Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

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2015Threshold voltage engineering in GaN-based HFETs: A systematic study with the threshold voltage reaching more than 2 V
Hahn, H.; Benkhelifa, Fouad; Ambacher, O.; Brunner, F.; Noculak, A.; Kalisch, H.; Vescan, A.
Journal Article
2013GaN-on-Si enhancement mode metal insulator semiconductor heterostructure field effect transistor with on-current of 1.35A/mm
Hahn, H.; Benkhelifa, F.; Ambacher, O.; Alam, A.; Heuken, M.; Yacoub, H.; Noculak, A.; Kalisch, H.; Vescan, A.
Journal Article