Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2019Investigation of ScAlN for piezoelectric and ferroelectric applications
Petrich, R.; Bartsch, H.; Tonisch, K.; Jaekel, K.; Barth, S.; Bartzsch, H.; Glöß, D.; Delan, A.; Krischok, S.; Strehle, S.; Hoffmann, M.; Müller, J.
Conference Paper
2019Untersuchung von ScAlN für piezoelektrische und ferroelektrische Anwendungen
Petrich, Rebecca; Bartsch, Heike; Tonisch, Katja; Jaekel, Konrad; Barth, Stephan; Bartzsch, Hagen; Glöß, Daniel; Delan, Annekatrin; Krischok, S.; Strehle, S.; Hoffmann, Martin; Müller, Jens
Conference Paper
2011Micro- and nano-electromechanical resonators based on SiC and group III-nitrides for sensor applications
Brueckner, K.; Niebelschütz, F.; Tonisch, K.; Foerster, C.; Cimalla, V.; Stephan, R.; Pezoldt, J.; Stauden, T.; Ambacher, O.; Hein, M.A.
Journal Article
2010AlGaN/GaN based heterostructures for MEMS and NEMS applications
Cimalla, V.; Röhlig, C.-C.; Lebedev, V.; Ambacher, O.; Tonisch, K.; Niebelschütz, F.; Brueckner, K.; Hein, M.A.
Conference Paper
2010Elastic properties of nanowires
Röhlig, C.-C.; Niebelschütz, F.; Brueckner, P.; Tonisch, K.; Ambacher, O.; Cimalla, V.
Journal Article, Conference Paper
2010Piezoelectric actuated epitaxially grown AlGaN/GaN-resonators
Niebelschütz, F.; Brueckner, K.; Tonisch, K.; Stephan, R.; Cimalla, V.; Ambacher, O.; Hein, M.A.
Journal Article, Conference Paper
2009Composition and interface chemistry dependence in ohmic contacts to GaN HEMT structures on the Ti/Al ratio and annealing conditions
Kolaklieva, L.; Kakanakov, R.; Stefanov, P.; Cimalla, V.; Maroldt, S.; Ambacher, O.; Tonisch, K.; Niebelschütz, F.
Conference Paper, Journal Article
2009Resonant piezoelectric ALGAN/GAN mems sensors in longitudinal mode operation
Brueckner, K.; Niebelschütz, F.; Tonisch, K.; Stephan, R.; Cimalla, V.; Ambacher, O.; Hein, M.A.
Conference Paper
2009Wide band gap based MEMS for harsh environment applications
Cimalla, V.; Lebedev, V.; Röhlig, C.-C.; Ambacher, O.; Niebelschütz, F.; Tonisch, K.; Pezoldt, J.; Brueckner, K.; Hein, M.
Conference Paper
2008Electric field distribution in GaN/AlGaN/GaN heterostructures with two-dimensional electron and hole gas
Buchheim, C.; Goldhahn, R.; Gobsch, G.; Tonisch, K.; Cimalla, V.; Niebelschütz, F.; Ambacher, O.
Journal Article
2008Isotropic dry-etching of SiC for AlGaN/GaN MEMS fabrication
Niebelschütz, F.; Pezoldt, J.; Stauden, T.; Cimalla, V.; Tonisch, K.; Brueckner, K.; Hein, M.; Ambacher, O.; Schober, A.
Conference Paper
2008Piezoelectric actuation of (GaN/)AlGaN/GaN heterostructures
Tonisch, K.; Buchheim, C.; Niebelschütz, F.; Schober, A.; Gobsch, G.; Cimalla, V.; Ambacher, O.; Goldhahn, R.
Journal Article
2008The role of Ti/Al ratio in nanolayered ohmic contacts for GaN/AlGaN HEMTs
Kolaklieva, L.; Kakanakov, R.; Cimalla, V.; Maroldt, S.; Niebelschütz, F.; Tonisch, K.; Ambacher, O.
Conference Paper
2008Structural and photoconducting properties of MBE and MOCVD grown III-nitride double-heterostructures
Hauguth-Frank, S.; Lebedev, V.; Tonisch, K.; Romanus, H.; Kups, T.; Büchner, H.-J.; Jäger, G.; Ambacher, O.; Schober, A.
Conference Paper
2008Two-dimensional electron gas based actuation of piezoelectric AlGaN/GaN microelectromechanical resonators
Brueckner, K.; Niebelschütz, F.; Tonisch, K.; Michael, S.; Dadgar, A.; Krost, A.; Cimalla, V.; Ambacher, O.; Stephan, R.; Hein, M.A.
Journal Article
2007Analysis of nanostructures by means of Auger electron spectroscopy
Ecke, G.; Cimalla, V.; Tonisch, K.; Lebedev, V.; Romanus, H.; Ambacher, O.; Liday, J.
Journal Article