Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
1986Identifizierung und Charakterisierung von Punktdefekten in GaAs und InP
Baeumler, M.; Pomrenke, G.; Schneider, J.; Kaufmann, U.; Müller, H.; Ennen, H.; Windscheif, J.
Book
1986Photoluminescence optimization and characteristics of the rare-earth element erbium implanted in GaAs, InP, and GaP
Haydl, W.H.; Pomrenke, G.S.; Ennen, H.
Journal Article
19851.54-micro m electroluminescence of erbium-doped silicon grown by molecular beam epitaxy.
Pomrenke, G.; Axmann, A.; Schneider, J.; Eisele, K.M.; Haydl, W.H.; Ennen, H.
Journal Article
1985Luminescence of the rare-earth ion ytterbium in InP, GaP, and GaAs
Pomrenke, G.; Axmann, A.; Ennen, H.
Journal Article
19831.54-micro m luminescence of erbium-implanted III-V semiconductors and silicon.
Schneider, J.; Pomrenke, G.; Axmann, A.; Ennen, H.
Journal Article
1983Evidence of amphoteric behavior of Si in VPE InP.
Pomrenke, G.S.
Journal Article
1983Rare earth activated luminescence in InP, GaP and GaAs.
Pomrenke, G.; Schneider, J.; Axmann, A.; Kaufmann, U.; Ennen, H.; Windscheif, J.
Journal Article
1983A study of the 0.1-eV conversion acceptor in GaAs
Look, D.C.; Pomrenke, G.S.
Journal Article