Quay, Rüdiger; Ambacher, Oliver
Konferenzbeitrag
2018A novel type of broadband radial stub
Ćwikliński, Maciej; Friesicke, Christian; Raay, Friedbert van; Massler, Hermann; Quay, Rüdiger; Ambacher, Oliver
Konferenzbeitrag
2018PCB-embedding for GaN-on-Si power devices and ICs
Reiner, Richard; Weiss, Beatrix; Meder, Dirk; Waltereit, Patrick; Vockenberger, C.; Gerrer, Thomas; Quay, Rüdiger; Ambacher, Oliver
Konferenzbeitrag
2018RF-noise modeling of InGaAs metamorphic HEMTs and MOSFETs
Heinz, Felix; Schwantuschke, Dirk; Leuther, Arnulf; Tessmann, Axel; Ohlrogge, Matthias; Quay, Rüdiger; Ambacher, Oliver
Konferenzbeitrag
2018Riemann-pump based RF-power DACs in GaN technology for 5G base stations
Weiß, Markus; Friesicke, Christian; Quay, Rüdiger; Ambacher, Oliver
Konferenzbeitrag
2018Spurious mode suppression in the design of GCPW submillimeter-wave power amplifiers
Amado-Rey, Belén; Tessmann, Axel; Campos-Roca, Yolanda; Massler, Hermann; Leuther, Arnulf; Ambacher, Oliver
Konferenzbeitrag
2018State dependency, low-frequency dispersion, and thermal effects in microwave III-V HEMTs
Raay, Friedbert van; Schwantuschke, Dirk; Leuther, Arnulf; Brueckner, Peter; Peschel, Detlef; Quay, Rüdiger; Schlechtweg, Michael; Ambacher, Oliver
Konferenzbeitrag
2018Temperature cross-sensitivity of AlN-based flexural plate wave sensors
Reusch, Markus; Holc, Katarzyna; Lebedev, Vadim; Kurz, Nicolas; Zukauskaite, Agne; Ambacher, Oliver
Zeitschriftenaufsatz
2018Temperature dependence of the pyroelectric coefficient of AlScN thin films
Kurz, Nicolas; Lu, Yuan; Kirste, Lutz; Reusch, Markus; Zukauskaite, Agne; Lebedev, Vadim; Ambacher, Oliver
Zeitschriftenaufsatz
2018Transfer of AlGaN/GaN RF-devices onto diamond substrates via van der Waals bonding
Gerrer, Thomas; Cimalla, Volker; Waltereit, Patrick; Müller, Stefan; Benkhelifa, Fouad; Maier, Thomas; Czap, Heiko; Ambacher, Oliver; Quay, Rüdiger
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2018W-Band FMCW MIMO radar demonstrator system for 3D imaging
Bleh, Daniela Karina
: Paul, Oliver; Ambacher, Oliver; Yang, Bin
Dissertation
2018W-band SPDT switches in planar and tri-gate 100-nm gate-length GaN-HEMT technology
Thome, Fabian; Ture, Erdin; Brueckner, Peter; Quay, Rüdiger; Ambacher, Oliver
Konferenzbeitrag
2017A 50-nm gate-length metamorphic HEMT distributed power amplifier MMIC based on stacked-HEMT unit cells
Thome, Fabian; Ambacher, Oliver
Konferenzbeitrag
2017AlN/GaN HEMTs grown by MBE and MOCVD: Impact of Al distribution
Godejohann, Birte-Julia; Ture, Erdin; Müller, Stefan; Prescher, Mario; Kirste, Lutz; Aidam, Rolf; Polyakov, Vladimir; Brueckner, Peter; Breuer, Steffen; Köhler, Klaus; Quay, Rüdiger; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2017Characterization and optimization of nanoscale magnetometric diamond sensors
Widmann, C.J.
: Ambacher, O. (Referent); Degen, C. (Referent)
Dissertation
2017Characterization and optimization of nanoscale magnetometric diamond sensors
Widmann, Claudia Johanna
: Lausen, G.; Ambacher, O.; Degen, C.
Dissertation
2017Charge carrier dynamics in InGaN quantum wells: Stimulated emission depletion and lateral charge carrier motion
Solowan, Hans-Michael
: Ambacher, Oliver (Ed.); Schwarz, U.T.; Wöllenstein, J.
Dissertation
2017Comparison of a 35-nm and a 50-nm gate-length metamorphic HEMT technology for millimeter-wave low-noise amplifier MMICs
Thome, Fabian; Leuther, Arnulf; Massler, Hermann; Schlechtweg, Michael; Ambacher, Oliver
Konferenzbeitrag
2017A contribution to active infrared laser spectroscopy for remote substance detection
Jarvis, Jan-Philip
: Beyerer, Juergen (Referent); Ambacher, Oliver
Dissertation
2017Demonstration of an RF front-end based on GaN HEMT technology
Ture, Erdin; Musser, Markus; Hülsmann, Axel; Quay, Rüdiger; Ambacher, Oliver
Konferenzbeitrag
2017Design and characterization of highly-efficient GaN-HEMTs for power applications
Reiner, Richard
: Ambacher, Oliver (Referent); Kallfass, Ingmar (Referent); Quay, Rüdiger (Betreuer)
Dissertation
2017Design, realization, and evaluation of a Riemann pump in GaN technology
Weiß, Markus; Friesicke, Christian; Metzger, Thomas; Schmidhammer, Edgar; Quay, Rüdiger; Ambacher, Oliver
Zeitschriftenaufsatz
2017Effect of substrate termination on switching loss and switching time using 600 V GaN-on-Si HEMTs with integrated gate driver in half-bridges
Mönch, Stefan; Reiner, Richard; Weiss, Beatrix; Waltereit, Patrick; Quay, Rüdiger; Ambacher, Oliver; Kallfass, Ingmar
Konferenzbeitrag
2017Epitaxie und Charakterisierung von AlGaN-basierten UV-Photodetektoren
Albrecht, B.
: Lausen, G.; Ambacher, O. (Ed.); Eberl, C. (Referent)
Dissertation
2017Fast-switching monolithically integrated high-voltage GaN-on-Si power converters
Weiß, Beatrix
: Ambacher, Oliver (Betreuer); Makismović, Dragan (Betreuer)
Dissertation
2017First demonstration of w-band tri-gate GaN-HEMT power amplifier MMIC with 30 dBm output power
Ture, Erdin; Brueckner, Peter; Alsharef, Mohamed; Granzner, Ralf; Schwierz, Frank; Quay, Rüdiger; Ambacher, Oliver
Konferenzbeitrag
2017Flexural plate wave sensors with buried IDT for sensing in liquids
Reusch, Markus; Holc, Katarzyna; Zukauskaite, Agne; Lebedev, Vadim; Kurz, Nicolas; Ambacher, Oliver
Konferenzbeitrag
2017GaN-based Tri-gate high electron mobility transistors
Ture, Erdin
: Ambacher, Oliver (Referent); Bolognesi, Colombo R. (Referent); Palacios, Tomas (Referent)
Dissertation
2017InGaAs-Avalanche-Photodioden für bildgebende Verfahren im kurzwelligen Infrarot
Kleinow, Philipp
: Lausen, G.; Ambacher, O.; Koos, C.
Dissertation
2017Investigation of GaN-HEMTs in reverse conduction
Reiner, Richard; Waltereit, Patrick; Weiss, Beatrix; Quay, Rüdiger; Ambacher, Oliver
Konferenzbeitrag
2017Investigations of efficient active antenna power amplifier modules for 5G applications under beam control mismatch
Gashi, Bersant
: Ambacher, Oliver (Referent); Quay, Rüdiger (Referent); Krause, Sebastian (Betreuer)
Master Thesis
2017Microstructure and mechanical properties of stress-tailored piezoelectric AlN thin films for electro-acoustic devices
Reusch, Markus; Cherneva, Sabina; Lu, Yuan; Zukauskaite, A.; Kirste, L.; Holc, K.; Datcheva, M.; Stoychev, D.; Lebedev, V.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2017Monolithically integrated GaN-on-Si power circuits
Reiner, Richard; Waltereit, Patrick; Weiss, Beatrix; Mönch, Stefan; Quay, Rüdiger; Ambacher, Oliver
Konferenzbeitrag
2017Nanodiamond resonators fabricated on 8'' Si substrates using adhesive wafer bonding
Lebedev, Vadim; Lisec, Thomas; Yoshikawa, Taro; Reusch, Markus; Iankov, Dimitre; Giese, Christian; Zukauskaite, Agne; Cimalla, Volker; Ambacher, Oliver
Zeitschriftenaufsatz
2017Operation of PCB-embedded, high-voltage multilevel-converter GaN-IC
Weiss, Beatrix; Reiner, Richard; Waltereit, Patrick; Quay, Rüdiger; Ambacher, Oliver
Konferenzbeitrag
2017Optimierung der Mikrostruktur und der Messparameter eines photostimulierten Ozonsensors auf der Basis von Indiumoxid
Mischo, Markus
: Paul, O.; Ambacher, O.; Krischok, S.
Dissertation
2017Piezo-aktuierte mikro-opto-elektro-mechanische Systeme für aktive Mikrooptik
Zürbig, Verena
: Ambacher, Oliver (Referent); Lebedev, Vadim (Betreuer)
Dissertation
2017Reliability analysis of LPCVD SiN gate dielectric for AlGaN/GaN MIS-HEMTs
Jauss, S.A.; Hallaceli, K.; Mansfeld, S.; Schwaiger, S.; Daves, W.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2017The role of charge trapping in AlGaN/GaN-on-Si HEMT based power switches
Wespel, Matthias
: Wagner, Joachim; Lausen, G.; Ambacher, O.; Schwierz, F.
Dissertation
2017The role of charge trapping in AlGaN/GaN-on-Si HEMT based power switches
Wespel, Matthias
: Ambacher, Oliver (Referent); Schwierz, Frank (Referent)
Dissertation
2017Spectroscopic millimeter wave ellipsometry
Klenner, Mathias
: Ambacher, Oliver (Referent)
Dissertation
2017Substrate biasing effects in a high-voltage, monolithically-integrated half-bridge GaN-chip
Weiss, Beatrix; Reiner, Richard; Polyakov, Vladimir M.; Waltereit, Patrick; Quay, Rüdiger; Ambacher, Oliver; Maksimovic, Dragan
Konferenzbeitrag
2017Toward ultra-thin nanocrystalline diamond film growth: Electrostatic self-assembly of non-aggregated diamond nanoparticles onto substrate surfaces
Yoshikawa, Taro
: Ambacher, Oliver; Fiederle, Michael
Dissertation
2017Untersuchung des Hochfrequenzrauschens von InGaAs-Transistoren
Heinz, Felix
: Ambacher, Oliver (Referent); Schwantuschke, Dirk (Betreuer)
Master Thesis
2017W-Band FMCW MIMO radar demonstrator system for 3D imaging
Bleh, Daniela
: Ambacher, Oliver (Referent); Yang, Bin (Referent)
Dissertation
2017W-Band Time-Domain Multiplexing FMCW MIMO Radar for Far-Field 3-D Imaging
Bleh, Daniela; Rösch, Markus; Kuri, Michael; Dyck, Alexander; Tessmann, Axel; Leuther, Arnulf; Wagner, Sandrine; Weismann-Thaden, Birgit; Stulz, Hans-Peter; Zink, Martin; Rießle, Markus; Sommer, R.; Wilcke, J.; Schlechtweg, Michael; Yang, B.; Ambacher, Oliver
Zeitschriftenaufsatz
2017Wettability investigations and wet transfer enhancement of large-area CVD-graphene on aluminum nitride
Knapp, Marius; Hoffmann, René; Cimalla, Volker; Ambacher, Oliver
Zeitschriftenaufsatz
2016A 100 GHz FMCW MIMO radar system for 3D image reconstruction
Bleh, D.; Rösch, M.; Kuri, M.; Dyck, A.; Tessmann, A.; Leuther, A.; Wagner, S.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2016A 280 GHz stacked-FET power amplifier cell using 50 nm metamorphic HEMT technology
Amado-Rey, A.B.; Campos-Roca, Y.; Friesicke, C.; Tessmann, A.; Lozar, R.; Wagner, S.; Leuther, A.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2016A 40 dBm AlGaN/GaN HEMT power amplifier MMIC for SatCom applications at K-Band
Friesicke, C.; Feuerschütz, P.; Quay, R.; Ambacher, O.; Jacob, A.F.
Konferenzbeitrag
2016Advanced building blocks for (sub-)millimeter-wave applications in space, communication, and sensing using III/V mHEMT technology
Schlechtweg, M.; Tessmann, A.; Leuther, A.; Massler, H.; Moschetti, G.; Rösch, M.; Weber, R.; Hurm, V.; Kuri, M.; Zink, M.; Riessle, M.; Rosenzweig, J.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2016Analysis and modeling of GaN-based multi field plate Schottky power diodes
Weiss, B.; Reiner, R.; Waltereit, P.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2016Analysis and optimization of sputter deposited AlN-layers for flexural plate wave devices
Reusch, M.; Holc, K.; Pletschen, W.; Kirste, L.; Zukauskaité, A.; Yoshikawa, T.; Iankov, D.; Ambacher, O.; Lebedev, V.
Zeitschriftenaufsatz
2016A broadband 175-245 GHz balanced medium power amplifier using 50-nm mHEMT technology
Amado-Rey, A.B.; Campos-Roca, Y.; Friesicke, C.; Tessmann, A.; Massler, H.; Wagner, S.; Leuther, A.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2016Broadband E-band power amplifier MMIC based on an AlGaN/GaN HEMT technology with 30 dBm output power
Schwantuschke, D.; Godejohann, B.-J.; Breuer, S.; Brueckner, P.; Mikulla, M.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2016Charakterisierung und Modellierung von metamorphen HEMT Strukturen im Millimeter- und Submillimeter-Wellenlängenbereich
Ohlrogge, Matthias
: Ambacher, Oliver
Dissertation
2016Charakterisierung und Modellierung von metamorphen HEMT Strukturen im Millimeter- und Submillimeter-Wellenlängenbereich
Ohlrogge, M.
: Ambacher, O. (Referent); Bolognesi, C.R. (Referent)
Dissertation
2016Compact W-band receiver module on hybrid liquid crystal polymer board
Rösch, M.; Tessmann, A.; Leuther, A.; Kuri, M.; Wagner, S.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2016Compact W-band receiver module on hybrid liquid crystal polymer board
Rösch, M.; Tessmann, A.; Leuther, A.; Kuri, M.; Wagner, S.; Ambacher, O.; Gulan, H.
Konferenzbeitrag
2016Complex interaction of passive multiport structures and their description by separate discrete models
Ohlrogge, M.; Tessmann, A.; Leuther, A.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2016Dual-gate HEMT parameter extraction based on 2.5D multiport simulation of passive structures
Raay, F. van; Quay, R.; Schwantuschke, D.; Ohlrogge, M.; Peschel, D.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2016Dynamic detection of target DNA with AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Espinosa, N.
: Ambacher, O. (Referent)
Dissertation
2016Electrostatic self-assembly of diamond nanoparticles onto Al- and N-Polar sputtered aluminum nitride surfaces
Yoshikawa, Taro; Reusch, Markus; Zürbig, Verena; Cimalla, Volker; Lee, K.-H.; Kurzyp, M.; Arnault, J.-C.; Nebel, Christoph E.; Ambacher, Oliver; Lebedev, Vadim
Zeitschriftenaufsatz
2016Enhanced actuation of nanocrystalline diamond microelectromechanical disk resonators with AlN layers
Yoshikawa, T.; Reusch, M.; Holc, K.; Iankov, D.; Zürbig, V.; Zukauskaité, A.; Nebel, C.E.; Ambacher, O.; Lebedev, V.
Zeitschriftenaufsatz
2016Enhancement-mode AlGaN/GaN FinFETs with high on/off performance in 100 nm gate length
Ture, E.; Brueckner, P.; Quay, R.; Ambacher, O.; Alsharef, M.; Granzner, R.; Schwierz, F.
Konferenzbeitrag
2016Epitaxie und Charakterisierung von UV-Photodetektoren auf der Basis des AlGaN-Schichtsystems
Albrecht, B.
: Ambacher, O. (Referent)
Dissertation
2016Evaluation, design and realisation of a Riemann Pump for the frequency range of 0..6 GHz for 5G mobile communication
Weiß, M.
: Ambacher, O. (Referent); Quay, R. (Referent)
Master Thesis
2016A GaN-based 10.1MHz class-F-1 300 W continuous wave amplifier targeting industrial power applications
Maier, F.; Krausse, D.; Gruner, D.; Reiner, R.; Waltereit, P.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2016GaN-based E-band power amplifier modules
Schwantuschke, D.; Henneberger, R.; Wagner, S.; Tessmann, A.; Kallfass, I.; Brueckner, P.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2016Growth and characterization of intrinsic and boron doped single crystal diamond
Trost, T.
: Ambacher, O. (Referent); Zürbig, V. (Betreuer)
Master Thesis
2016High voltage GaN-based Schottky diodes in non-isolated LED buck converters
Zibold, A.; Reiner, R.; Weiss, B.; Kunzer, M.; Quay, R.; Wagner, J.; Waltereit, P.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2016High-current submicrometer tri-gate GaN high-electron mobility transistors with binary and quaternary barriers
Ture, E.; Brückner, P.; Godejohann, B.-J.; Aidam, R.; Alsharef, M.; Granzner, R.; Schwierz, F.; Quay, R.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2016InGaAs-Avalanche-Photodioden für bildgebende Verfahren im kurzwelligen Infrarot
Kleinow, P.
: Ambacher, O. (Referent); Koos, C. (Referent)
Dissertation
2016Interaction of indium oxide nanoparticle film surfaces with ozone, oxygen and water
Himmerlich, M.; Eisenhardt, A.; Berthold, T.; Wang, C.Y.; Cimalla, V.; Ambacher, O.; Krischok, S.
Zeitschriftenaufsatz
2016Internally-packaged-matched continuous inverse class-FI wideband GaN HPA
Carrubba, V.; Maroldt, S.; Ture, E.; Udeh, U.; Mußer, M.; Bronner, W.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2016An investigation of millimeter wave switches based on shunt transistors including SPDT switch MMICs up to 300 GHz
Thome, F.; Ohlrogge, M.; Leuther, A.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2016Investigation of system parameters for increasing the imaging speed and image quality of a MIMO millimeter wave camera
George, R.
: Ambacher, O. (Referent); Quay, R. (Referent); Rösch, M. (Betreuer); Bleh, D. (Betreuer)
Master Thesis
2016Kontaktlose Mikroschalter auf der Basis von Dünnschichten aus Aluminiumnitrid und nanokristallinem Diamant
Lang, Nicola
: Ambacher, Oliver
Dissertation
2016LED-retrofit based on AlGaN/GaN-on-Si field-effect transistor drivers
Zibold, A.; Kunzer, M.; Reiner, R.; Weiss, B.; Waltereit, P.; Quay, R.; Wagner, J.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2016Linear temperature sensors in high-voltage GaN-HEMT power devices
Reiner, Richard; Waltereit, Patrick; Weiss, Beatrix; Wespel, M.; Meder, Dirk; Mikulla, Michael; Quay, Rüdiger; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2016Low noise amplifiers for MetOp-SG
Rösch, M.; Tessmann, A.; Leuther, A.; Weber, R.; Moschetti, G.; Aja, B.; Kotiranta, M.; Massler, H.; Kangas, V.; Perichaud, M.-G.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2016Material characterization using a compact W-Band ellipsometer
Klenner, M.; Zech, C.; Hülsmann, A.; Kühn, J.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2016Measurement setup for the analysis of broadband frequency-modulated signals
Zech, C.; Baumann, B.; Hülsmann, A.; Kühn, J.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2016Micro-System: Gallium Nitride RF-Broad-Band High-Power Amplifier
Mußer, M.
: Ambacher, O. (Referent); Manoli, Y. (Betreuer)
Dissertation
2016A millimeter-wave low-noise amplifier MMIC with integrated power detector and gain control functionality
Tessmann, A.; Leuther, A.; Massler, H.; Wagner, S.; Thome, F.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2016Modeling of dispersive millimeter-wave GaN HEMT devices for high power amplifier design
Schwantuschke, Dirk
: Kallfass, I. (Betreuer); Ambacher, Oliver (Hrsg.)
Dissertation
2016Monolithic GaN-on-Si half-bridge circuit with integrated freewheeling diodes
Reiner, R.; Waltereit, P.; Weiss, B.; Wespel, M.; Mikulla, M.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2016Monolithically-integrated power circuits in high-voltage GaN-on-Si heterojunction technology
Reiner, R.; Waltereit, P.; Weiss, B.; Mönch, S.; Wespel, M.; Müller, S.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2016Optimierung der Mikrostruktur und der Messparameter eines photostimulierten Ozonsensors auf der Basis von Indiumoxid
Mischo, M.
: Ambacher, O. (Referent); Cimalla, V. (Betreuer)
Dissertation
2016Packaged AlGaN/GaN HEMT power bars with 900 W output power and high PAE at L-Band
Friesicke, C.; Maier, T.; Brueckner, P.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2016Performance of tri-gate AlGaN/GaN HEMTs
Alsharef, M.; Granzner, R.; Schwierz, F.; Ture, E.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2016Piezo-force and vibration analysis of ZnO nanowire arrays for sensor application
Christian, B.; Volk, J.; Lukács, I.E.; Sautieffc, E.; Sturm, C.; Graillot, A.; Dauksevicius, R.; O'Reilly, E.; Ambacher, O.; Lebedev, V.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2016Piezoelectric AlN films for FPW sensors with improved device performance
Reusch, M.; Holc, K.; Kirste, L.; Katus, P.; Reindl, L.; Ambacher, O.; Lebedev, V.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2016Piezoelectric AlN films for FPW sensors with improved device performance
Reusch, M.; Holc, K.; Kirste, L.; Katus, P.; Reindl, L.; Ambacher, O.; Lebedev, V.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2016Pinhole-free ultra-thin nanocrystalline diamond film growth via electrostatic self-assembly seeding with increased salt concentration of nanodiamond colloids
Yoshikawa, T.; Gao, F.; Zürbig, V.; Giese, C.; Nebel, C.E.; Ambacher, O.; Lebedev, V.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2016Poly-silicon CMOS compatible gate module for AlGaN/GaN-on-silicon MIS-HEMTs for power electronics applications
Jauss, S.A.; Schwaiger, S.; Daves, W.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2016A portable W-band radar system for enhancement of infrared vision in fire fighting operations
Klenner, Mathias; Zech, Christian; Hülsmann, Axel; Kühn, Jutta; Schlechtweg, Michael; Hahmann, Konstantin; Kleiner, Bernhard; Ulrich, Michael; Ambacher, Oliver
Konferenzbeitrag
2016Post drain-stress behavior of AlGaN/GaN-on-Si MIS-HEMTs
Jauss, S.A.; Kilian, S.; Schwaiger, S.; Noll, S.; Daves, W.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2016Prospects and limitations of stacked-FET approaches for enhanced output power in voltage-controlled oscillators
Thome, F.; Maroldt, S.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2016Quasi-Bessel beams from asymmetric and astigmatic illumination sources
Müller, A.; Wapler, M.C.; Schwarz, U.T.; Reisacher, M.; Holc, K.; Ambacher, O.; Wallrabe, U.
Zeitschriftenaufsatz
2016RF performance of trigate GaN HEMTs
Alsharef, M.; Christiansen, M.; Granzner, R.; Ture, E.; Quay, R.; Ambacher, O.; Schwierz, F.
Zeitschriftenaufsatz
2016The role of surface electron accumulation and bulk doping for gas-sensing explored with single-crystalline In2O3 thin films
Rombach, J.; Papadogianni, A.; Mischo, M.; Cimalla, V.; Kirste, L.; Ambacher, O.; Berthold, T.; Krischok, S.; Himmerlich, M.; Selve, S.; Bierwagen, O.
Zeitschriftenaufsatz
2016Security Research Conference. 11th Future Security
: Ambacher, Oliver (Ed.); Wagner, Joachim (Ed.); Quay, Rüdiger (Ed.)
Tagungsband
2016Single-input GaN gate driver based on depletion-mode logic integrated with a 600 V GaN-on-Si power transistor
Mönch, S.; Kallfass, I.; Reiner, R.; Weiss, B.; Waltereit, P.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2016Slew rate control of a 600 V 55 mΩ GaN cascode
Endruschat, A.; Heckel, T.; Reiner, R.; Waltereit, P.; Quay, R.; Ambacher, O.; März, M.; Eckardt, B.; Frey, L.
Konferenzbeitrag
2016Small signal modelling approach for submillimeter wave III-V HEMTs with analysation and optimization possibilities
Ohlrogge, M.; Tessmann, A.; Leuther, A.; Weber, R.; Massler, H.; Seelmann-Eggebert, M.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2016Soft-switching 3 MHz converter based on monolithically integrated half-bridge GaN-chip
Weiss, B.; Reiner, R.; Waltereit, P.; Quay, R.; Ambacher, O.; Sepahvand, A.; Maksimovic, D.
Konferenzbeitrag
2016Spectroscopic measurement of material properties using an improved millimeter-wave ellipsometer based on metallic substrates
Klenner, M.; Zech, C.; Hülsmann, A.; Kühn, J.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2016Stability investigation of large gate-width metamorphic high electron-mobility transistors at cryogenic temperature
Moschetti, G.; Thome, F.; Ohlrogge, M.; Goliasch, J.; Schäfer, F.; Aja, B.; Leuther, A.; Schlechtweg, M.; Seelmann-Eggebert, M.; Ambacher, O.; Wieching, G.; Kotiranta, M.
Zeitschriftenaufsatz
2016Towards surface-enlarged diamond materials
Gao, F.
: Ambacher, O. (Referent); Garrido, J.A. (Referent)
Dissertation
2016Trapping effects at the drain edge in 600 V GaN-on-Si HEMTs
Wespel, M.; Polyakov, V.M.; Dammann, M.; Reiner, R.; Waltereit, P.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2016Vergleichende thermische Untersuchungen von Leistungsbauelementen
Grießer, Jan
: Ambacher, O. (Referent); Quay, R. (Referent); Reiner, R. (Betreuer)
Bachelor Thesis
2016A W-band wireless communication transmitter utilizing a stacked-FET oscillator for high output power performance
Thome, F.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2015A 183 GHz metamorphic HEMT low-noise amplifier with 3.5 dB noise figure
Moschetti, G.; Leuther, A.; Massler, H.; Aja, B.; Rösch, M.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.; Kangas, V.; Geneviève-Perichaud, M.
Zeitschriftenaufsatz
2015A 200 GHz driver amplifier in metamorphic HEMT technology
Amado-Rey, A.B.; Campos-Roca, Y.; Maroldt, S.; Tessmann, A.; Massler, H.; Leuther, A.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2015Admittance-voltage profiling of Al(x)Ga(1-x)N/GaN heterostructures: Frequency dependence of capacitance and conductance
Köhler, K.; Pletschen, W.; Godejohann, B.-J.; Müller, S.; Menner, H.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2015Aluminium nitride membranes with embedded buried IDT electrodes for novel flexural plate wave devices
Reusch, M.; Katus, P.; Holc, K.; Pletschen, W.; Kirste, L.; Zürbig, V.; Iankov, D.; Reindl, L.; Ambacher, O.; Lebedev, V.
Konferenzbeitrag
2015Aluminiumnitrid membranen mit vergrabenen IDT für neuartige membranbiegeschwinger
Reusch, M.; Katus, P.; Schilling, C.; Holc, K.; Pletschen, W.; Kirste, L.; Ambacher, O.; Reindl, L.; Lebedev, V.
Konferenzbeitrag
2015Analysis of the potential of gallium nitride based monolithic power amplifiers in the microwave domain with more than an octave bandwidth
Dennler, P.
: Ambacher, O. (Referent); Schumacher, H. (Referent)
Dissertation
2015Appropriate salt concentration of nanodiamond colloids for electrostatic self-assembly seeding of monosized individual diamond nanoparticles on silicon dioxide surfaces
Yoshikawa, T.; Zürbig, V.; Gao, F.; Hoffmann, R.; Nebel, C.E.; Ambacher, O.; Lebedev, V.
Zeitschriftenaufsatz
2015Bias-free lateral terahertz emitters - a simulation study
Granzner, R.; Polyakov, V.M.; Cimalla, V.; Ambacher, O.; Schwierz, F.
Zeitschriftenaufsatz
2015Broadband low-noise GaN HEMT TWAs using an active distributed drain bias circuit
Raay, F. van; Quay, R.; Aja, B.; Moschetti, G.; Seelmann-Eggebert, M.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2015Broadband Transceiver Circuits for Millimeter-Wave Wireless Communication
Lopez-Diaz, Daniel
: Ambacher, Oliver (Ed.); Kallfass, I. (Betreuer)
Dissertation
2015Changes of electronic properties of AlGaN/GaN HEMTs by surface treatment
Pletschen, W.; Linkohr, S.; Kirste, L.; Cimalla, V.; Müller, S.; Himmerlich, M.; Krischok, S.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2015Characterization of quasi-optical focusing systems at w-band frequencies
Klenner, M.; Zech, C.; Hülsmann, A.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2015Charge balancing in GaN-based 2-D electron gas devices employing an additional 2-D hole gas and its influence on dynamic behaviour of GaN-based heterostructure field effect transistors
Hahn, H.; Reuters, B.; Geipel, S.; Schauerte, M.; Benkhelifa, F.; Ambacher, O.; Kalisch, H.; Vescan, A.
Zeitschriftenaufsatz
2015Charge trapping in gate-drain access region of AlGaN/GaN MIS-HEMTs after drain stress
Jauss, S.A.; Schwaiger, S.; Daves, W.; Noll, S.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2015A compact W-band LFMCW radar module with high accuracy and integrated signal processing
Zech, C.; Hülsmann, A.; Schlechtweg, M.; Reinold, Steffen; Giers, Christof; Kleiner, Bernhard; Georgi, L.; Kahle, R.; Becker, K.-F.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2015Detection of different target-DNA concentrations with highly sensitive AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Espinosa, N.; Schwarz, S.U.; Cimalla, V.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2015A dual-band UMTS/LTE highly power-efficient class-ABJ doherty GaN PA
Carrubba, V.; Ture, E.; Maroldt, S.; Mußer, M.; Raay, F. van; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2015Dynamic detection of target-DNA with AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Espinosa, N.; Schwarz, S.U.; Cimalla, V.; Podolska, A.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2015Electrochemical generation of hydrogenated graphene flakes
Zhao, M.; Guo, X.-Y.; Ambacher, O.; Nebel, C.E.; Hoffmann, R.
Zeitschriftenaufsatz
2015High-efficiency, high-temperature continuous class-E sub-waveform solution AlGaN/GaN power amplifier
Carrubba, V.; Maroldt, S.; Musser, M.; Ture, E.; Dammann, M.; Raay, F. van; Quay, R.; Brueckner, P.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2015High-gain AlGaN/GaN HEMT single chip e-band power amplifier MMIC with 30 dBm output power
Ture, E.; Schwantuschke, D.; Tessmann, A.; Wagner, S.; Brueckner, P.; Mikulla, M.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2015High-gain over 30% PAE power amplifier MMICs in 100 nm GaN technology at Ka-band frequencies
Chéron, J.; Campovecchio, M.; Quéré, R.; Schwantuschke, D.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2015High-voltage stress time-dependent dispersion effects in AlGaN/GaN HEMTs
Wespel, M.; Dammann, M.; Polyakov, V.; Reiner, R.; Waltereit, P.; Weiss, B.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2015Impact of metallization layer structure on the performance of G-band branch-line couplers
Amado-Rey, A.B.; Campos-Roca, Y.; Weber, R.; Maroldt, S.; Tessmann, A.; Massler, H.; Wagner, S.; Leuther, A.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2015Impedance characterization of DNA-functionalization layers on AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Espinosa, N.; Schwarz, S.U.; Cimalla, V.; Podolska, A.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2015Integrated reverse-diodes for GaN-HEMT structures
Reiner, R.; Waltereit, P.; Weiss, B.; Wespel, M.; Quay, R.; Schlechtweg, M.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2015Investigation of dielectric properties of multilayer structures consisting of homogeneous plastics and liquid solutions at 75-110 GHz
Klenner, Mathias; Abels, T.; Zech, Christian; Hülsmann, Axel; Schlechtweg, Michael; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2015Kontaktlose Mikroschalter auf der Basis von Dünnschichten aus Aluminiumnitrid und nanokristallinem Diamant
Lang, N.
: Ambacher, O. (Referent); Fiederle, M. (Referent)
Dissertation
2015Large area InN terahertz emitters based on the lateral photo-Dember effect
Wallauer, J.; Grumber, C.; Polyakov, V.; Iannucci, R.; Cimalla, V.; Ambacher, O.; Walther, M.
Zeitschriftenaufsatz
2015Micro-system: Gallium nitride RF-broad-band high-power amplifier
Mußer, M.
: Ambacher, O. (Referent); Manoli, Y. (Betreuer)
Dissertation
2015Modeling of dispersive millimeter-wave GaN HEMT devices for high power amplifier design
Schwantuschke, D.
: Kallfass, I. (Referent); Ambacher, O. (Referent)
Dissertation
2015Monolithic integrated quasi-normally-off gate driver and 600 V GaN-on-Si HEMT
Mönch, S.; Costa, M.; Barner, A.; Kallfass, I.; Reiner, R.; Weiss, B.; Waltereit, P.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2015Monolithic three-stage 6-18GHz high power amplifier with distributed interstage in GaN technology
Dennler, P.; Maroldt, S.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2015Monolithically-integrated mulitlevel inverter on lateral GaN-on-Si technology for high-voltage applications
Weiss, B.; Reiner, R.; Waltereit, P.; Müller, S.; Wespel, M.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2015New assembly and packaging technologies for high-power and high-temperature GaN and SiC devices
Bajwa, A.A.
: Wilde, J. (Referent); Ambacher, O. (Referent)
Dissertation
2015Normally-off AlGaN/GaN/AlGaN double heterostructure FETs with a thick undoped GaN gate layer
Benkhelifa, F.; Müller, S.; Polyakov, V.M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2015A novel broadband high-power source-pull/load-pull concept for the HF- to UHF-range
Maier, F.; Grede, A.; Gruner, D.; Quay, R.; Waltereit, P.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2015A novel broadband high-power source-pull/load-pull concept for the HF-to UHF-range
Maier, F.A.; Grede, A.; Gruner, D.; Quay, R.; Waltereit, P.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2015Novel destructive-interference-envelope detector for high data rate ASK demodulation in wireless communication receivers
Thome, F.; Maroldt, S.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2015On the accurate measurement and calibration of s-parameters for millimeter wavelengths and beyond
Seelmann-Eggebert, M.; Ohlrogge, M.; Weber, R.; Peschel, D.; Massler, H.; Riessle, M.; Tessmann, A.; Leuther, A.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2015On the determination of noise parameters of low-noise transistor devices
Seelmann-Eggebert, M.; Aja, B.; Baldischweiler, B.; Moschetti, G.; Massler, H.; Bruch, D.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2015Performance and parasitic analysis of sub-micron scaled tri-gate AlGaN/GaN HEMT design
Ture, E.; Brückner, P.; Raay, F. van; Quay, R.; Ambacher, O.; Alsharef, M.; Granzner, R.; Schwierz, F.
Konferenzbeitrag
2015Photoelectron emission from diamond into buffer solutions
Ding, A.
: Ambacher, O. (Referent); Nebel, C. E. (Referent); Nebel, C. E. (Betreuer)
Master Thesis
2015Piezoelektrisch aktuierte AlN/SiN-Mikrolinsen
Fries, J.
: Ambacher, O. (Referent); Lebedev, V. (Referent); Zürbig, V. (Betreuer)
Master Thesis
2015Quasi-normally-off GaN gate driver for high slew-rate d-mode GaN-on-Si HEMTs
Mönch, S.; Costa, M.; Barner, A.; Kallfass, I.; Reiner, R.; Weiss, B.; Waltereit, P.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2015Radar system components to detect small and fast objects
Hülsmann, A.; Zech, C.; Klenner, M.; Tessmann, A.; Leuther, A.; Lopez-Diaz, D.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2015Reliability studies of GaN high electron mobility transistors
Cäsar, Markus
: Ambacher, Oliver
Dissertation
2015Switching frequency modulation for GaN-based power converters
Weiss, B.; Reiner, R.; Quay, R.; Waltereit, P.; Mikulla, M.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2015Threshold voltage engineering in GaN-based HFETs: A systematic study with the threshold voltage reaching more than 2 V
Hahn, H.; Benkhelifa, Fouad; Ambacher, O.; Brunner, F.; Noculak, A.; Kalisch, H.; Vescan, A.
Zeitschriftenaufsatz
2015Tunable multisegment Si(x)N(y)/AlN piezo lenses for wavefront correction
Zürbig, V.; Pätz, D.; Fries, J.; Bichra, M.; Pletschen, W.; Holc, K.; Reusch, M.; Nebel, C.E.; Sinzinger, S.; Ambacher, O.; Lebedev, V.
Konferenzbeitrag
2015Vertical buffer leakage and temperature effects on the breakdown performance of GaN/AlGaN HEMTs on Si substrate
Benkhelifa, F.; Müller, S.; Polyakov, V.M.; Breuer, S.; Czap, H.; Manz, C.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2015With electroluminescence microcopy towards more reliable AlGaN/GaN transistors
Baeumler, M.; Dammann, M.; Wespel, M.; George, R.; Konstanzer, H.; Maroldt, S.; Polyakov, V.M.; Müller, S.; Bronner, W.; Brueckner, P.; Benkhelifa, F.; Waltereit, P.; Quay, R.; Mikulla, M.; Wagner, J.; Ambacher, O.; Graff, A.; Altmann, F.; Simon-Najasek, M.; Lorenzini, M.; Fagerlind, M.; Wel, P. van der; Roedle, T.
Konferenzbeitrag
201420 nm metamorphic HEMT technology for terahertz monolithic integrated circuits
Leuther, A.; Tessmann, A.; Doria, P.; Ohlrogge, M.; Seelmann-Eggebert, M.; Massler, H.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014243 GHz low-noise amplifier MMICs and modules based on metamorphic HEMT technology
Tessmann, A.; Hurm, V.; Leuther, A.; Massler, H.; Weber, R.; Kuri, M.; Riessle, M.; Stulz, H.-P.; Zink, M.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.; Närhi, T.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2014A 600 GHz low-noise amplifier module
Tessmann, A.; Leuther, A.; Massler, H.; Hurm, V.; Kuri, M.; Zink, M.; Riessle, M.; Stulz, H.P.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014A 92 GHz GaN HEMT voltage-controlled oscillator MMIC
Weber, R.; Schwantuschke, D.; Brueckner, P.; Quay, R.; Raay, F. van; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014Active harmonic source-/load-pull measurements of AlGaN/GaN HEMTs at X-band frequencies
Maier. T.; Carrubba, V.; Quay, R.; Raay, F. van; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014Advanced GaN/(In)AlGaN MMICs for applications in space from K-band to W-band frequencies
Quay, R.; Schwantuschke, D.; Brueckner, P.; Chéron, J.; Dammann, M.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014Analysis and performance of drain bias "in-dependent" class-J power amplifier
Carrubba, V.; Ture, E.; Quay, R.; Raay, F. van; Musser, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014Analysis of dielectric properties of layered plastics at W-band frequencies
Klenner, M.; Zech, C.; Hülsmann, A.; Schlechtweg, M.; Wagner, J.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014Automatic extraction of analytical large-signal FET models with parameter estimation by function decomposition
Raay, F. van; Quay, R.; Seelmann-Eggebert, M.; Schwantuschke, D.; Peschel, D.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014Backside process free broadband amplifier MMICs at D-band and H-band in 20 nm mHEMT technology
Merkle, T.; Leuther, A.; Koch, S.; Kallfass, I.; Tessmann, A.; Wagner, S.; Massler, H.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014Broadband 1.7-2.8 GHz high-efficiency (58%), high-power (43 dBm) class-BJ GaN power amplifier including package engineering
Ture, E.; Carrubba, V.; Maroldt, S.; Musser, M.; Walcher, H.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014Broadband 1.7-2.8 GHz high-efficiency (58%), high-power (43 dBm) class-BJ GaN power amplifier Including package engineering
Ture, E.; Carrubba, V.; Maroldt, S.; Musser, M.; Walcher, H.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014A broadband 220-320 GHz medium power amplifier module
Tessmann, A.; Leuther, A.; Hurm, V.; Massler, H.; Wagner, S.; Kuri, M.; Zink, M.; Riessle, M.; Stulz, H.-P.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014Characterization of AlGaN/GaN-on-Si HFETs in high-power converter applications
Weiss, B.; Reiner, R.; Quay, R.; Waltereit, P.; Müller, S.; Benkhelifa, F.; Mikulla, M.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014Combining external cavity quantum cascade lasers and MOEMS technology: An approach for miniaturization and fast wavelength scanning
Ambacher, O.; Ostendorf, R.; Bleh, D.; Merten, A.; Grahmann, J.; Schmidt, R.; Kunzer, M.; Hugger, S.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag
2014A compact in-situ cryogenic noise measurement system for characterization of low noise ampliers
Bruch, D.
: Ambacher, O. (Ed.)
Dissertation
2014Compact quasi-optical focusing system for a 94 GHz FMCW radar
Klenner, M.; Zech, C.; Hülsmann, A.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014Cryogenic low noise amplifier development for 67-116 GHz
Kotiranta, M.; Bruch, D.; Leuther, A.; Massler, H.; Seelmann-Eggebert, M.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.; Türk, S.; Goliasch, J.; Schäfer, F.
Konferenzbeitrag
2014Elastic properties of ultrathin diamond/AlN membranes
Zürbig, V.; Hees, J.; Pletschen, W.; Sah, R.E.; Wolfer, M.; Kirste, L.; Heidrich, N.; Nebel, C.; Ambacher, O.; Lebedev, V.
Zeitschriftenaufsatz
2014Electroluminescence investigation of the lateral field distribution in AlGaN/GaN HEMTs for power applications
Baeumler, M.; Polyakov, V.M.; Gütle, F.; Dammann, M.; Benkhelifa, F.; Waltereit, P.; Reiner, R.; Müller, S.; Wespel, M.; Quay, R.; Mikulla, M.; Wagner, J.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2014European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS 2013
: André, P. (Guest Ed.); Reece, P. (Guest Ed.); Tomm, J.W. (Guest Ed.); Ribierre, J.-C. (Guest Ed.); Moreels, I. (Guest Ed.); Christen, J. (Guest Ed.); Gil, B. (Guest Ed.); Méndez, B. (Guest Ed.); Lorenz, K. (Guest Ed.); Fraboni, B. (Guest Ed.); Ambacher, O. (Guest Ed.)
Tagungsband
2014Evaluation of local SiN(x)/GaN interface trap-density fluctuations in AlGaN/GaN HEMTs by electroluminescence microscopy
Baeumler, M.; Polyakov, V.; Wespel, M.; Dammann, M.; Anto, R.; Waltereit, P.; Reiner, R.; Müller, S.; Quay, R.; Mikulla, M.; Wagner, J.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014Excitons and exciton-phonon coupling in the optical response of GaN
Shokhovets, S.; Bärwolf, F.; Gobsch, G.; Runge, K.; Köhler, K.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2014Growth model investigation for AlN/Al(Ga)InN interface growth by plasma-assisted molecular beam epitaxy for high electron mobility transistor applications
Aidam, R.; Diwo, E.; Godejohann, B.-J.; Kirste, L.; Quay, R.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2014High linearity active GaN-HEMT down-converter MMIC for E-band radar applications
Kallfass, I.; Eren, G.; Weber, R.; Wagner, S.; Schwantuschke, D.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014Improved AlGaN p-i-n photodetectors for monitoring of ultraviolet radiation
Albrecht, B.; Kopta, S.; John, O.; Rütters, Martin; Kunzer, M.; Driad, R.; Marenco, N.; Köhler, K.; Walther, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2014InAs/GaSb-Infrarotdetektoren mit reduziertem Dunkelstrom
Masur, Jan-Michael
: Ambacher, Oliver
Dissertation
2014Influence of surface roughness on the optical mode profile of GaN-based violet ridge waveguide laser diodes
Holc, K.; Jakob, A.; Weig, T.; Köhler, K.; Ambacher, O.; Schwarz, U.T.
Konferenzbeitrag
2014Influence of surface roughness on the optical mode profile of GaN-based violet ridge waveguide laser diodes
Holc, K.; Jakob, A.; Weig, T.; Köhler, K.; Ambacher, O.; Schwarz, U.T.
Konferenzbeitrag
2014Influence of surface states on the voltage robustness of AlGaN/GaN HFET power devices
Wespel, M.; Dammann, M.; Baeumler, M.; Polyakov, V.M.; Reiner, R.; Waltereit, P.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014Influence of surface states on the voltage robustness of AlGaN/GaN HFET power devices
Wespel, M.; Baeumler, M.; Polyakov, V.; Dammann, M.; Reiner, R.; Waltereit, P.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2014Large-area GaN-on-Si HFET power devices for highly-efficient, fast-switching converter applications
Waltereit, P.; Reiner, R.; Wespel, M.; Weiss, B.; Czap, H.; Dammann, M.; Müller, S.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014A low-power W-band receiver MMIC for amplitude modulated wireless communication up to 24 Gbit/s
Thome, F.; Maroldt, S.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014Low-power wireless data transmitter MMIC with data rates up to 25 Gbit/s and 9.5mW power consumption using a 113 GHz carrier
Thome, F.; Leuther, A.; Maroldt, S.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014A microwave high-power GaN transistor with highly-integrated active digital switch-mode driver circuit
Maroldt, S.; Brueckner, P.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014Nano-diamond based spheres for radio frequency electromechanical resonators
Lebedev, V.; Iankov, D.; Heidrich, N.; Zürbig, V.; Wild, C.; Cimalla, V.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2014A new approach for GaN normally-off power transistors: Lateral recess for positive threshold voltage
Waltereit, P.; Leuther, A.; Rüster, J.; Czap, H.; Preschle, M.; Iannucci, R.; Müller, S.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014Novel layout and packaging for lateral, low-resistance GaN-on-Si power transistors
Reiner, R.; Waltereit, P.; Benkhelifa, F.; Walcher, H.; Quay, R.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014Optische Polarisationsabhängigkeit semipolarer und nonpolarer InGaN-Quantenfilme und ihre Ladungsträgerstatistik
Schade, Lukas
: Ambacher, Oliver (Ed.)
Dissertation
2014Parameterextraktion an InAs/GaSb-Übergitterdetektoren für das langwellige Infrarot
Lemke, F.
: Ambacher, O. (Gutachter); Cimalla, V. (Gutachter); Rehm, R. (Betreuer)
Master Thesis
2014Planar zero bias Schottky diodes on an InGaAs metamorphic HEMT MMIC process
Thome, F.; Leuther, A.; Maroldt, S.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2014Processing of nanoscale gaps for boron-doped nanocrystalline diamond based MEMS
Iankov, D.; Zürbig, V.; Pletschen, W.; Giese, C.; Iannucci, R.; Ambacher, O.; Lebedev, V.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2014Q- and E-band amplifier MMICs for satellite communication
Schwantuschke, D.; Aja, B.; Seelmann-Eggebert, M.; Quay, R.; Leuther, A.; Brueckner, P.; Schlechtweg, M.; Mikulla, M.; Kallfass, I.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014Realization of a 30-W highly efficient and linear reconfigurable dual-band power amplifier using the continuous mode approach
Carrubba, V.; Maroldt, S.; Musser, M.; Walcher, H.; Raay, F. van; Quay, R.; Ambacher, O.; Wiegner, D.; Seyfried, U.; Bohn, T.; Pascht, A.
Zeitschriftenaufsatz
2014Reliability of GaN HEMTs with a 100 nm gate length under DC-stress tests
Dammann, M.; Baeumler, M.; Anto, R.; Konstanzer, H.; Brueckner, P.; Polyakov, V.; Wespel, M.; Müller, S.; Schwantuschke, D.; Maroldt, S.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014Reliability studies of GaN high electron mobility transistors
Cäsar, M.
: Ambacher, O. (Betreuer); Schwierz, F. (Betreuer)
Dissertation
2014A scalable compact small-signal mHEMT model accounting for distributed effects in sub-millimeter wave and terahertz applications
Ohlrogge, M.; Seelmann-Eggebert, M.; Leuther, A.; Massler, H.; Tessmann, A.; Weber, R.; Schwantuschke, D.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014Sips adsorption model for DNA sensing with AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Espinosa, N.; Schwarz, S. U.; Cimalla, V.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014Source/load pull investigation of AlGaN/GaN power transistors with ultra-high efficiency
Carrubba, V.; Quay, R.; Maroldt, S.; Musser, M.; Raay, F. van; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014Verbesserung der Abbildungsqualität blauer Projektionslichtquellen
Kopp, Fabian
: Ambacher, Oliver
Dissertation
2014Watt-level non-uniform distributed 6-37 GHz power amplifier MMIC with dual-gate driver stage in GaN technology
Dennler, P.; Quay, R.; Brueckner, P.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014Wireless communications on THz carriers takes shape
Freude, W.; König, S.; Lopez-Diaz, D.; Antes, J.; Boes, F.; Henneberger, R.; Leuther, A.; Tessmann, A.; Schmogrow, R.; Hillerkuss, D.; Palmer, R.; Zwick, T.; Koos, C.; Ambacher, O.; Leuthold, J.; Kallfass, I.
Konferenzbeitrag
2014Wireless sub-THz communication system with high data rate enabled by RF photonics and active MMIC technology
Koenig, S.; Lopez-Diaz, D.; Antes, J.; Boes, F.; Henneberger, R.; Leuther, A.; Tessmann, A.; Schmogrow, R.; Hillerkuss, D.; Palmer, R.; Zwick, T.; Koos, C.; Freude, W.; Ambacher, O.; Leuthold, J.; Kallfass, I.
Konferenzbeitrag
2013(In)AlGaN heterojunction field effect transistors and circuits for high-power applications at microwave and millimeter-wave frequencies
Maroldt, S.; Quay, R.; Dennler, P.; Schwantuschke, D.; Musser, M.; Dammann, M.; Aidam, R.; Waltereit, P.; Tessmann, A.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2013100 Gbit/s wireless link with mm-wave photonics
König, S.; Boes, F.; Lopez-Diaz, D.; Antes, J.; Henneberger, R.; Schmogrow, R.; Hillerkuss, D.; Palmer, R.; Zwick, T.; Koos, C.; Freude, W.; Ambacher, O.; Kallfass, I.; Leuthold, J.
Konferenzbeitrag
2013A 240 GHz quadrature receiver and transmitter for data transmission up to 40 Gbit/s
Lopez-Diaz, D.; Tessmann, A.; Leuther, A.; Wagner, S.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.; König, S.; Antes, J.; Boes, F.; Kurz, F.; Henneberger, R.
Konferenzbeitrag
2013A 240 GHz quadrature receiver and transmitter for data transmission up to 40 Gbit/s
Lopez-Diaz, D.; Tessmann, A.; Leuther, A.; Wagner, S.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.; Koenig, S.; Antes, J.; Boes, F.; Kurz, F.; Henneberger, R.; Kallfass, I.
Konferenzbeitrag
2013A 243 GHz LNA module based on mHEMT MMICs with integrated waveguide transitions
Hurm, V.; Weber, R.; Tessmann, A.; Massler, H.; Leuther, A.; Kuri, M.; Riessle, M.; Stulz, H.P.; Zink, M.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.; Närhi, T.
Zeitschriftenaufsatz
2013A 243 GHz low-noise amplifier module for use in next-generation direct detection radiometers
Tessmann, A.; Hurm, V.; Leuther, A.; Massler, H.; Weber, R.; Kuri, M.; Riessle, M.; Stulz, H.P.; Zink, M.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.; Närhi, T.
Konferenzbeitrag
201335 nm mHEMT technology for THz and ultra low noise applications
Leuther, A.; Tessmann, A.; Dammann, M.; Massler, H.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2013A 67 GHz GaN voltage-controlled oscillator MMIC with high output power
Weber, R.; Schwantuschke, D.; Brueckner, P.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Kallfass, I.
Zeitschriftenaufsatz
2013AlGaN ultraviolet A and ultraviolet C photodetectors with very high specific detectivity D*
Albrecht, B.; Kopta, S.; John, O.; Kirste, L.; Driad, R.; Köhler, K.; Walther, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2013All-diamond nanoelectrode arrays
Hees, Jan Jakob
: Ambacher, Oliver
Dissertation
2013Benchmarking of large-area GaN-on-Si HFET power devices for highly-efficient, fast-switching converter applications
Reiner, R.; Waltereit, P.; Benkhelifa, F.; Müller, S.; Wespel, M.; Quay, R.; Schlechtweg, M.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2013Biofunktionalisierung und -sensorik mit AlGaN/GaN-Feldeffekttransistoren
Schwarz, S.U.
: Ambacher, O. (Ed.)
Dissertation
2013Broadband absorption and emission millimeter-wave spectroscopy between 220 and 325 GHz
Szymkiewicz, M.; Hülsmann, A.; Tessmann, A.; Schlechtweg, M.; Leuther, A.; Ambacher, O.; Koch, S.; Riedel, M.; Kallfass, I.
Konferenzbeitrag
2013Characterization of a DC to 40 GHz SPDT switch based on GaAs mHEMT technology at cryogenic temperature
Baldischweiler, B.; Bruch, D.; Kallfass, I.; Seelmann-Eggebert, M.; Leuther, A.; Peschel, D.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2013Characterization of Al2O3/GaAs interfaces and thin films prepared by atomic layer deposition
Sah, R.E.; Tegenkamp, C.; Baeumler, M.; Bernhardt, F.; Driad, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2013CIP (cleaning-in-place) stability of AlGaN/GaN pH sensors
Linkohr, S.; Pletschen, W.; Schwarz, S.U.; Anzt, J.; Cimalla, V.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2013Class-BJ power amplifier modes: The IMD behavior of reactive terminations
Carrubba, V.; Maroldt, S.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2013Class-BJ power amplifier modes: The IMD behavior of reactive terminations
Carrubba, V.; Maroldt, S.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2013A compact 94 GHz FMCW radar MMIC based on 100 nm InGaAs mHEMT technology with integrated transmission signal conditioning
Zech, C.; Hülsmann, A.; Weber, R.; Tessmann, A.; Wagner, S.; Schlechtweg, M.; Leuther, A.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2013A compact 94 GHz FMCW radar MMIC based on 100 nm InGaAs mHEMT technology with integrated transmission signal conditioning
Zech, C.; Hulsmann, A.; Weber, R.; Tessmann, A.; Wagner, S.; Schlechtweg, M.; Leuther, A.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2013A compact, universal and cost-efficient antenna setup for mmW-radar applications
Zech, C.; Hulsmann, A.; Schlechtweg, M.; Georgi, L.; Gulan, H.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2013Comparison of two W-band low-noise amplifier MMICs with ultra low power consumption based on 50 nm InGaAs mHEMT technology
Thome, F.; Massler, H.; Wagner, S.; Leuther, A.; Kallfass, I.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2013Corrugated piezoelectric membranes for energy harvesting from aperiodic vibrations
Heidrich, N.; Knöbber, F.; Polyakov, V.M.; Cimalla, V.; Pletschen, W.; Sah, R.E.; Kirste, L.; Leopold, S.; Hampl, S.; Ambacher, O.; Lebedev, V.
Zeitschriftenaufsatz
2013Crystallographic texture of submicron thin aluminum nitride films on molybdenum electrode for suspended micro and nanosystems
Sah, R.E.; Kirste, L.; Kirmse, H.; Mildner, M.; Wilde, L.; Kopta, S.; Knöbber, F.; Krieg, M.; Cimalla, V.; Lebedev, V.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2013Dynamics of thermalization in GaInN/GaN quantum wells grown on ammonothermal GaN
Binder, J.; Korona, K.P.; Wysmolek, A.; Kamiska, M.; Köhler, K.; Kirste, L.; Ambacher, O.; Zajac, M.; Dwilinski, R.
Zeitschriftenaufsatz
2013Effiziente Energiewandlung mit GaN-basierter Leistungselektronik
Waltereit, P.; Reiner, R.; Müller, S.; Czap, H.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2013Enhanced mechanical performance of AlN/nanodiamond micro-resonators
Heidrich, N.; Iankov, D.; Hees, J.; Pletschen, W.; Sah, R.E.; Kirste, L.; Zuerbig, V.; Nebel, C.; Ambacher, O.; Lebedev, V.
Zeitschriftenaufsatz
2013A fully scalable compact small-signal modeling approach for 100 nm AlGaN/GaN HEMTs
Schwantuschke, D.; Seelmann-Eggebert, M.; Brueckner, P.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Kallfass, I.
Konferenzbeitrag
2013GaN HEMTs and MMICs for space applications
Waltereit, P.; Bronner, W.; Quay, R.; Dammann, M.; Cäsar, M.; Müller, S.; Reiner, R.; Brueckner, P.; Kiefer, R.; Raay, F. van; Kühn, J.; Musser, M.; Haupt, C.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2013GaN-based high voltage transistors for efficient power switching
Waltereit, P.; Reiner, R.; Czap, H.; Peschel, D.; Müller, S.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2013GaN-on-Si enhancement mode metal insulator semiconductor heterostructure field effect transistor with on-current of 1.35A/mm
Hahn, H.; Benkhelifa, F.; Ambacher, O.; Alam, A.; Heuken, M.; Yacoub, H.; Noculak, A.; Kalisch, H.; Vescan, A.
Zeitschriftenaufsatz
2013High power AlGaN/GaN HFETs for industrial, scientific and medical applications
Krauße, D.
: Ambacher, O. (Ed.)
Dissertation
2013High-efficiency power amplifier MMICs in 100 nm GaN technology at Ka-band frequencies
Chéron, J.; Campovecchio, M.; Quéré, R.; Schwantuschke, D.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2013High-efficiency power amplifier MMICs in 100 nm GaN technology at Ka-band frequencies
Cheron, J.; Campovecchio, M.; Quere, R.; Schwantuschke, D.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2013High-gain millimeter-wave AlGaN/GaN transistors
Schwantuschke, D.; Brueckner, P.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2013High-speed technologies based on III-V compound semiconductors at Fraunhofer IAF
Mikulla, M.; Leuther, A.; Brueckner, P.; Schwantuschke, D.; Tessmann, A.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.; Caris, M.
Konferenzbeitrag
2013Individual source vias for GaN HEMT power bars
Musser, M.; Raay, F. van; Brueckner, P.; Bronner, W.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2013Integral transform and state modeling of 0.1 µm AlGaN/GaN HEMTs for pulsed-RF and CW operation
Raay, F. van; Quay, R.; Seelmann-Eggebert, M.; Schwantuschke, D.; Maier. T.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2013Laser-µ-Bearbeitung von GaN-basierten Leuchtdioden mit ultrakurzen Laserpulsen
Moser, R.
: Ambacher, O. (Ed.)
Dissertation
2013Local charge carrier diffusion and recombination in InGaN quantum wells
Danhof, Julia
: Ambacher, Oliver (Ed.)
Dissertation
2013Mechanical and electrical properties of plasma and thermal atomic layer deposited Al2O3 films on GaAs and Si
Sah, R.E.; Driad, R.; Bernhardt, F.; Kirste, L.; Leancu, C.-C.; Czap, H.; Benkhelifa, F.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2013Mikro-Photolumineszenz an fluoreszierenden Defektzentren in CVD-gewachsenen einkristallinen Diamantschichten
Wolfer, Marco
: Ambacher, O. (Hrsg.)
Dissertation
2013Millimeter- and submillimeter-wave monolithic integrated circuits based on metamorphic HEMT technology for sensors and communication
Schlechtweg, M.; Tessmann, A.; Leuther, A.; Massler, H.; Wagner, S.; Aidam, R.; Rosenzweig, J.; Ambacher, O.; Kallfass, I.; Lewark, U.J.; Sommer, R.; Wahlen, A.; Stanko, S.; Ender, J.
Konferenzbeitrag
2013MOEMS tunable microlens made of aluminum nitride membranes
Leopold, S.; Polster, T.; Pätz, D.; Knöbber, F.; Ambacher, O.; Sinzinger, S.; Hoffmann, M.
Zeitschriftenaufsatz
2013A monolithic integrated mHEMT chipset for high-resolution submillimeter-wave radar applications
Tessmann, A.; Leuther, A.; Massler, H.; Lewark, U.J.; Wagner, S.; Weber, R.; Kuri, M.; Zink, M.; Riessle, M.; Stulz, H.P.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.; Sommer, R.; Wahlen, A.; Stanko, S.
Konferenzbeitrag
2013Multilayer material analysis using an active millimeter wave imaging system
Klenner, M.; Zech, C.; Hülsmann, A.; Tessmann, A.; Leuther, A.; Schlechtweg, M.; Wagner, J.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2013Nano-diamond vacuum MEMS for RF applications
Heidrich, N.; Hees, J.; Zürbig, V.; Iankov, D.; Pletschen, W.; Sah, R.E.; Raynor, B.; Kirste, L.; Nebel, C.E.; Ambacher, O.; Lebedev, V.
Konferenzbeitrag
2013New low-frequency dispersion model for AlGaN/GaN HEMTs using integral transform and state description
Raay, F. van; Quay, R.; Seelmann-Eggebert, M.; Schwantuschke, D.; Peschel, D.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2013Novel semi-reactively-matched multistage broadband power amplifier architecture for monolithic ICs in GaN technology
Dennler, P.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2013Piezo-actuated tunable diamond/AlN micro lenses
Zürbig, V.; Pätz, D.; Pletschen, W.; Hees, J.; Sah, R.E.; Kirste, L.; Heidrich, N.; Cimalla, V.; Nebel, C.; Ambacher, O.; Lebedev, V.
Konferenzbeitrag
2013Piezoelectric actuated micro-resonators based on the growth of diamond on aluminum nitride thin films
Hees, J.; Heidrich, N.; Pletschen, W.; Sah, R. E.; Wolfer, M.; Williams, O. A.; Lebedev, V.; Nebel, C. E.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2013Piezoelectrically actuated diamond cantilevers for high-frequency applications
Heidrich, N.; Zürbig, V.; Iankov, D.; Pletschen, W.; Sah, R.E.; Raynor, B.; Kirste, L.; Nebel, C.E.; Ambacher, O.; Lebedev, V.
Zeitschriftenaufsatz
2013Recent developments in GaN HEMTs and MMICs for high power electronics
Waltereit, P.; Bronner, W.; Brueckner, P.; Dammann, M.; Reiner, R.; Müller, S.; Kühn, J.; Musser, M.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2013Seebeck ozone sensors
Mischo, M.; Bitterling, M.; Himmerlich, M.; Krischok, S.; Ambacher, O.; Cimalla, V.
Konferenzbeitrag
2013Signal generation and amplification up to 600 GHz using metamorphic HEMT technology
Lewark, U.J.; Tessmann, A.; Leuther, A.; Zwick, T.; Ambacher, O.; Kallfass, I.
Konferenzbeitrag
2013Submicron-AlGaN/GaN MMICs for space applications
Quay, R.; Waltereit, P.; Kühn, J.; Brueckner, P.; Heijningen, M. van; Jukkala, P.; Hirche, K.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2013Terahertz monolithic integrated circuits based on metamorphic HEMT technology for sensors and communication
Tessmann, A.; Schlechtweg, M.; Bruch, D.; Lewark, U.J.; Leuther, A.; Massler, H.; Wagner, S.; Seelmann-Eggebert, M.; Hurm, V.; Aidam, R.; Kallfass, I.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2013Thermal functionalization of GaN surfaces with 1-alkenes
Schwarz, S.U.; Cimalla, V.; Eichapfel, G.; Himmerlich, M.; Krischok, S.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2013Towards the solid protein surface
Hoffmann, René
: Ambacher, Oliver (Ed.)
Dissertation
2013Transmission of an 8-PSK modulated 30 Gbit/s signal using an MMIC-based 240 GHz wireless link
Antes, J.; König, S.; Lopez-Diaz, D.; Boes, F.; Tessmann, A.; Henneberger, R.; Ambacher, O.; Zwick, T.; Kallfass, I.
Konferenzbeitrag
2013Transparent diamond electrodes for tunable micro-optical devices
Zürbig, V.; Pletschen, W.; Hees, J.; Sah, R.E.; Kirste, L.; Heidrich, N.; Nebel, C.E.; Ambacher, O.; Lebedev, V.
Zeitschriftenaufsatz
2013Tunable cylindrical micro lenses based on aluminum nitride membranes
Leopold, S.; Pätz, D.; Knöbber, F.; Ambacher, O.; Sinzinger, S.; Hoffmann, M.
Konferenzbeitrag
2013Tuning of the optical properties of In-rich In(x)Ga(1-x)N (x=0.82-0.49) alloys by light-ion irradiation at low energy
Luca, M. de; Pettinari, G.; Polimeni, A.; Capizzi, M.; Ciatto, G.; Amidani, L.; Fonda, E.; Boscherini, F.; Filippone, F.; Bonapasta, A.A.; Knübel, A.; Cimalla, V.; Ambacher, O.; Giubertoni, D.; Bersani, M.
Konferenzbeitrag
2013W-band active loads and switching front-end MMICs for radiometer calibration
Weissbrodt, E.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.; Kallfass, I.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2013Wireless sub-THz communication system with high data rate
König, S.; Lopez-Diaz, D.; Antes, J.; Boes, F.; Henneberger, R.; Leuther, A.; Tessmann, A.; Schmogrow, R.; Hillerkuss, D.; Palmer, R.; Zwick, T.; Koos, C.; Freude, W.; Ambacher, O.; Leuthold, J.; Kallfass, I.
Zeitschriftenaufsatz
2012220 GHz wireless data transmission experiments up to 30 Gbit/s
Antes, J.; König, S.; Leuther, A.; Massler, H.; Leuthold, J.; Ambacher, O.; Kallfass, I.
Konferenzbeitrag
2012450 GHz amplifier MMIC in 50 nm metamorphic HEMT technology
Leuther, A.; Tessmann, A.; Massler, H.; Aidam, R.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
20128-42 GHz GaN non-uniform distributed power amplifier MMICs in microstrip technology
Dennler, P.; Schwantuschke, D.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2012A 96 GHz radar system for respiration and heart rate measurements
Ayhan, S.; Diebold, S.; Scherr, S.; Tessmann, A.; Ambacher, O.; Kallfass, I.; Zwick, T.
Konferenzbeitrag
2012Active load modules for W-band radiometer calibration
Weissbrodt, E.; Tessmann, A.; Schlechtweg, M.; Kallfass, I.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2012Advances on GaN mm-wave power amplifiers to 100 GHz
Quay, R.; Brueckner, P.; Heijningen, M. van; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2012AlGaN/GaN power amplifiers for ISM applications
Krausse, D.; Benkhelifa, F.; Reiner, R.; Quay, R.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2012Broadband MMIC tuners dedicated to noise parameter measurements at cryogenic temperatures
Bruch, D.; Seelmann-Eggebert, M.; Kallfass, I.; Leuther, A.; Diebold, S.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2012Continuous-classF3 power amplifier mode varying simultaneously first 3 harmonic impedances
Carrubba, V.; Quay, R.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.; Akmal, M.; Lees, J.; Benedikt, J.; Tasker, P.J.; Cripps, S.C.
Konferenzbeitrag
2012Development of 100 nm gate AlGaN/GaN HEMT and MMIC technology suitable for mm-wave applications
Brueckner, P.; Kiefer, R.; Haupt, C.; Leuther, A.; Müller, S.; Quay, R.; Schwantuschke, D.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2012Diamond diversity - from micro- and nanostructuring to multifunctional tools and devices
Smirnov, W.
: Ambacher, Oliver
Dissertation
2012Dual-band class-ABJ AlGaN/GaN high power amplifier
Carrubba, V.; Maroldt, S.; Musser, M.; Walcher, H.; Schlechtweg, M.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2012Dual-band class-ABJ AlGaN/GaN high power amplifier
Carrubba, V.; Maroldt, S.; Musser, M.; Walcher, H.; Schlechtweg, M.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2012Electrostatically coupled vibration modes in unimorph complementary mircocantilevers
Lebedev, V.; Heidrich, N.; Knöbber, F.; Sah, R.E.; Pletschen, W.; Raynor, B.; Polyakov, V.M.; Cimalla, V.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2012Evaluation of AlN material properties through vibration analysis of thin membranes
Lebedev, V.; Knöbber, F.; Heidrich, N.; Sah, R.E.; Pletschen, W.; Cimalla, V.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2012Evaluation on AIN material properties through vibration analysis of thin membranes
Lebedev, V.; Knöbber, F.; Heidrich, N.; Sah, R.E.; Pletschen, W.; Cimalla, V.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2012First polarization-engineered compressively strained AlInGaN barrier enhancement-mode MISHFET
Hahn, H.; Reuters, B.; Wille, A.; Ketteniss, N.; Benkhelifa, F.; Ambacher, O.; Kalisch, H.; Vescan, A.
Zeitschriftenaufsatz
2012Fractal structures for low-resistance large area AlGaN/GaN power transistors
Reiner, R.; Waltereit, P.; Benkhelifa, F.; Müller, S.; Walcher, H.; Wagner, S.; Quay, R.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2012GaAs microstrip-to-waveguide transition operating in the WR-1.5 waveguide band (500 - 750 GHz)
Hurm, V.; Tessmann, A.; Massler, H.; Leuther, A.; Riessle, M.; Zink, M.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2012GaAs microstrip-to-waveguide transition operating in the WR-1.5 waveguide band (500-750 GHz)
Hurm, V.; Tessmann, A.; Massler, H.; Leuther, A.; Riessle, M.; Zink, M.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2012Gallium nitride based transistors for high-efficiency microwave switch-mode amplifiers
Maroldt, Stephan
: Ambacher, Oliver
Dissertation
2012GaN-based high-frequency devices and circuits: A Fraunhofer perspective
Waltereit, P.; Bronner, W.; Quay, R.; Dammann, M.; Cäsar, M.; Müller, S.; Raay, F. van; Kiefer, R.; Brueckner, P.; Kühn, J.; Musser, M.; Kirste, L.; Haupt, C.; Pletschen, W.; Lim, T.; Aidam, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2012GaN-based millimeter-wave monolithic integrated circuits
Schwantuschke, D.; Kallfass, I.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2012Generation of traps in AlGaN/GaN HEMTs during RF-and DC-stress test
Cäsar, M.; Dammann, M.; Polyakov, V.M.; Waltereit, P.; Bronner, W.; Baeumler, M.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2012Hafnium oxide passivation of InGaAs/InP heterostructure bipolar transistors by electron beam evaporation
Driad, R.; Schmidt, R.; Kirste, L.; Lösch, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2012Halbleiter-Scheibenlaser hoher Brillanz für den Wellenlängenbereich von 2,0 - 2,8 µm
Rösener, B.
: Ambacher, O.
Dissertation
2012High efficiency X-band AlGaN/GaN MMICs for space applications with lifetimes above 10(5) hours
Waltereit, P.; Kühn, J.; Quay, R.; Raay, F. van; Dammann, M.; Cäsar, M.; Müller, S.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Lätti, J.; Rostewitz, M.; Hirche, K.; Däubler, J.
Konferenzbeitrag
2012High efficiency X-band AlGaN/GaN MMICs for space applications with lifetimes above 105 hours
Waltereit, P.; Kuhn, J.; Quay, R.; Raay, F. van; Dammann, M.; Casar, M.; Muller, S.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Latti, J.; Rostewitz, M.; Hirche, K.; Daubler, J.
Konferenzbeitrag
2012Highly integrated switching calibration front-end MMIC with active loads for W-band radiometers
Weissbrodt, E.; Leuther, A.; Schlechtweg, M.; Kallfass, I.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2012Influence of AlGaN barrier thickness on electrical and device properties in Al0.14Ga0.86N/GaN high electron mobility transistor structures
Waltereit, P.; Bronner, W.; Musser, M.; Raay, F. van; Dammann, M.; Cäsar, M.; Müller, S.; Kirste, L.; Köhler, K.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2012Influence of plasma treatments on the properties of GaN/AlGaN/GaN HEMT structures
Linkohr, S.; Pletschen, W.; Polyakov, V. M.; Himmerlich, M.; Lorenz, P.; Krischok, S.; Kirste, L.; Müller, S.; Ambacher, O.; Cimalla, V.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2012An integrated 12 Gbps switch-mode driver MMIC with 5 V(PP) for digital transmitters in 100 nm GaN technology
Maroldt, S.; Brueckner, P.; Quay, R.; Ambacher, O.; Maier, S.; Wiegner, D.; Pascht, A.
Konferenzbeitrag
2012An integrated 12 Gbps switch-mode driver MMIC with 5 VPP for digital transmitters in 100 nm GaN technology
Maroldt, S.; Brueckner, P.; Quay, R.; Ambacher, O.; Maier, S.; Wiegner, D.; Pascht, A.
Konferenzbeitrag
2012Integrated D-band MMICs for receiver front-ends
Weissbrodt, E.; Hülsmann, A.; Massler, H.; Leuther, A.; Kallfass, I.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2012Is GaN the ideal material for space?
Waltereit, P.; Bronner, W.; Quay, R.; Dammann, M.; Cäsar, M.; Müller, S.; Reiner, R.; Brueckner, P.; Kiefer, R.; Raay, F. van; Kühn, J.; Musser, M.; Haupt, C.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2012Konzeption und Charakterisierung von Rippenwellenleiterlasern auf Si-Substrat basierend auf dem gitterangepassten Ga(NAsP)/(B)GaP-Materialsystem
Rogowsky, Stephan
: Ambacher, Oliver
Dissertation
2012Microscopic degradation analysis of RF-stressed AlGaN/GaN HEMTs
Gütle, F.; Baeumler, M.; Dammann, M.; Cäsar, M.; Walcher, H.; Waltereit, P.; Bronner, W.; Müller, S.; Kiefer, R.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Graff, A.; Altmann, F.; Simon, M.
Konferenzbeitrag
2012Millimeter-wave monolithic integrated circuits and modules for safety and security applications
Schlechtweg, Michael; Tessmann, Axel; Hülsmann, Axel; Kallfass, Ingmar; Leuther, Arnulf; Aidam, Rolf; Zech, Christian; Lewark, U.J.; Massler, Hermann; Rießle, Markus; Zink, Martin; Rosenzweig, Josef; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2012A noise source module for In-Situ noise figure measurements from DC to 50 GHz at cryogenic temperatures
Bruch, Daniel; Amils, R.I.; Gallego, J.D.; Seelmann-Eggebert, M.; Aja, B.; Schäfer, F.; Diez, C.; Leuther, A.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.; Kallfass, I.
Zeitschriftenaufsatz
2012Novel III-N devices: Progess on GaN-based DC-DC converters for space
Quay, R.; Waltereit, P.; Benkhelifa, F.; Reiner, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2012Photon stimulated ozone sensor based on indium oxide nanoparticles II: Ozone monitoring in humidity and water environments
Wang, C.Y.; Bagchi, S.; Bitterling, M.; Becker, R.W.; Köhler, K.; Cimalla, V.; Ambacher, O.; Chaumette, B.
Zeitschriftenaufsatz
2012Plasma affected 2DEG properties on GaN/AlGaN/GaN HEMTs
Linkohr, S.; Pletschen, W.; Kirste, L.; Himmerlich, M.; Lorenz, P.; Krischok, S.; Polyakov, V.M.; Müller, S.; Ambacher, O.; Cimalla, V.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2012Radiative inter-valley transitions as a dominant emission mechanism in AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Gütle, F.; Polyakov, V.M.; Baeumler, M.; Benkhelifa, F.; Müller, S.; Dammann, M.; Cäsar, M.; Quay, R.; Mikulla, M.; Wagner, J.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2012Reverse bias stress test of GaN HEMTs for high-voltage switching applications
Dammann, M.; Czap, H.; Rüster, J.; Baeumler, M.; Gütle, F.; Waltereit, P.; Benkhelifa, F.; Reiner, R.; Cäsar, M.; Konstanzer, H.; Müller, S.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2012Static and dynamic characterization of AlN and nanocrystalline diamond membranes
Knöbber, F.; Zürbig, V.; Heidrich, N.; Hees, J.; Sah, R.E.; Baeumler, M.; Leopold, S.; Pätz, D.; Ambacher, O.; Lebedev, V.
Zeitschriftenaufsatz
2012Study on data transmission of complex modulated signals using an MMIC-based 220 GHz wireless link
Antes, J.; Mahler, T.; Zwick, T.; Tessmann, A.; Ambacher, O.; Kallfass, I.
Konferenzbeitrag
2012A subharmonic chipset for gigabit communication around 240 GHz
Lopez-Diaz, D.; Kallfass, I.; Tessmann, A.; Leuther, A.; Wagner, S.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2012Surface properties of stoichiometric and defect-rich indium oxide films grown by MOCVD
Himmerlich, M.; Wang, C.Y.; Cimalla, V.; Ambacher, O.; Krischok, S.
Zeitschriftenaufsatz
2012Threading dislocation propagation in AlGaN/GaN based HEMT structures grown on Si (111) by plasma assisted molecular beam epitaxy
Manuel, J.M.; Morales, F.M.; Garcia, R.; Aidam, R.; Kirste, L.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2012Trade-offs between performance and reliability in AlGaN/GaN transistors
Waltereit, P.; Bronner, W.; Kiefer, R.; Quay, R.; Dammann, M.; Cäsar, M.; Brueckner, P.; Müller, S.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2012A tunable 140GHz analog phase shifter with high linearity performance
Thome, F.; Diebold, S.; Schlechtweg, M.; Leuther, A.; Ambacher, O.; Kallfass, I.
Konferenzbeitrag
2012A U-band broadband power amplifier MMIC in 100 nm AlGaN/GaN HEMT technology
Schwantuschke, D.; Brueckner, P.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Kallfass, I.
Konferenzbeitrag
2012A U-band broadband power amplifier MMIC in 100 nm AlGaN/GaN HEMT technology
Schwantuschke, D.; Brueckner, P.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Kallfass, I.
Konferenzbeitrag
2012An ultra-broadband low-noise traveling-wave amplifier based on 50nm InGaAs mHEMT technology
Zech, C.; Diebold, S.; Wagner, S.; Schlechtweg, M.; Leuther, A.; Ambacher, O.; Kallfass, I.
Konferenzbeitrag
2012W-band MMIC radar modules for remote detection of vital signs
Diebold, S.; Goetzl, D.; Ayhan, S.; Scherr, S.; Pahl, P.; Massler, H.; Tessmann, A.; Leuther, A.; Ambacher, O.; Zwick, T.; Kallfass, I.
Konferenzbeitrag
2012A w-band MMIC radar system for remote detection of vital signs
Diebold, S.; Ayhan, S.; Scherr, S.; Massler, H.; Tessmann, A.; Leuther, A.; Ambacher, O.; Zwick, T.; Kallfass, I.
Zeitschriftenaufsatz
2012Wireless multi-gigabit data transmission using active MMIC components at 220 GHz
Antes, J.; Lopez-Diaz, D.; Tessmann, Axel; Leuther, Arnulf; Massler, Hermann; Zwick, T.; Ambacher, O.; Kallfass, Ingmar
Zeitschriftenaufsatz
20112 µm semiconductor disk laser with a heterodyne linewidth below 10 kHz
Rösener, B.; Kaspar, S.; Rattunde, M.; Töpper, T.; Manz, C.; Köhler, K.; Ambacher, O.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
201120 nm metamorphic HEMT with 660 GHz f T
Leuther, A.; Koch, S.; Tessmann, A.; Kallfass, I.; Merkle, T.; Massler, H.; Loesch, R.; Schlechtweg, M.; Saito, S.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
201120 NM metamorphic HEMT with 660 GHZ F(T)
Leuther, A.; Koch, S.; Tessmann, A.; Kallfass, I.; Merkle, T.; Massler, H.; Lösch, R.; Schlechtweg, M.; Saito, S.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2011Active millimeter-wave imaging system for material analysis and object detection
Zech, C.; Hülsmann, A.; Kallfass, I.; Tessmann, A.; Zink, M.; Schlechtweg, M.; Leuther, A.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2011AlGaN/GaN power amplifiers for ISM frequency applications
Krausse, D.; Benkhelifa, F.; Reiner, R.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2011AlGaN/GaN-basierte-pH-Sensoren für biochemische Anwendungen
Linkohr, S.
: Ambacher, O. (Prüfer)
Dissertation
2011AlN-basierte mikroelektromechanische Strukturen für Implantate
Heidrich, N.; Knöbber, F.; Hampl, S.; Pletschen, W.; Sah, R. E.; Cimalla, V.; Lebedev, V.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2011Analysis of GaN HEMTs for broadband high-power amplifier design
Musser, M.; Quay, R.; Raay, F. van; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2011Atomic layer deposition of aluminum oxide for surface passivation of InGaAs/InP heterojunction bipolar transistors
Driad, R.; Benkhelifa, F.; Kirste, L.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2011Broadband GaN-based switch-mode core MMICs with 20 W output power operating at UHF
Maroldt, S.; Quay, R.; Haupt, C.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2011A broadband low-noise D-band amplifier module in 35 nm mHEMT technology
Weissbrodt, E.; Kallfass, I.; Tessmann, A.; Massler, H.; Leuther, A.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2011Critical factors influencing the voltage robustness of AlGaN/GaN HEMTs
Cäsar, M.; Dammann, M.; Polyakov, V.M.; Waltereit, P.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2011Design and model studies for solid-state power amplification at 210 GHz
Diebold, S.; Kallfass, I.; Massler, H.; Seelmann-Eggebert, M.; Leuther, A.; Tessmann, A.; Pahl, P.; Koch, S.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2011Development of a high transconductance GaN MMIC technology for millimeter wave applications
Haupt, C.; Maroldt, S.; Quay, R.; Pletschen, W.; Leuther, A.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2011DNA-sensor based on AlGaN/GaN high electron mobility transistor
Schwarz, S.U.; Linkohr, S.; Lorenz, P.; Krischok, S.; Nakamura, T.; Cimalla, V.; Nebel, C.E.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2011Dual-gate GaN MMICs for MM-wave operation
Quay, R.; Tessmann, A.; Kiefer, R.; Maroldt, S.; Haupt, C.; Nowotny, U.; Weber, R.; Massler, H.; Schwantuschke, D.; Seelmann-Eggebert, M.; Leuther, A.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2011Dynamic characterization of thin aluminum nitride microstructures
Knöbber, F.; Bludau, O.; Röhlig, C.-C.; Sah, R.E.; Williams, O.A.; Kirste, L.; Leopold, S.; Pätz, D.; Cimalla, V.; Ambacher, O.; Lebedev, V.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2011Effect of chemical surface pre-treatment on reliability of AlGaN/GaN HEMTs
Cäsar, M.; Dammann, M.; Waltereit, P.; Bronner, W.; Baeumler, M.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2011Electrical properties of AlxGa1-xN/GaN heterostructures with low Al content
Köhler, K.; Müller, S.; Waltereit, P.; Pletschen, W.; Polyakov, V.M.; Lim, T.; Kirste, L.; Menner, H.; Brueckner, P.; Ambacher, O.; Buchheim, C.; Goldhahn, R.
Zeitschriftenaufsatz
2011Electron and hole accumulation in InN/InGaN heterostructures
Lebedev, V.; Polyakov, V.M.; Knübel, A.; Aidam, R.; Kirste, L.; Cimalla, V.; Granzner, R.; Schwierz, F.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2011Evaluierung elastischer Eigenschaften von Mikro- und Nanostrukturen
Röhlig, C.-C.
: Ambacher, O. (Prüfer)
Dissertation
2011From epitaxy to backside process: Reproducible AlGaN/GaN HEMT technology for reliable and rugged power devices
Bronner, W.; Waltereit, P.; Müller, S.; Dammann, M.; Kiefer, R.; Dennler, P.; Raay, F. van; Musser, M.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2011GaN HFET MMICs with integrated Schottky-diode for highly efficient digital switch-mode power amplifiers at 2 GHz
Maroldt, S.; Quay, R.; Haupt, C.; Kiefer, R.; Wiegner, D.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2011Growth and characterization of InAlN layers nearly lattice-matched to GaN
Mánuel, J.M.; Morales, F.M.; Lozano, J.G.; García, R.; Lim, T.; Kirste, L.; Aidam, R.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2011Growth mechanism and electronic properties of epitaxial In(2)O(3) films on sapphire
Wang, C.Y.; Kirste, L.; Morales, F.M.; Mánuel, J.M.; Röhlig, C.-C.; Köhler, K.; Cimalla, V.; García, R.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2011High-performance 60 GHz MMICs for wireless digital communication in 100 nm mHEMT technology
Lopez-Diaz, D.; Kallfass, I.; Tessmann, A.; Weber, R.; Massler, H.; Leuther, A.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2011A highly linear 84 GHz low noise amplifier MMIC in AlGaN/GaN HEMT technology
Kallfass, I.; Massler, H.; Wagner, S.; Schwantuschke, D.; Brueckner, P.; Haupt, C.; Kiefer, R.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2011A highly linear 84 GHz low noise amplifier MMIC in AlGaN/GaN HEMT technology
Kallfass, I.; Massler, H.; Wagner, S.; Schwantuschke, D.; Bruckner, P.; Haupt, C.; Kiefer, R.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2011Improved structural and chemical properties of nearly lattice-matched ternary and quaternary barriers for GaN-based HEMTs
Mánuel, J.M.; Morales, F.M.; García, R.; Lim, T.; Kirste, L.; Aidam, R.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2011InAlGaN/GaN MMICs in microstrip transmission line technology for wideband applications
Schuh, P.; Sledzik, H.; Oppermann, M.; Quay, R.; Kühn, J.; Lim, T.; Waltereit, P.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2011Influence of dry etch conditions on the performance of recessed gate GaN/AlGaN HEMTs
Pletschen, W.; Kiefer, R.; Müller, S.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2011InP-based heterojunction bipolar transistors with InGaAs/GaAs strained-layer-superlattice
Driad, R.; Aidam, R.; Yang, Q.K.; Maier, M.; Güllich, H.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2011Metamorphic HEMT MMICs and modules operating between 300 and 500 GHz
Tessmann, A.; Leuther, A.; Hurm, V.; Kallfass, I.; Massler, H.; Kuri, M.; Riessle, M.; Zink, M.; Lösch, R.; Seelmann-Eggebert, M.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2011Micro- and nano-electromechanical resonators based on SiC and group III-nitrides for sensor applications
Brueckner, K.; Niebelschütz, F.; Tonisch, K.; Foerster, C.; Cimalla, V.; Stephan, R.; Pezoldt, J.; Stauden, T.; Ambacher, O.; Hein, M.A.
Zeitschriftenaufsatz
2011Millimeter-wave circuits and modules up to 500 GHz based on metamorphic HEMT technology for remote sensing and wireless communication applications
Schlechtweg, M.; Tessmann, A.; Kallfass, I.; Leuther, A.; Hurm, V.; Massler, H.; Riessle, M.; Lösch, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2011MMIC based wireless data transmission of a 12.5 Gbit/s signal using a 220 GHz carrier
Antes, J.; Lopez-Diaz, D.; Tessmann, A.; Leuther, A.; Massler, H.; Zwick, T.; Ambacher, O.; Kallfass, I.
Konferenzbeitrag
2011Modeling and realization of GaN-based dual-gate HEMTs and HPA MMICs for Ku-band applications
Dennler, P.; Raay, F. van; Seelmann-Eggebert, M.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2011Narrow linewidth 2 µm GaSb-based semiconductor disk laser
Rattunde, M.; Kaspar, S.; Rösener, B.; Töpper, T.; Manz, C.; Köhler, K.; Ambacher, O.; Wagner, J.
Abstract
2011Photon stimulated sensor based on indium oxide nanoparticles I: Wide-concentration-range ozone monitoring in air
Wang, C.Y.; Becker, R.W.; Passow, T.; Pletschen, W.; Köhler, K.; Cimalla, V.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2011Quantum cascade lasers
Yang, Q. K.; Ambacher, O.
Aufsatz in Buch
2011Quaternary barriers for improved performance of GaN-based HEMTs
Lim, T.; Aidam, R.; Waltereit, P.; Pletschen, W.; Quay, R.; Kirste, L.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2011Reliability and degradation mechanism of 0.25 µm AlGaN/GaN HEMTs under RF stress conditions
Dammann, M.; Baeumler, M.; Gütle, F.; Cäsar, M.; Walcher, H.; Waltereit, P.; Bronner, W.; Müller, S.; Kiefer, R.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Graff, A.; Altmann, F.; Simon, M.
Konferenzbeitrag
2011Simulation and analysis of low-resistance AlGaN/GaN HFET power switches
Reiner, R.; Benkhelifa, F.; Krausse, D.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2011A single chip broadband noise source for noise measurements at cryogenic temperatures
Bruch, D.; Schäfer, F.; Seelmann-Eggebert, M.; Aja, B.; Kallfass, I.; Leuther, A.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2011A single-chip 77 GHz heterodyne receiver MMIC in 100 nm AlGaN/GaN HEMT technology
Kallfass, I.; Quay, R.; Massler, H.; Wagner, S.; Schwantuschke, D.; Haupt, C.; Kiefer, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2011Sub-MHz-linewidth 200-mW actively stabilized 2.3-µm semiconductor disk laser
Kaspar, S.; Rösener, B.; Rattunde, M.; Töpper, T.; Manz, C.; Köhler, K.; Ambacher, O.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2011Surface passivation of InGaAs/InP HBTs using atomic layer deposited Al(2)O(3)
Driad, R.; Benkhelifa, F.; Kirste, L.; Lösch, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2011Systemkonzept und Realisierung einer Millimeterwellen-Richtfunkstrecke mit Datenraten über 12,5 Gbit/s
Antes, J.; Lopez-Diaz, D.; Schlechtweg, M.; Diebold, S.; Gulan, H.; Poprawa, F.; Kurz, F.; Henneberger, R.; Roppelt, E.; König, S.; Leuthold, J.; Schneider, T.; Zwick, T.; Ambacher, O.; Kallfass, I.
Konferenzbeitrag
2011Tunable refractive beam steering using aluminum nitride thermal actuators
Leopold, S.; Paetz, D.; Knoebber, F.; Polster, T.; Ambacher, O.; Sinzinger, S.; Hoffmann, M.
Konferenzbeitrag
2011Ultra-high-speed transmitter and receiver ICs for 100 Gbit/s ethernet using InP DHBTs
Makon, R.E.; Driad, R.; Rosenzweig, J.; Hurm, V.; Walcher, H.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.; Schubert, C.
Konferenzbeitrag
2011W-band direct detection radiometers using metamorphic HEMT technology
Kallfass, I.; Hülsmann, A.; Tessmann, A.; Leuther, A.; Weissbrodt, E.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2011W-band radiometer system with switching front-end for multi-load calibration
Weissbrodt, E.; Kallfass, I.; Hülsmann, A.; Tessmann, A.; Leuther, A.; Massler, H.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2010107-112 Gbit/s fully integrated CDR/1:2 DEMUX using InP-based DHBTs
Makon, R.E.; Driad, R.; Schubert, C.; Fischer, J.; Lösch, R.; Walcher, H.; Rosenzweig, J.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
20105th Security Research Conference 2010. Proceedings. CD-ROM
: Ambacher, O.
Tagungsband
2010AlGaN/GaN based heterostructures for MEMS and NEMS applications
Cimalla, V.; Röhlig, C.-C.; Lebedev, V.; Ambacher, O.; Tonisch, K.; Niebelschütz, F.; Brueckner, K.; Hein, M.A.
Konferenzbeitrag
2010AlGaN/GaN epitaxy and technology
Waltereit, P.; Bronner, W.; Quay, R.; Dammann, M.; Kiefer, R.; Pletschen, W.; Müller, S.; Aidam, R.; Menner, H.; Kirste, L.; Köhler, K.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2010AlGaN/GaN HEMTs for high voltage applications
Benkhelifa, F.; Krausse, D.; Müller, S.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2010A balanced resistive 210 GHz mixer with 50 GHz IF bandwidth
Lopez-Diaz, D.; Kallfass, I.; Tessmann, A.; Massler, H.; Leuther, A.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2010Broadband MMIC amplifier for superconducting single photon detector readout in a cryogenic environment
Bruch, D.; Kallfass, I.; Aja Abelan, B.; Leuther, A.; Seelmann-Eggebert, M.; Massler, H.; Crocoll, E.; Wünsch, S.; Siegel, M.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2010Compositional variation of nearly lattice-matched InAlGaN alloys for high electron mobility transistors
Lim, T.; Aidam, Rolf; Kirste, Lutz; Waltereit, Patrick; Quay, Rüdiger; Müller, Stefan; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2010Critical factors influencing the voltage robustness of AlGaN/GaN HEMTs
Cäsar, M.; Dammann, M.; Polyakov, V.M.; Waltereit, P.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2010Design and realization of GaN RF-devices and circuits from 1 to 30 GHz
Kühn, J.; Musser, M.; Raay, F. van; Kiefer, R.; Seelmann-Eggebert, M.; Mikulla, M.; Quay, R.; Rödle, T.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2010Design of near lattice-matched AlGaInN-barriers for highly-scalable GaN-based transistor structures
Lim, T.; Aidam, R.; Kirste, L.; Waltereit, P.; Müller, S.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2010Determination of suitable mHEMT transistor dimensioning for power amplification at 210 GHz by comprehensive measurements
Diebold, S.; Kallfass, I.; Massler, H.; Leuther, A.; Tessmann, A.; Pahl, P.; Koch, S.; Siegel, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2010Development of rugged 2 GHz power bars delivering more than 100 W and 60% power added efficiency
Waltereit, P.; Bronner, W.; Quay, R.; Dammann, M.; Müller, S.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Harm, L.; Lorenzini, M.; Rödle, T.; Riepe, K.; Bellmann, K.; Buchheim, C.; Goldhahn, R.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2010Device and design optimization for AlGaN/GaN X-band-power-amplifiers with high efficiency
Kühn, J.; Raay, F. van; Quay, R.; Kiefer, R.; Mikulla, M.; Seelmann-Eggebert, M.; Bronner, W.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.; Thumm, M.
Zeitschriftenaufsatz
2010Diamond/AlN thin films for optical applications
Knöbber, F.; Bludau, O.; Williams, O.A.; Sah, R.E.; Kirste, L.; Baeumler, M.; Leopold, S.; Pätz, D.; Nebel, C.E.; Ambacher, O.; Cimalla, V.; Lebedev, V.
Konferenzbeitrag
2010Efficient AlGaN/GaN linear and digital-switch-mode power amplifiers for operation at 2 GHz
Maroldt, S.; Wiegner, D.; Vitanov, S.; Palankovski, V.; Quay, R.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2010Effizienz von GaInN-Leuchtdioden: Struktur aktiver Schichten unter dem Einfluss substratinduzierter Defekte
Maier, M.
: Ambacher, O.
Dissertation
2010Elastic properties of nanowires
Röhlig, C.-C.; Niebelschütz, F.; Brueckner, P.; Tonisch, K.; Ambacher, O.; Cimalla, V.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2010GaN power FETs for next generation mobile communication systems
Musser, M.; Walcher, H.; Maier, T.; Quay, R.; Dammann, M.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2010GaN-based submicrometer HEMTs with lattice-matched InAlGaN barrier grown by MBE
Lim, T.; Aidam, R.; Waltereit, P.; Henkel, T.; Quay, R.; Lozar, R.; Maier, T.; Kirste, L.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2010Group III-nitride based sensors - advances towards a new generation of biosensors
Cimalla, I.; Lübbers, B.; Cimalla, V.; Gebinoga, M.; Schober, A.; Ambacher, O.
Aufsatz in Buch
2010Harmonic termination of AlGaN/GaN/(Al)GaN single- and double-heterojunction HEMTs
Kühn, J.; Waltereit, P.; Raay, F. van; Aidam, R.; Quay, R.; Ambacher, O.; Thumm, M.
Konferenzbeitrag
2010High efficiency and low leakage AlGaN/GaN HEMTs for a robust, reproducible and reliable X-band MMIC space technology
Waltereit, P.; Bronner, W.; Kiefer, R.; Quay, R.; Kühn, J.; Raay, F. van; Dammann, M.; Müller, S.; Libal, C.; Meier, T.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2010III-Nitride Materials for Sensing, Energy Conversion and Controlled Light-Matter Interactions
: Gwo, S.; Ager, J.W.; Ren, F.; Ambacher, O.; Schowalter, L.
Tagungsband
2010Impact of Al content on transport properties of two-dimensional electron gas in GaN/Al(x)Ga(1-x)N/GaN heterostructures
Polyakov, V.M.; Cimalla, V.; Lebedev, V.; Köhler, K.; Müller, S.; Waltereit, P.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2010Influence of dry etch conditions on the performance of recessed gate GaN/AlGaN HEMTs
Pletschen, Wilfried; Kiefer, R.; Maroldt, S.; Müller, Stefan; Quay, Rüdiger; Mikulla, Michael; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2010Influence of the surface potential on electrical properties of Al(x)Ga(1-x)N/GaN heterostructures with different Al-content: Effect of growth method
Köhler, K.; Müller, S.; Aidam, R.; Waltereit, P.; Pletschen, W.; Kirste, L.; Menner, H.; Bronner, W.; Leuther, A.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Granzner, R.; Schwierz, F.; Buchheim, C.; Goldhahn, R.
Zeitschriftenaufsatz
2010InN nanocolumns
Grandal, J.; Sánchez-García, M.A.; Calleja, E.; Lazic, S.; Gallardo, E.; Calleja, J.M.; Luna, E.; Trampert, A.; Niebelschütz, F.; Cimalla, V.; Ambacher, O.
Aufsatz in Buch
2010Integrated circuits beyond 100 GHz for stand-off detection of concealed weapons
Hülsmann, A.; Tessmann, A.; Leuther, A.; Kallfass, I.; Weissbrodt, E.; Knelangen, M.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2010Integrated-Schottky-Diode GaN HFETs for high-efficiency digital PA MMICs at 2 GHz
Maroldt, S.; Quay, R.; Haupt, C.; Kiefer, R.; Wiegner, D.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2010Investigation of leakage current of AlGaN/GaN HEMTs under pinch-off condition by electroluminescence microscopy
Baeumler, M.; Gütle, F.; Polyakov, V.M.; Cäsar, M.; Dammann, M.; Konstanzer, H.; Pletschen, W.; Bronner, W.; Quay, R.; Waltereit, P.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Bourgeois, F.; Behtash, R.; Riepe, K.J.; Wel, P.J. van der; Klappe, J.; Rödle, T.
Zeitschriftenaufsatz
2010Kampf der Giganten
Hüning, F.; Ambacher, O.; Guerra, A.
Zeitschriftenaufsatz
2010Metamorphic HEMT technology for submillimeterwave MMIC applications
Leuther, A.; Tessmann, A.; Kallfass, I.; Massler, H.; Lösch, R.; Schlechtweg, M.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2010Monolithic integrated 210 GHz couplers for balanced mixers and image rejection mixers
Lopez-Diaz, D.; Kallfass, I.; Tessmann, A.; Massler, H.; Leuther, A.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2010Near-UV LEDs for integrated InO-based ozone sensors
Wang, C.Y.; Cimalla, V.; Kunzer, M.; Passow, T.; Pletschen, W.; Kappeler, O.; Wagner, J.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2010A novel bio-functionalization of AlGaN/GaN-ISFETs for DNA-sensors
Linkohr, S.; Schwarz, S.; Krischok, S.; Lorenz, P.; Cimalla, V.; Nebel, C.E.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2010A novel functionalization of AlGaN/GaN-pH-ISFETs for DNA-sensors
Linkohr, S.; Schwarz, S.U.; Krischok, S.; Lorenz, P.; Nakamura, T.; Polyakov, V.M.; Cimalla, V.; Nebel, C.E.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2010Photon stimulated ozone sensing
Wang, C.Y.; Cimalla, V.; Ambacher, O.; Himmerlich, M.; Krischok, S.
Aufsatz in Buch
2010Piezoelectric actuated epitaxially grown AlGaN/GaN-resonators
Niebelschütz, F.; Brueckner, K.; Tonisch, K.; Stephan, R.; Cimalla, V.; Ambacher, O.; Hein, M.A.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2010Structural and compositional homogeneity of InAlN epitaxial layers nearly lattice-matched to GaN
Manuel, J.M.; Morales, F.M.; Lozano, J.G.; Gonzalez, D.; García, R.; Lim, T.; Kirste, L.; Aidam, R.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2010Structural properties of MBE AlInN and AlGaInN barrier layers for GaN-HEMT structures
Kirste, L.; Lim, T.; Aidam, R.; Müller, S.; Waltereit, P.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2010Subharmonically pumped 210 GHz I/Q mixers
Lopez-Diaz, D.; Kallfass, I.; Tessmann, A.; Leuther, A.; Massler, H.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2010Transport properties of InN
Cimalla, V.; Lebedev, V.; Ambacher, O.; Polyakov, V.M.; Schwierz, F.; Niebelschütz, F.; Ecke, G.; Myers, T.H.; Schaff, W.J.
Aufsatz in Buch
2010Tunable compound eye cameras
Pfätz, D.; Leopold, S.; Knöbber, F.; Sinzinger, S.; Hoffmann, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2009A 200 GHz active heterodyne receiver MMIC with low sub-harmonic LO power requirements for imaging frontends
Kallfass, I.; Tessmann, A.; Massler, H.; Leuther, A.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2009A 300 GHz active frequency-doubler and integrated resistive mixer MMIC
Kallfass, I.; Tessmann, A.; Massler, H.; Lopez-Diaz, D.; Leuther, A.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2009A 300 GHz mHEMT amplifier module
Tessmann, A.; Leuther, A.; Hurm, V.; Massler, H.; Zink, M.; Kuri, M.; Riessle, M.; Lösch, R.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2009Active millimeter-wave imaging using raster scanner
Hülsmann, A.; Liebelt, A.; Tessmann, A.; Leuther, A.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2009Advanced mHEMT MMICs for 220 GHz high-resolution imaging systems
Chartier, S.; Tessmann, A.; Leuther, A.; Weber, R.; Kallfass, I.; Schlechtweg, M.; Stanko, S.; Essen, H.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2009Advanced mHEMT technologies for space applications
Hülsmann, A.; Leuther, A.; Kallfass, I.; Weber, R.; Tessmann, A.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2009Advanced millimeter-wave radar modules for helicopter landing aid
Schlechtweg, M.; Leuther, A.; Tessmann, A.; Hülsmann, A.; Ambacher, O.; Hägelen, M.; Brise, G.; Essen, H.
Konferenzbeitrag
2009Band gap, electronic structure, and surface electron accumulation of cubic and rhombohedral In2O3
King, P.D.C.; Veal, T.D.; Fuchs, F.; Wang, C.Y.; Payne, D.J.; Bourlange, A.; Zhang, H.; Bell, G.R.; Cimalla, V.; Ambacher, O.; Egdell, R.G.; Bechstedt, F.; McConville, C.F.
Zeitschriftenaufsatz
2009Carrier mass measurements in degenerate indium nitride
Pettinari, G.; Polimeni, A.; Capizzi, M.; Blokland, J.H.; Christianen, P.C.M.; Maan, J.C.; Lebedev, V.; Cimalla, V.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2009Composition and interface chemistry dependence in ohmic contacts to GaN HEMT structures on the Ti/Al ratio and annealing conditions
Kolaklieva, L.; Kakanakov, R.; Stefanov, P.; Cimalla, V.; Maroldt, S.; Ambacher, O.; Tonisch, K.; Niebelschütz, F.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2009Design of highly-efficient GaN x-band-power-amplifier MMICs
Kühn, J.; Raay, F. van; Quay, R.; Kiefer, R.; Maier, T.; Stibal, R.; Mikulla, M.; Seelmann-Eggebert, M.; Bronner, W.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.; Thumm, M.
Konferenzbeitrag
2009Design of X-band GaN MMICs using field plates
Kühn, J.; Raay, F. van; Quay, R.; Kiefer, R.; Peschel, D.; Mikulla, M.; Seelmann-Eggebert, M.; Bronner, W.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.; Thumm, M.
Konferenzbeitrag
2009Determination of the composition of In(x)Ga(1-x)N from strain measurements
Morales, F.M.; Gonzales, D.; Lozano, J.G.; García, R.; Hauguth-Frank, S.; Lebedev, V.; Cimalla, V.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2009Development of AlGaN/GaN HEMTS with efficiencies above 60% up to 100 V for next generation mobile communication 100 W power bars
Waltereit, P.; Bronner, W.; Quay, R.; Dammann, M.; Müller, S.; Musser, M.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Rijs, F. van; Rödle, T.; Riepe, K.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2009Gallium nitride MMICs for future reconnaissance and imaging applications
Quay, R.; Mikulla, M.; Waltereit, P.; Raay, F. van; Dammann, M.; Kühn, J.; Ambacher, O.; Schuh, P.
Konferenzbeitrag
2009GaN HEMT and MMIC development at Fraunhofer IAF: Performance and reliability
Waltereit, P.; Bronner, W.; Quay, R.; Dammann, M.; Kiefer, R.; Müller, S.; Musser, M.; Kühn, J.; Raay, F. van; Seelmann-Eggebert, M.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Rijs, F. van; Rödle, T.; Riepe, K.
Zeitschriftenaufsatz
2009Gate-recessed AlGaN/GaN based enhancement-mode high electron mobility transistors for high frequency operation
Maroldt, S.; Haupt, C.; Pletschen, W.; Müller, S.; Quay, R.; Ambacher, O.; Schippel, C.; Schwierz, F.
Zeitschriftenaufsatz
2009High efficiency digital GaN MMIC power amplifiers for future switch-mode based mobile communication systems
Maroldt, S.; Haupt, C.; Kiefer, R.; Bronner, W.; Müller, S.; Benz, W.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2009High performance compound semiconductor devices and integrated circuits for advanced communication, sensor, and imaging applications
Schlechtweg, M.; Makon, R.E.; Hurm, V.; Driad, R.; Tessmann, A.; Kallfass, I.; Leuther, A.; Seelmann-Eggebert, M.; Massler, H.; Kuri, M.; Benkhelifa, F.; Lösch, R.; Rosenzweig, J.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2009High-performance MMICs and high-speed mixed-signal ICs based on III/V HEMT and HBT technology for sensors and communication
Schlechtweg, M.; Tessmann, A.; Kallfass, I.; Leuther, A.; Weber, R.; Chartier, S.; Driad, R.; Makon, R.E.; Hurm, V.; Massler, H.; Benkhelifa, F.; Lösch, R.; Rosenzweig, J.; Ambacher, O.; Kuri, M.
Konferenzbeitrag
2009Impact of GaN cap thickness on optical, electrical, and device properties in AlGaN/GaN high electron mobility transistor structures
Waltereit, P.; Müller, S.; Bellmann, K.; Buchheim, C.; Goldhahn, R.; Köhler, K.; Kirste, L.; Baeumler, M.; Dammann, M.; Bronner, W.; Quay, R.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2009InP DHBT-based 1:2 DEMUX IC operating at up to 120 Gbit/s
Makon, R.E.; Driad, R.; Lösch, R.; Rosenzweig, J.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2009K-band ESR studies of structural anisotropy in P3HT and P3HT/PCBM blend polymer solid films: Paramagnetic defects after continuous wave Xe-lamp photolysis
Konkin, A.; Roth, H.-K.; Scharff, P.; Aganov, A.; Ambacher, O.; Sensfuss, S.
Zeitschriftenaufsatz
2009L-to-Ka-band AlGaN/GaN HEMT power amplifiers with high efficiency
Quay, R.; Raay, F. van; Kühn, J.; Kiefer, R.; Waltereit, P.; Musser, M.; Maroldt, S.; Dammann, M.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2009The metamorphic HEMT and its applications in remote sensing
Kallfass, I.; Tessmann, A.; Leuther, A.; Seelmann-Eggebert, M.; Aja Abelan, B.; Gallego Puyol, J.D.; Wadefalk, N.; Schäfer, F.; Schuster, K.F.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2009Metamorphic HEMT technology for low-noise applications
Leuther, A.; Tessmann, A.; Kallfass, I.; Lösch, R.; Seelmann-Eggebert, M.; Wadefalk, N.; Schäfer, F.; Gallego Puyol, J.D.; Schlechtweg, M.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2009Millimeter-wave monolithic integrated circuits for imaging and remote sensing at 140, 200, and 300 GHz
Kallfass, I.; Tessmann, A.; Leuther, A.; Massler, H.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2009MMICs and mixed-signal ICs based on III/V technology for highest frequencies and data rates
Schlechtweg, M.; Tessmann, A.; Kallfass, I.; Leuther, A.; Weber, R.; Chartier, S.; Driad, R.; Makon, R.E.; Hurm, V.; Seelmann-Eggebert, M.; Massler, H.; Kuri, M.; Riessle, M.; Zink, M.; Benkhelifa, F.; Lösch, R.; Rosenzweig, J.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2009Observation of Fermi-edge and excitons and exciton-phonon complexes in the optical response of heavily doped n-type wurtzite GaN
Shokhovets, S.; Köhler, K.; Ambacher, O.; Gobsch, G.
Zeitschriftenaufsatz
2009Preface
Stokes, E.; Ambacher, O.; Goldhahn, R.; Huang, J.; Hunter, G.; Kohn, E.; O'Dwyer, C.; Overberg, M.E.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2009Reliability and degradation mechanism of AlGaN/GaN HEMTs for next generation mobile communication systems
Dammann, M.; Pletschen, W.; Waltereit, P.; Bronner, W.; Quay, R.; Müller, S.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Wel, P.J. van der; Murad, S.; Rödle, T.; Behtash, R.; Bourgeois, F.; Riepe, K.; Fagerlind, M.; Sveinbjörnsson, E.Ö.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2009Reliability of AlGaN/GaN HEMTs under DC- and RF-operation
Dammann, Michael; Cäsar, M.; Waltereit, Patrick; Bronner, Wolfgang; Konstanzer, Helmer; Quay, Rüdiger; Müller, Stefan; Mikulla, Michael; Ambacher, O.; Wel, P. van der; Rödle, T.; Behtash, R.; Bourgeois, F.; Riepe, K.
Konferenzbeitrag
2009Resonant piezoelectric ALGAN/GAN mems sensors in longitudinal mode operation
Brueckner, K.; Niebelschütz, F.; Tonisch, K.; Stephan, R.; Cimalla, V.; Ambacher, O.; Hein, M.A.
Konferenzbeitrag
2009Der Stoff aus dem die Träume sind
Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2009Tunable GaAs-based high power tapered amplifiers in an external cavity setup
Schilling, C.; Ostendorf, R.; Kaufel, G.; Moritz, R.; Wagner, J.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2009Verfahren und Sensor zum Nachweis von Sauerstoff
Wang, C.; Cimalla, V.; Ambacher, O.
Patent
2009Wide band gap based MEMS for harsh environment applications
Cimalla, V.; Lebedev, V.; Röhlig, C.-C.; Ambacher, O.; Niebelschütz, F.; Tonisch, K.; Pezoldt, J.; Brueckner, K.; Hein, M.
Konferenzbeitrag
2008(AlGaIn)N UV LEDs for integrated metal-oxide based ozone sensors
Wagner, J.; Wang, C.Y.; Röhlig, C.-C.; Maier, M.; Kunzer, M.; Passow, T.; Schirmacher, W.; Pletschen, W.; Cimalla, V.; Köhler, K.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
200810 W high-efficiency high-brightness tapered diode lasers at 976 nm
Ostendorf, R.; Kaufel, G.; Moritz, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Kelemen, M.; Gilly, J.
Konferenzbeitrag
200835 nm metamorphic HEMT MMIC technology
Leuther, A.; Tessmann, A.; Massler, H.; Lösch, R.; Schlechtweg, M.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2008Anisotropy of the momentum matrix element, dichroism, and conduction-band dispersion relation of wurtzite semiconductors
Shokhovets, S.; Ambacher, O.; Meyer, B.K.; Gobsch, G.
Zeitschriftenaufsatz
2008Balanced microstrip AlGaN/GaN HEMT power amplifier MMIC for X-band applications
Kühn, J.; Raay, F. van; Quay, R.; Kiefer, R.; Bronner, W.; Seelmann-Eggebert, M.; Schlechtweg, M.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Thumm, M.
Konferenzbeitrag
2008Efficient AlGaN/GaN HEMT power amplifiers
Quay, R.; Raay, F. van; Kühn, J.; Kiefer, R.; Waltereit, P.; Zorcic, M.; Musser, M.; Bronner, W.; Dammann, M.; Seelmann-Eggebert, M.; Schlechtweg, M.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Thorpe, J.; Riepe, K.; Rijs, F. van; Saad, M.; Harm, L.; Rödle, T.
Konferenzbeitrag
2008Electric field distribution in GaN/AlGaN/GaN heterostructures with two-dimensional electron and hole gas
Buchheim, C.; Goldhahn, R.; Gobsch, G.; Tonisch, K.; Cimalla, V.; Niebelschütz, F.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2008Electrical and optical properties of In2O3 nanoparticles prepared by MOCVD
Wang, C.Y.; Cimalla, V.; Kups, T.; Ambacher, O.; Himmerlich, M.; Krischok, S.
Konferenzbeitrag
2008Electronic and photoconductive properties of ultrathin InGaN photodetectors
Lebedev, V.; Polyakov, V.M.; Hauguth-Frank, S.; Cimalla, V.; Wang, C.-Y.; Ecke, G.; Schwierz, F.; Schober, A.; Lozano, J.G.; Morales, F.M.; Gonzales, D.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2008Enabling compact MMIC-based frontends for millimeter-wave imaging radar and radiometry at 94 and 210 GHz
Kallfass, I.; Tessmann, A.; Leuther, A.; Kuri, M.; Riessle, M.; Zink, M.; Massler, H.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2008Experimental evidence of different hydrogen donors in n-type InN
Pettinari, G.; Masia, F.; Capizzi, M.; Polimeni, A.; Losurdo, M.; Bruno, G.; Kim, T.H.; Choi, S.; Brown, A.; Lebedev, V.; Cimalla, V.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2008High-performance MMICs and modules for use in advanced safety and security systems
Tessmann, A.; Leuther, A.; Kuri, M.; Sommer, R.; Stanko, S.; Essen, H.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2008Highly efficient THz emission from differently grown InN at 800 nm and 1060 nm excitation
Matthäus, G.; Cimalla, V.; Pradarutti, B.; Riehemann, S.; Notni, G.; Lebedev, V.; Ambacher, O.; Nolte, S.; Tünnermann, A.
Zeitschriftenaufsatz
2008Integration of thin-film-fracture-based nanowires into microchip fabrication
Jebril, S.; Elbahri, M.; Titazu, G.; Subannajui, K.; Essa, S.; Niebelschütz, F.; Röhlig, C.-C.; Cimalla, V.; Ambacher, O.; Schmidt, B.; Kabiraj, D.; Avasti, D.; Adelung, R.
Zeitschriftenaufsatz
2008Isotropic dry-etching of SiC for AlGaN/GaN MEMS fabrication
Niebelschütz, F.; Pezoldt, J.; Stauden, T.; Cimalla, V.; Tonisch, K.; Brueckner, K.; Hein, M.; Ambacher, O.; Schober, A.
Konferenzbeitrag
2008Metamorphic HEMT MMICs and modules for use in a high-bandwidth 210 GHz radar
Tessmann, A.; Kallfass, I.; Leuther, A.; Massler, H.; Kuri, M.; Riessle, M.; Zink, M.; Sommer, R.; Wahlen, A.; Essen, H.; Hurm, V.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2008Metamorphic HEMT MMICs and Modules for Use in High Bandwidth 220 GHz Radar
Tessmann, A.; Kallfass, I.; Leuther, A.; Kuri, M.; Riessle, M.; Massler, H.; Sommer, R.; Wahlen, A.; Essen, H.; Hurm, V.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2008Metamorphic MMICs for operation beyond 200 GHz
Tessmann, A.; Kallfass, I.; Leuther, A.; Massler, H.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2008Millimeter-wave and submillimeter-wave MHEMT LNA MMICs
Tessmann, A.; Leuther, A.; Massler, H.; Kuri, M.; Lösch, R.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2008Phase stabilization and phonon properties of single crystalline rhombohedral indium oxide
Wang, C.Y.; Dai, Y.; Pezoldt, J.; Lu, B.; Kups, T.; Cimalla, V.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2008Piezoelectric actuation of (GaN/)AlGaN/GaN heterostructures
Tonisch, K.; Buchheim, C.; Niebelschütz, F.; Schober, A.; Gobsch, G.; Cimalla, V.; Ambacher, O.; Goldhahn, R.
Zeitschriftenaufsatz
2008Reliability and degradation mechanism of AlGaN/GaN HEMTs for next generation mobile communication systems
Dammann, M.; Pletschen, W.; Waltereit, P.; Bronner, W.; Quay, R.; Müller, S.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Wel, P.J. van der; Murad, S.; Rödle, T.; Behtash, R.; Bourgeois, F.; Riepe, K.; Fagerlind, M.; Sveinbjörnsson, E.Ö.
Konferenzbeitrag
2008The role of Ti/Al ratio in nanolayered ohmic contacts for GaN/AlGaN HEMTs
Kolaklieva, L.; Kakanakov, R.; Cimalla, V.; Maroldt, S.; Niebelschütz, F.; Tonisch, K.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2008Sapphire-GaN-based planar integrated free-space optical system
Hofmann, M.; Hauguth-Frank, S.; Lebedev, V.; Ambacher, O.; Sinziger, S.
Zeitschriftenaufsatz
2008Structural and photoconducting properties of MBE and MOCVD grown III-nitride double-heterostructures
Hauguth-Frank, S.; Lebedev, V.; Tonisch, K.; Romanus, H.; Kups, T.; Büchner, H.-J.; Jäger, G.; Ambacher, O.; Schober, A.
Konferenzbeitrag
2008TRESR study of the photo-induced elctron transfer in P3DDT7maleic anhydride blend in THF solution under UV flash photolysis
Konkin, A.; Sensfuss, S.; Roth, H.-K.; Scharff, P.; Ambacher, O.; Aganov, A.; Schrödner, M.
Zeitschriftenaufsatz
2008Two-dimensional electron gas based actuation of piezoelectric AlGaN/GaN microelectromechanical resonators
Brueckner, K.; Niebelschütz, F.; Tonisch, K.; Michael, S.; Dadgar, A.; Krost, A.; Cimalla, V.; Ambacher, O.; Stephan, R.; Hein, M.A.
Zeitschriftenaufsatz
2007Analysis of nanostructures by means of Auger electron spectroscopy
Ecke, G.; Cimalla, V.; Tonisch, K.; Lebedev, V.; Romanus, H.; Ambacher, O.; Liday, J.
Zeitschriftenaufsatz
2007High efficient terahertz emission from InN surfaces
Cimalla, V.; Pradarutti, B.; Matthäus, G.; Brückner, C.; Riehemann, S.; Notni, G.; Tünnermann, A.; Lebedev, V.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2007Integration of In2O3 nanoparticle based ozone sensors with GaInN/GaN light emitting diodes
Wang, C.-Y.; Cimalla, V.; Kups, T.; Röhlig, C.-C.; Stauden, T.; Ambacher, O.; Kunzer, M.; Passow, T.; Schirmacher, W.; Pletschen, W.; Köhler, K.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
200632nd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-2005). Proceedings
: Walther, M.; Ambacher, O.
Tagungsband
2006Detailed study of differently grown InN wavers as strong THz surface emitters excited at 800 nm and 1060 nm
Matthäus, G.; Pradarutti, B.; Brückner, C.; Riehemann, S.; Notni, G.; Nolte, S.; Cimalla, V.; Lebedev, V.; Ambacher, O.; Tünnermann, A.
Konferenzbeitrag
2006InN as THz emitter excited at 1060 nm and 800 nm
Pradarutti, B.; Matthäus, G.; Brückner, C.; Riehemann, S.; Notni, G.; Cimalla, V.; Lebedev, V.; Ambacher, O.; Tünnermann, A.
Konferenzbeitrag